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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在有些電子系統(tǒng)中,需要斷開電源線路的連接。例如,可能是切斷電池電壓,以保持電池電量,或者是斷開負(fù)載與帶電線路的連接。理想情況下,可以使用機(jī)械開關(guān)來實(shí)現(xiàn)這...
2023-06-14 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 3.6k 0
作者:Martin Warnke和Yazdi Mehrdad Baghaie 各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中SiC MOSFET的出現(xiàn)大大提高了性能和效率。但是,如果使...
2021-03-11 標(biāo)簽:MOSFETSiC MOSFET 3.6k 0
為減少開關(guān)管損耗的BSCO16NO3LSG型開關(guān)電源MOSFET
近年來,電源的輸出電壓越來越低、輸出電流越來越大(某些電源系統(tǒng)輸出幾十安培到上百安培)。因此,電源設(shè)計(jì)中采用開關(guān)電源控制器、加上多個(gè)驅(qū)動(dòng)器及功率 MOS...
近年來,半導(dǎo)體行業(yè)最為火熱的話題非寬禁帶半導(dǎo)體莫屬,如碳化硅(SiC)。由于其優(yōu)越的物理和電氣特性,如高能量帶隙(eV),高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)(MV/cm)和...
具有自動(dòng)防擊穿保護(hù)的MOSFET器件在各種H橋配置中的應(yīng)用
MOSFET作為功率開關(guān)元件廣泛應(yīng)用于調(diào)節(jié)器和馬達(dá)控制器。在各種H橋配置中,它們不僅可是分立器件也可集成到IC。
基于LAMP和MOSFET的Hi-Fi耳機(jī)放大器電路圖
任何追求高品質(zhì)音頻再現(xiàn)的發(fā)燒友都需要一個(gè) Hi-Fi 耳機(jī)放大器。強(qiáng)大的混合設(shè)計(jì)結(jié)合了真空管 (LAMP) 和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFE...
BuckBoost負(fù)壓變換器最基本的電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,如果把BuckBoost負(fù)壓變換器功率MOSFET管和二極管移動(dòng)到下面,電路工作狀態(tài)和放在上面完全一樣。
專為48V電動(dòng)汽車應(yīng)用而開發(fā)的eFuse參考設(shè)計(jì)
在電路保護(hù)設(shè)計(jì)中,電子保險(xiǎn)絲 ( eFuse ) 是一個(gè)令人興奮的技術(shù),也代表著一種創(chuàng)新的新趨勢(shì)——這種基于半導(dǎo)體技術(shù)、具有自恢復(fù)特性的解決方案
2024-01-11 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車繼電器MOSFET 3.5k 0
電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用三種不同的dV/dt控制方法
在電動(dòng)機(jī)控制等部分應(yīng)用中,放緩開關(guān)期間的dV/dt非常重要。速度過快會(huì)導(dǎo)致電動(dòng)機(jī)上出現(xiàn)電壓峰值,從而損壞繞組絕緣層,進(jìn)而縮短電動(dòng)機(jī)壽命。
碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何...
根據(jù)MOSFET傳輸特性,新的MOSFET (IRF和INFINEON)的熱穩(wěn)定性不如NXP MOSFET,因?yàn)镹XP的熱穩(wěn)定性(曲線相交)在37,5A...
2018-09-25 標(biāo)簽:MOSFET 3.5k 0
柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵控制及400W CCM PFC中的效率比較
基于電荷平衡技術(shù)的超級(jí)結(jié)MOSFET在降低導(dǎo)通電阻和寄生電容方面提供了出色的性能,這通常需要權(quán)衡取舍。
開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器里MOSFET驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)
MOSFET 功率開關(guān)是開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器里最重要的元件,如果它被集成進(jìn) IC里,這種器件便可以被稱作轉(zhuǎn)換器;如果它被外置,能夠驅(qū)動(dòng)它的器件便可以被稱作...
2020-12-24 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源轉(zhuǎn)換器 3.5k 0
在上一篇文章中我們講述了反激電源變壓器設(shè)計(jì)的理論基礎(chǔ),本文將詳細(xì)講述反激電源變壓器在固定頻率下連續(xù)電流模式的設(shè)計(jì)過程,這是一個(gè)反復(fù)迭代至最終滿意的過程。...
利用單個(gè)轉(zhuǎn)換器IC輕松將12V升壓至140V
LTC3788 的配置可使得第一個(gè)升壓級(jí)利用其同步整流功能,從而最大限度地提高了效率、降低了功率損耗并簡化了熱要求。使用同步整流時(shí),該控制器的最大輸出電...
2023-01-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 3.5k 0
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素
大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計(jì)方案
隨著新能源技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)大功率半導(dǎo)體器件的需求日益增加。特別是在可再生能源領(lǐng)域,需要能夠承載巨大電流的功率器件。然而,由于生產(chǎn)成本、技術(shù)難度以及市場(chǎng)...
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