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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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面對(duì)高效、緊湊的電力電子系統(tǒng)需求,功率器件的選型已成為設(shè)計(jì)核心。當(dāng)前,SiC MOSFET與硅基IGBT是兩大主流技術(shù)路線,各具性能與成本優(yōu)勢。厘清二者...
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復(fù)雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
SiC設(shè)計(jì)分享(三):onsemi同等功率的SiC與SiMOST進(jìn)行比較
本文作為系列文章的第三篇,會(huì)從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給出分析和計(jì)算過程,供設(shè)計(jì)工程師在選擇功率開關(guān)器件時(shí)參考!
德州儀器方案 | 使用熱插拔控制器應(yīng)對(duì)48V AI服務(wù)器的保護(hù)挑戰(zhàn)
新興的 48V AI 服務(wù)器在峰值和穩(wěn)定狀態(tài)下都需要更大的功率。在使用熱插拔控制器和并聯(lián) MOSFET 設(shè)計(jì)前端保護(hù)時(shí),高功耗以及快速和瞬態(tài)動(dòng)態(tài)特性帶來...
碳化硅功率模塊封裝中4個(gè)關(guān)鍵問題的分析與研究
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求,對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新,包括鍵合...
增強(qiáng)的體二極管特性可優(yōu)化Qrr和Vsd
MOSFET的體二極管能夠讓感性負(fù)載電流在MOSFET處于“關(guān)斷”狀態(tài)時(shí)繞開MOSFET。因此,它在同步整流(AC-DC和DC-DC)和電機(jī)控制(全橋和...
單通道DC-DC轉(zhuǎn)換器LV5980MC的主要特性及應(yīng)用電路
該OnSemi公司的LV5980MC是單個(gè)內(nèi)嵌P MOSFET的單通道DC-DC轉(zhuǎn)換器,工作電壓范圍為4.5V至23V,最大輸出電流為3A??蓪?shí)現(xiàn)低功率...
2021-03-15 標(biāo)簽:開關(guān)轉(zhuǎn)換器mosfet 3.7k 0
電力場效應(yīng)管的動(dòng)態(tài)特性和主要參數(shù)
電力場效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡稱Power FET),特別是其中的絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET),在電力...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 3.7k 0
我們發(fā)現(xiàn)我們的朋友Neubean,Gureux的學(xué)生,正在思考這個(gè)柵極電阻器。Neubean認(rèn)為,只要有足夠的電容從柵極到源極,或者有足夠的柵極電阻,他...
具有自關(guān)斷能力的電力半導(dǎo)體器件稱為全控性器件,全控型器件又稱為自關(guān)斷器件,是指通過控制信號(hào)既可以控制其導(dǎo)通,又可以控制其關(guān)斷的電力電子器件。
移相ZVS變換器使用MOSFET器件的潛在風(fēng)險(xiǎn)分析
在過去的幾年中,對(duì)具有足夠效率來管理大功率的系統(tǒng)的市場需求促使開關(guān)電源設(shè)計(jì)人員開發(fā)具有低電損耗的拓?fù)洹WM相移控制全橋變換器是一種非常流行的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)...
在之前的課程里,我們已經(jīng)了解了負(fù)載開關(guān)IC的一些實(shí)用功能,這些知識(shí)為我們在實(shí)際設(shè)計(jì)中運(yùn)用負(fù)載開關(guān)IC提供了思路。今天,芝子將帶著大家更進(jìn)一步,詳細(xì)探討負(fù)...
2025-09-19 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)開關(guān)IC 3.6k 0
DC-DC變換器,即直流-直流變換器,是一種在直流電路中將一個(gè)電壓值的電能轉(zhuǎn)換為另一個(gè)電壓值的電能的裝置。它廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,特別是在需要不同電...
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 2
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFETSBDSiC-MOSFET 3.6k 0
MOSFET是電路中非常常見的元件,常用于信號(hào)開關(guān)、功率開關(guān)、電平轉(zhuǎn)換等各種用途。由于MOSFET的型號(hào)眾多,應(yīng)用面廣,本文將詳細(xì)介紹MOSFET選型原...
SiC基DNPC轉(zhuǎn)換器器件電壓不平衡問題分析與解決
SiC、GaN MOSFET等寬帶隙器件的進(jìn)步,給電力電子領(lǐng)域帶來了一場革命。這些器件具有快速開關(guān)、高電荷密度和高效設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。它們在高功率應(yīng)用中非常有...
2022-08-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 3.6k 0
閃存芯片是非揮發(fā)存儲(chǔ)芯片,廣泛用于電子產(chǎn)品,特別是如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、手機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動(dòng)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)應(yīng)用。
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