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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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三安宣布進軍美洲市場,為市場提供SiC和GaN功率半導體產品
1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導體與其簽署了一項合作協議,Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產品在美洲的獨家銷售渠道,...
產業(yè)鏈上某一環(huán)缺少都將引起產業(yè)動蕩,日前由于高壓金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產能吃緊,LED照明系統商特別是恩智浦正在多方解決這一問題,確...
榮湃半導體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅動器,該系列驅動器基于電容隔離技術,集成了多種保護功能,專為驅動SiC、IGBT和MOSF...
南芯科技發(fā)布高效同步升降壓變換器SC8742B與SC8746
在快速發(fā)展的電子消費市場中,高效、穩(wěn)定且靈活的電源管理解決方案成為了推動產品創(chuàng)新的關鍵因素。今日,國內領先的電源及電池管理芯片設計公司——南芯科技,正式...
東芝半導體新研發(fā)具備低功耗節(jié)能屬性IGBT器件
東芝半導體是全球領先的半導體生產設計制造公司,多年來持續(xù)耕耘在功率半導體研發(fā)上,經驗豐富的設計實驗室及優(yōu)異的研發(fā)團隊也一直致力于研發(fā)創(chuàng)新、提升芯片的功能...
專門用于驅動高壓側開關器件(如MOSFET或IGBT)的LED照明驅動IC-WD10-3111
LED照明中使用的?浮電流驅動IC?(Floating Current Driver IC)是一種專門用于驅動高壓側開關器件(如MOSFET或IGBT)...
東芝推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-...
電源芯片U6217S設計的開關電源具有節(jié)能環(huán)保特性
隨著電子技術的發(fā)展, 尤其是目前便攜式產品流行和節(jié)能環(huán)保的提倡, 電源芯片發(fā)揮的作用越來越大。電源芯片U6217S設計的開關電源具有節(jié)能環(huán)保特性,而且電...
車規(guī)級!碳化硅(SiC)MOSFET,正式開啟量產交付
據介紹,瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產品驅動電壓(Vgs)為15-18V,可提升應用兼容性,簡化應用系統設計。在產品結構上,第二代SiC M...
合科泰N溝道MOSFET HKTD80N03在電動工具中的應用
在沖擊鉆、角磨機等電動工具當中,電機驅動的系統是它們的核心,這個核心的可靠性決定了工具的耐用程度和動力強弱。這個系統中的關鍵挑戰(zhàn),就是電動工具啟動時的沖...
士蘭微榮獲2025中國創(chuàng)新IC創(chuàng)新突破獎
此前,2025年7月11日-12日,“第五屆中國集成電路設計創(chuàng)新大會”(ICDIA 創(chuàng)芯展)在蘇州成功召開。大會期間,由中國集成電路設計創(chuàng)新聯盟組織開展...
如何消除SiC MOSFET——柵極電路設計中的錯誤及其對穩(wěn)健性的影響
為什么需要關注 SiC MOSFET 柵極?盡管具有傳統的 SiO 2柵極氧化物,但該氧化物的性能比傳統 Si 基半導體中的經典 Si-SiO 2界面更...
AH8691是一款非常出色的12V轉4.2V/2A車充電源芯片。它具有多種功能和特點,使其成為一種理想的車載充電器解決方案。它的高效率、過壓保護和緊湊尺...
IGBT高壓開關的優(yōu)點說明 IGBT是一種高壓開關器件,它結合了 MOSFET和BJT的優(yōu)點,具有許多獨特的優(yōu)勢。在本文中,我們將詳細地探討IGBT的優(yōu)...
歐姆龍繼電器主要可用于哪些領域?繼電器是歐姆龍產品系列中頗具實力的產品之一,有著悠久的歷史,上世紀70年代歐姆龍已經開發(fā)出各種小型繼電器,經過近40年的...
mosfet結構和工作原理 MOSFET的原意是: MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),FET (Field...
2023-02-22 標簽:MOSFET 2.5k 0
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