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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SiC需求爆發(fā) 賽道正式開啟國(guó)內(nèi)企業(yè)迅速就位
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))功率器件從硅基向碳化硅的轉(zhuǎn)型,成為了半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域快速發(fā)展的一個(gè)縮影,對(duì)整個(gè)電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重大的影響。 碳化硅功...
基于MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換速率測(cè)試負(fù)載瞬變
用電子負(fù)載測(cè)試電源的瞬態(tài)響應(yīng)很常見。對(duì)許多系統(tǒng)軌(如服務(wù)器的3.3V或5V總線)而言,電子負(fù)載很容易配置為在2-10A/us的范圍內(nèi)汲入電流的模式。但...
東芝半導(dǎo)體DTMOSVI系列MOSFET的應(yīng)用及特性
如今,市場(chǎng)對(duì)于高效率電源的需求日益增漲,在此背景下,東芝拓展了新一代650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”,推出TK090E65Z...
2022-04-26 標(biāo)簽:MOSFET電源效率東芝半導(dǎo)體 2.2k 0
國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點(diǎn)回顧
8月29日-31日,上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(簡(jiǎn)稱PCIM Asia)在上海新國(guó)際博覽中心W2館圓滿舉行。作為領(lǐng)先亞洲的電力電子展會(huì),本屆...
利用功率MOSFET制造線性放大器的風(fēng)險(xiǎn)分析
多年前,Rudy Severns曾參加國(guó)際整流器(International Rectifier,IR)的巡回演講,討論了該公司的Hexfets功率MO...
測(cè)不對(duì)SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)波形的6大原因
開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一,由器件在開關(guān)過(guò)程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評(píng)估時(shí)可以采用雙脈沖測(cè)試,而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直...
車載無(wú)線充電的關(guān)鍵設(shè)計(jì)考慮因素
開發(fā)車內(nèi)無(wú)線充電系統(tǒng)的追求伴隨著與電力傳輸和熱管理相關(guān)的艱巨設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。再加上嚴(yán)格的汽車安全、安保和環(huán)境要求。
利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長(zhǎng)SiC和AlN晶體
近日,第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA)在廈門國(guó)際會(huì)議中心召開。期間在“碳化硅襯底、外延...
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出兩款新一代200 V 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
EPC2215(8 mΩ、162 Apulsed)和EPC2207(22 mΩ、54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN器件大約縮小50%...
2020-08-22 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.2k 0
基本半導(dǎo)體研發(fā)汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2是基本半導(dǎo)體針對(duì)新能源商用車等大型車輛客戶對(duì)主牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高功率密度、長(zhǎng)器件壽命等需求而專門開發(fā)的產(chǎn)品。
亞閾值電路和電壓優(yōu)化方面的進(jìn)步將變得更加普遍,因?yàn)槟柖衫^續(xù)支持更小的工藝節(jié)點(diǎn),并且MOSFET 的柵源通道尺寸縮小,需要越來(lái)越低的電源電壓以及越...
飛兆推出SPM? 5 智能功率模塊系列三相MOSFET逆變器解決方案
電機(jī)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要能夠在嚴(yán)苛的應(yīng)用條件下,提高效率同時(shí)確保最高可靠性的解決方案。為迎接該挑戰(zhàn),全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商飛兆半...
2013-07-11 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET逆變器 2.2k 0
MOSFET作為一種電子開關(guān),主要利用了其在柵源電壓控制下的導(dǎo)電能力,通過(guò)改變柵源電壓 VGS,使得元件在短路(ON)和開路(OFF)狀態(tài)間轉(zhuǎn)變,從而實(shí)...
碳化硅功率半導(dǎo)體廠商瞻芯電子入選投中2022年度銳公司榜單
2月2日,知名投資界媒體投中網(wǎng)發(fā)布了2022年度“投中·銳公司100”榜單,瞻芯電子入榜。 ? 該榜單由投中研究院提供,從企業(yè)外部關(guān)注度、產(chǎn)業(yè)協(xié)同性以及...
日前,深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“基本半導(dǎo)體”)與東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“東芝電子元件”)正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。通過(guò)將雙方擁...
重磅新品||安森德自研超結(jié)(SJ)MOSFET上市
安森德歷經(jīng)多年的技術(shù)積累,攻克了多層外延超結(jié)(SJ)MOSFET技術(shù),成功研發(fā)出具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的超結(jié)(SJ)MOSFET系列產(chǎn)品
為什么buck電路中開關(guān)器多用mosfet而不用bjt?
為什么buck電路中開關(guān)器多用mosfet而不用bjt?? Buck電路是一種常見的DC-DC轉(zhuǎn)換電路,可實(shí)現(xiàn)輸入電壓向輸出電壓的降壓轉(zhuǎn)換。在Buck電...
科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革,宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSF...
安森德超結(jié)(SJ)MOSFET在LED光源中的應(yīng)用
發(fā)光二極管,簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)ED,是一種常用的發(fā)光器件,通過(guò)電子與空穴復(fù)合釋放能量發(fā)光。LED光源具有體積小、壽命長(zhǎng)、效率高等優(yōu)點(diǎn),在社會(huì)生活的方方面面有著廣泛...
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