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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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中微愛芯推出高速柵極驅(qū)動(dòng)器AiP4421/AiP4422
柵極驅(qū)動(dòng)器是連接控制芯片和功率開關(guān)、實(shí)現(xiàn)高低壓隔離的安全橋梁。在電子電力系統(tǒng)中,無論是新能源汽車的電驅(qū)電控、光伏逆變器,,還是工業(yè)變頻器,其核心都離不開...
2025-10-21 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 2.4k 0
全集成同步升壓轉(zhuǎn)換器AH6910的主要特性和應(yīng)用領(lǐng)域
在不斷發(fā)展的便攜式電子產(chǎn)品市場中,需求日益增加的是小尺寸和高功率密度的解決方案。AH6910,作為一款卓越的全集成同步升壓轉(zhuǎn)換器,成功滿足了這一需求。本...
2023-09-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器MOSFET 2.4k 0
SiC MOSFET在開/關(guān)切換模式下運(yùn)行。然而,了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的,當(dāng)驅(qū)動(dòng)程序發(fā)生故障或設(shè)計(jì)人員為特定目的對其進(jìn)行編程時(shí),可能會(huì)發(fā)生這種情況。
東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---“...
聞泰科技如何推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)升級
在第三代半導(dǎo)體加速滲透的浪潮中,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)堅(jiān)持研發(fā)創(chuàng)新,推出行業(yè)領(lǐng)先的SiC Trench MOS,不僅彰顯了技術(shù)突破的實(shí)力,更成為企業(yè)價(jià)值增長...
根據(jù)日本富士經(jīng)濟(jì)的調(diào)查顯示,到2020年,功率半導(dǎo)體的全球市場規(guī)模將達(dá)到33009億元,相比2014年同期,增幅約接近4成。
2016-07-27 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 2.4k 0
2023年12月8日,晶豐明源攜多款熱門電源解決方案亮相“美的廚熱供應(yīng)商產(chǎn)品交流會(huì)”,與行業(yè)大咖共同探討家電類產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展與未來趨勢,實(shí)現(xiàn)開放創(chuàng)新,合作共贏。
峰岹 料理機(jī)方案FU6812+FD6636+N MOSFET
FD6636S是一款集成三個(gè)獨(dú)立的半橋柵極驅(qū)動(dòng)集成電路芯片,專為高壓、高速驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT設(shè)計(jì),可在高達(dá)+600V電壓下工作。FD6636S內(nèi)...
2024-08-05 標(biāo)簽:MOSFET 2.4k 0
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表第3部分—連續(xù)電流額定值
嗨,我的FET狂熱愛好者同行們,歡迎回到“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的第3部分!今天我們來談一談MOSFET電流額定值,以及它們是如何變得不真實(shí)的...
無刷電機(jī)在某些領(lǐng)域也稱直流變頻電機(jī)(BLDC),它采用電子換向(霍爾傳感器),線圈不動(dòng)磁極動(dòng),此時(shí)永磁鐵可以在線圈外部也可以在線圈內(nèi)部,于是有了外轉(zhuǎn)子無...
2023-12-05 標(biāo)簽:MOSFET無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源 2.4k 0
近日,三菱電機(jī)集團(tuán)宣布,將于11月14日開始提供用于電動(dòng)汽車(EV)、插電式混合動(dòng)力汽車(PHEV)和其他電動(dòng)汽車(xEV)電驅(qū)逆變器的碳化硅(SiC)...
國產(chǎn)功率器件供應(yīng)商無錫新潔能榮獲寧波德業(yè)年度“戰(zhàn)略供應(yīng)商”稱號
近日,無錫新潔能榮獲重要客戶寧波德業(yè)年度“戰(zhàn)略供應(yīng)商”稱號。 在過去的一年中,新潔能憑借優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)量、先進(jìn)的產(chǎn)品技術(shù)水平、穩(wěn)定的產(chǎn)能和交付周期與寧波德...
我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù):開啟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新篇章
近年來,隨著科技的不斷進(jìn)步,半導(dǎo)體技術(shù)作為現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,其發(fā)展速度日新月異。在這一領(lǐng)域,碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,因其獨(dú)特的物理...
2024-09-04 標(biāo)簽:芯片MOSFET半導(dǎo)體封裝 2.4k 0
ROHM車載低耐壓MOSFET新增HPLF5060封裝產(chǎn)品
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)宣布,適用于主驅(qū)逆變器控制電路、電動(dòng)泵、LED前照燈等應(yīng)用的車載低耐壓(40V/60V)MOSFET產(chǎn)...
英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅技術(shù)的發(fā)展
碳化硅(SiC)技術(shù)一直是推動(dòng)高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵,英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代(G2)技術(shù),也是要在這個(gè)領(lǐng)域提高了MO...
2024-03-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車英飛凌MOSFET 2.4k 0
在DCDC轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)過程中,我們常常會(huì)需要知道轉(zhuǎn)換電路在某個(gè)特定工作狀態(tài)時(shí)功率的損耗。 比如通過待機(jī)狀態(tài)的損耗來確定電路對待機(jī)時(shí)長的影響,通過...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)晶體管是一種廣泛用于電子設(shè)備中開關(guān)和放大電子信號的半導(dǎo)體器件。 MOSFET 是一種四端子器件,具有源極 (...
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布推出汽車級COOLiRFET ?...
NP1208MR 12V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP1208MR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
np3401mr - n30v p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401MR-N采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 充電和工作的柵極電壓低至2.5V。 本裝置適用于作為負(fù)載開關(guān)或中壓開關(guān) 脈...
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