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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

了解穩(wěn)壓器的工作原理

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穩(wěn)壓器產(chǎn)生預(yù)設(shè)幅度的固定輸出電壓,無論其輸入電壓或負(fù)載條件如何變化,該輸出電壓都保持不變。有兩種類型的穩(wěn)壓器:線性穩(wěn)壓器和開關(guān)穩(wěn)壓器。

2023-02-02 標(biāo)簽:電源MOSFET穩(wěn)壓器 3.6k 0

晶圓級(jí)MOSFET的直接漏極設(shè)計(jì)

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本文主要講述什么是晶圓級(jí)芯粒封裝中的分立式功率器件。 分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元,涵蓋二極管、MOSFET、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品,在個(gè)人計(jì)算...

2025-09-05 標(biāo)簽:MOSFET晶圓封裝 3.6k 0

IGBT的工作原理、作用及選型要求

IGBT由柵極(G)、發(fā)射(E)和集電極(C)三個(gè)極控制。 如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGB...

2023-04-08 標(biāo)簽:MOSFET變頻器IGBT 3.6k 0

MOSFET導(dǎo)通過程詳解

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在設(shè)計(jì)基于 MOSFET 的電路時(shí),您可能想知道打開 MOSFET 的正確方法是什么?或者簡單地說,應(yīng)該在器件的柵極/源極上施加什么最小電壓才能完美地打開?

2023-06-28 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通 3.6k 0

電源管理芯片平臺(tái)有哪些品牌?電源管理芯片解析

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電源管理芯片是在電子設(shè)備系統(tǒng)中擔(dān)負(fù)起對(duì)電能的變換、分配、檢測及其他電能管理的職責(zé)的芯片.主要負(fù)責(zé)識(shí)別CPU供電幅值,產(chǎn)生相應(yīng)的短矩波,推動(dòng)后級(jí)電路進(jìn)行功率輸出。

2025-04-29 標(biāo)簽:MOSFET電子設(shè)備調(diào)制技術(shù) 3.6k 0

基于內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動(dòng)性能

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功率MOSFET具有開關(guān)速度快,導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn),因此在開關(guān)電源,馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越廣。通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過程中,電子工程師對(duì)其的驅(qū)動(dòng)電路以...

2021-03-07 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 3.6k 0

三電平電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及碳化硅MOSFET應(yīng)用深度分析報(bào)告

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傾佳電子三電平電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及碳化硅MOSFET應(yīng)用深度分析報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。他...

2025-08-17 標(biāo)簽:MOSFET三電平電源拓?fù)?/a> 3.6k 0

使用泰克MP5000系列實(shí)現(xiàn)高密度并行測試

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受人工智能的快速發(fā)展和電氣化轉(zhuǎn)型的推動(dòng),半導(dǎo)體芯片市場的增長要求制造商在不犧牲測試精度的情況下,提高測試和驗(yàn)證的吞吐量。

2025-10-24 標(biāo)簽:測試MOSFET半導(dǎo)體 3.6k 0

MOSFET管的安全工作區(qū)

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安全工作區(qū):SOA(Safe operating area)是由一系列(電壓,電流)坐標(biāo)點(diǎn)形成的一個(gè)二維區(qū)域,開關(guān)器件正常工作時(shí)的電壓和電流都不會(huì)超過該...

2024-01-19 標(biāo)簽:MOSFETSOA開關(guān)器件 3.6k 0

如何區(qū)分MOS管,“電路符號(hào)”和“實(shí)物”介紹

讓我們來看看MOS管,分辨一下他們?cè)趺磪^(qū)別,怎么用吧。而且,我們不談原理,只談應(yīng)用。我們分“電路符號(hào)”和“實(shí)物”兩部分來看。

2022-12-30 標(biāo)簽:MOSFETMOS管 3.6k 0

功率放大器的連接方式 功率放大器的基本類型

  功率放大器主要解決低功率信號(hào)放大的問題,它可以將來自低功率信號(hào)源的電信號(hào)放大為高功率信號(hào),以便驅(qū)動(dòng)需要更高功率的負(fù)載。功率放大器的種類繁多,包括晶體...

2023-02-24 標(biāo)簽:放大器MOSFET功率放大器 3.6k 0

表面貼裝MOSFET產(chǎn)品上線高失效原因及其案例分析

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經(jīng)過電參數(shù)測試合格的產(chǎn)品2N**經(jīng)過客戶SMT(無鉛工藝260±5℃)生產(chǎn)線貼裝后,發(fā)現(xiàn)大量產(chǎn)品電參數(shù)失效,出現(xiàn)的現(xiàn)象是D、S間漏電,產(chǎn)品短路,失效比例...

2024-02-25 標(biāo)簽:MOSFETPADsmt 3.6k 0

三菱電機(jī)SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用(2)

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隨著市場需求的不斷增長,SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用日益廣泛,已經(jīng)成為推動(dòng)電動(dòng)汽車電氣化和高效能的重要技術(shù)之一。上一篇我們介紹了三菱電機(jī)SiC...

2025-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET三菱電機(jī) 3.6k 0

簡單認(rèn)識(shí)功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

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  功率電路中常用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的MOSFET(還有橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)的MOSFET,但很少用于耐高壓的功率電路中),如下圖是這種MOSFET的分層結(jié)構(gòu)圖。

2023-02-16 標(biāo)簽:電阻MOSFET場效應(yīng)管 3.6k 0

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一些功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)為在有限時(shí)間內(nèi)承受一定量的雪崩電流,因此可以達(dá)到雪崩額定值。其他人會(huì)在雪崩開始后很快失敗。性能差異源于特定的設(shè)備物理、設(shè)計(jì)和制造。

2021-06-23 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件寄生元件 3.6k 0

高速低端MOSFET驅(qū)動(dòng)器FAN3XXX系列產(chǎn)品的特點(diǎn)與典型應(yīng)用電路分析

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FAN3XXX系列是飛兆公司(FAIRCHILD)2007年10月推出的新產(chǎn)品,是一種高速低端MOSFET驅(qū)動(dòng)器系列。該系列各種驅(qū)動(dòng)器與PWM控制器及功...

2020-07-26 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器功率 3.6k 0

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上一篇文章中介紹了在LED照明電路中提升效率并降低噪聲的案例,本文將介紹在空調(diào)中的案例。近年來,隨著表示全年能效比的APF(Annual Perform...

2023-02-10 標(biāo)簽:二極管MOSFET晶體管 3.6k 0

如何使用MOSFET構(gòu)建高效D類音頻放大器

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在過去的幾十年里,音頻內(nèi)容已經(jīng)取得了長足的進(jìn)步,從經(jīng)典的電子管放大器到現(xiàn)代媒體播放器,技術(shù)進(jìn)步改變了數(shù)字媒體的消費(fèi)方式。在所有這些創(chuàng)新中,便攜式媒體播放...

2022-07-11 標(biāo)簽:MOSFET功放電路音頻放大器 3.6k 0

常見MOSFET失效模式的分析與解決方法

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提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢。為達(dá)到這個(gè)目標(biāo),需要提高開關(guān)頻率,從而降低功率損耗、系 統(tǒng)整體尺寸以及重量。對(duì)于當(dāng)今的開關(guān)電源(SMPS)而言...

2022-08-09 標(biāo)簽:MOSFET變換器失效模式 3.6k 0

SiC MOSFET的參數(shù)特性

碳化硅(SiC)MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)的一種,具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討...

2025-02-02 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 3.6k 0

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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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