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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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英飛凌FS03MR12A6MA1LB功率模塊產(chǎn)品概述
英飛凌FS03MR12A6MA1LB HybridPACK? Drive 是一款非常緊湊的六單元功率模塊 (1200V/400A),針對(duì)混合動(dòng)力和電動(dòng)汽...
圖一為N溝通增強(qiáng)型VDMOSFET斷面示意圖及等效電路圖,在電路圖中一般使用圖二所示的兩種圖形符號(hào)。圖形符號(hào)中的箭頭方向與反并聯(lián)寄生二極管的方向是一致的...
2022-10-08 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 3.8k 0
三菱電機(jī)SiC MOSFET在工業(yè)電源中的應(yīng)用
SiC器件具有低開(kāi)關(guān)損耗,可以使用更小的散熱器,同時(shí)可以在更高開(kāi)關(guān)頻率下運(yùn)行,減小磁性元件體積。采用SiC器件的工業(yè)電源,可以實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度。三...
MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件,在開(kāi)關(guān)電源中需要頻繁地切換兩種狀態(tài):導(dǎo)通和截止,以控制電流的通斷。這種切換過(guò)程對(duì)于電源的穩(wěn)定輸出至關(guān)重要。
2024-04-25 標(biāo)簽:集成電路MOSFET開(kāi)關(guān)電源 3.8k 0
在N溝道MOSFET中,源極為P型區(qū)域,而在P溝道MOSFET中,源極為N型區(qū)域。在MOSFET的工作中,源極是控制柵極電場(chǎng)的參考點(diǎn),它是連接到源極-漏...
提高開(kāi)關(guān)電源效率的方法 怎樣提高開(kāi)關(guān)電源效率
能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必定存在能耗,雖然實(shí)際應(yīng)用中無(wú)法獲得100%的轉(zhuǎn)換效率。但是,一個(gè)高質(zhì)量的電源效率可以達(dá)到非常高的水平,效率接近95%。
2023-07-20 標(biāo)簽:電源二極管轉(zhuǎn)換器 3.8k 0
高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC4449的性能特點(diǎn)及適用范圍
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出的高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4449,該器件為在同步整流轉(zhuǎn)...
2020-11-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfet驅(qū)動(dòng)器 3.8k 0
SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)
SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device),是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝,由IXYS(現(xiàn)在是Littelfuse公...
此外,襯底偏壓也能影響閾值電壓。當(dāng)在襯底和源極之間施加反向偏壓時(shí),耗盡區(qū)被加寬,實(shí)現(xiàn)反轉(zhuǎn)所需的閾值電壓也必須增加,以適應(yīng)更大的Qsc。
MOSFET打開(kāi)的過(guò)程中,是對(duì)電感進(jìn)行充電,所以電流的變化斜率是斜向上的。二極管續(xù)流的過(guò)程,是電感放電的過(guò)程,所以電流的變化斜率是斜向下的。
2022-04-29 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源同步控制器 3.7k 0
功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對(duì)于感性負(fù)載在開(kāi)關(guān)動(dòng)作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義,失效的現(xiàn)象及評(píng)估的方法是功率MOSFET電...
2023-05-15 標(biāo)簽:負(fù)載MOSFET電路設(shè)計(jì) 3.7k 0
小功率電子負(fù)載實(shí)現(xiàn)快速負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試
負(fù)載瞬態(tài)通常使用電子負(fù)載(E-Load)進(jìn)行測(cè)試,前面提到,負(fù)載的跳變斜率(Slew Rate)將對(duì)測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生關(guān)鍵影響,然而受設(shè)備內(nèi)部電路限制,常規(guī)電...
2023-02-03 標(biāo)簽:測(cè)試轉(zhuǎn)換器MOSFET 3.7k 0
安森美半導(dǎo)體門(mén)極驅(qū)動(dòng)器方案的快速評(píng)估和測(cè)試解決方案
這些板設(shè)計(jì)為直接插入基板或易于替換為現(xiàn)有的應(yīng)用板。圖3顯示了幾種架構(gòu),其中迷你驅(qū)動(dòng)器板已連接以驅(qū)動(dòng)采用TO-247封裝的開(kāi)關(guān)。
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供電平轉(zhuǎn)換、隔離和柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,以便操作功率器件。這些柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離特性允許高側(cè)和低側(cè)器件驅(qū)動(dòng),并且能夠在使用合適的器件時(shí)提供安全柵...
2022-12-19 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器總線 3.7k 0
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別
率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對(duì)其改良可以實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開(kāi)關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢(shì)。
三菱電機(jī)SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用(1)
隨著市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng),SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用日益廣泛,已經(jīng)成為推動(dòng)電動(dòng)汽車高效能的重要技術(shù)之一。本章節(jié)主要帶你探究三菱電機(jī)的SiC M...
2025-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車二極管MOSFET 3.7k 0
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