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mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

變壓器分布電容都有哪些?如何減小分布電容?

變壓器分布電容都有哪些?如何減小分布電容?

變壓器因繞組層數(shù)較多,會(huì)產(chǎn)生分布電容,在高頻狀態(tài)下工作時(shí),這些分布電容對(duì)變壓器工作狀態(tài)產(chǎn)生很大的影響,如EMC變差、變壓器發(fā)熱等。所以盡必需要了解這些分布電容。

2023-09-17 標(biāo)簽:MOSFETEMC設(shè)計(jì)分布電容 5.4k 0

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

相對(duì)于IGBT,SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗,實(shí)現(xiàn)了高頻率工作,有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET,導(dǎo)通電阻較小,可減...

2023-09-11 標(biāo)簽:MOSFET元器件導(dǎo)通電阻 5.4k 0

MOS管的工作原理及特性

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MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...

2023-02-17 標(biāo)簽:MOSFETMOS管晶體管 5.4k 0

調(diào)整MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以用于GaN FETs

調(diào)整MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以用于GaN FETs

氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè),具有比傳統(tǒng)硅MOSFETs更小的尺寸、更快的開關(guān)速度、更高的效率和更低的成本等優(yōu)勢(shì)。然而,GaN...

2024-03-05 標(biāo)簽:MOSFET控制器晶體管 5.4k 0

英飛凌CoolSiC? MOSFET滿足高性能三相逆變焊機(jī)的設(shè)計(jì)需求

在220V單相家用便攜式焊機(jī)應(yīng)用中,大部分設(shè)計(jì)是使用650V IGBT單管制作逆變電源,開關(guān)頻率最高可以到50kHz,如果采用軟開關(guān)技術(shù),開關(guān)頻率還能更...

2020-03-31 標(biāo)簽:英飛凌電源mosfet 5.4k 0

常見的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)解析

常見的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)解析

MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu),直流電不能通過,因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之...

2019-07-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT隔離驅(qū)動(dòng) 5.4k 0

驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)的簡(jiǎn)便方法

驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)的簡(jiǎn)便方法

驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)的簡(jiǎn)便方法本文將從非常基礎(chǔ)的部分開始介紹驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)的方法。可能大多數(shù)人都有在小學(xué)的理科實(shí)驗(yàn)中或手工作品中將電池連接到有刷直流電機(jī)來...

2023-02-15 標(biāo)簽:電源MOSFET電機(jī) 5.3k 1

雙極結(jié)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(BJT和FET)及PN結(jié)二極管等知識(shí)詳解

晶體管”是指可以實(shí)施開關(guān)和擴(kuò)展的半導(dǎo)體器材。它可以用作開關(guān)或擴(kuò)展器的電子設(shè)備稱為有源組件。電開關(guān)和擴(kuò)展并不是從1948年晶體管的發(fā)明開始的。但是,本發(fā)明...

2022-11-24 標(biāo)簽:二極管MOSFET晶體管 5.3k 0

用LT8316簡(jiǎn)化應(yīng)用中低元件數(shù)量、高效率解決方案的設(shè)計(jì)

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LT8316 采用耐熱性能增強(qiáng)型 20 引腳 TSSOP 封裝,并移除了 8316 個(gè)引腳以實(shí)現(xiàn)高電壓間隔。通過對(duì)來自第三個(gè)繞組的隔離輸出電壓進(jìn)行采樣,...

2023-01-31 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET光耦合器 5.3k 0

功率MOSFET器件的單脈沖雪崩能量參數(shù)解讀

功率MOSFET器件的單脈沖雪崩能量參數(shù)解讀

在功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)與選型中,單脈沖雪崩能量(Single Pulse Avalanche Energy, EAS)是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)。它量化...

2026-01-20 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFET電路設(shè)計(jì) 5.3k 0

雙mos管buck電路

在雙MOS管Buck電路中,有兩個(gè)MOSFET管,并且它們直接與電源和負(fù)載相連。具體而言,其中一個(gè)MOSFET管與電源相連,另一個(gè)MOSFET管與負(fù)載相...

2023-08-26 標(biāo)簽:MOSFETMOS管buck電路 5.3k 0

功率MOSFET設(shè)計(jì)–功耗計(jì)算

功率MOSFET設(shè)計(jì)–功耗計(jì)算

功耗是傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗的總和,傳導(dǎo)損耗也稱為靜態(tài)損耗。另一方面,開關(guān)損耗也稱為動(dòng)態(tài)損耗。

2022-07-26 標(biāo)簽:MOSFET功耗計(jì)算 5.3k 0

電池管理系統(tǒng)(BMS)設(shè)計(jì)之高側(cè)與低側(cè)電池保護(hù)

電池管理系統(tǒng)(BMS)設(shè)計(jì)之高側(cè)與低側(cè)電池保護(hù)

設(shè)計(jì) BMS 時(shí),重要的是要考慮電池保護(hù)斷路器的放置位置。通常,這些電路采用 N 溝道 MOSFET 實(shí)現(xiàn),因?yàn)榕c P 溝道 MOSFET 相比,它們的...

2024-04-18 標(biāo)簽:MOSFETCAN總線電池管理系統(tǒng) 5.3k 0

利用無光反激轉(zhuǎn)換器芯片簡(jiǎn)化隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

利用無光反激轉(zhuǎn)換器芯片簡(jiǎn)化隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

除了用于電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)外,許多其他噪聲敏感應(yīng)用也需要隔離直流輸出,如汽車電池充電,各種電子負(fù)載的中間總線電壓和工業(yè)輸入。雖然反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在隔離式D...

2019-03-15 標(biāo)簽:芯片轉(zhuǎn)換器mosfet 5.3k 0

功率器件終端區(qū)設(shè)計(jì)的必要性、工作原理及注意事項(xiàng)

功率器件終端區(qū)設(shè)計(jì)的必要性、工作原理及注意事項(xiàng)

MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開關(guān)作用的均是功率器件的有源區(qū),那為什么還要在周圍設(shè)計(jì)一圈終端區(qū)浪費(fèi)芯片的一部分面積呢

2023-11-14 標(biāo)簽:二極管MOSFETIGBT 5.3k 0

LLC串聯(lián)諧振電路分析

LLC的優(yōu)勢(shì)之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSF...

2022-12-12 標(biāo)簽:串聯(lián)MOSFET諧振電路 5.3k 0

同步降壓轉(zhuǎn)換器的工作原理和作用

同步降壓轉(zhuǎn)換器(Synchronous Buck Converter),作為一種重要的電源管理電路,其工作原理和作用在電子技術(shù)和電力電子領(lǐng)域中占據(jù)著重要...

2024-08-14 標(biāo)簽:MOSFET整流管同步降壓轉(zhuǎn)換器 5.3k 0

空氣凈化器系統(tǒng)之MOSFET的電路設(shè)計(jì)

什么叫MOSFET,作為電子硬件設(shè)計(jì)中非常重要的器件MOSFET有怎樣的特性?MOSFET體二極管的作用?4、 N型MOSFET和N型三極管作為開關(guān)管用...

2019-04-18 標(biāo)簽:MOSFETMOS管空氣凈化器 5.3k 0

功率器件igbt工藝流程圖解

功率器件igbt工藝流程圖解

功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外,還有MOSFET、BIP...

2023-09-07 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 5.3k 0

PhotoMOS MOSFET光控繼電器控制電路

PhotoMOS MOSFET光控繼電器控制電路

本文介紹了PhotoMOS MOSFET光控繼電器控制電路

2022-10-21 標(biāo)簽:繼電器MOSFET控制電路 5.3k 0

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    ESP8266
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    TMS320F28335
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  • 靜電防護(hù)
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    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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