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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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深圳市萬優(yōu)通電子科技有限公司深度解析AO3400 N溝道MOSFET的技術(shù)精髓與應(yīng)用實(shí)踐
深圳市萬優(yōu)通電子科技有限公司作為國內(nèi)半導(dǎo)體分銷領(lǐng)域的標(biāo)桿企業(yè),憑借其在功率器件領(lǐng)域的深耕經(jīng)驗(yàn),對 Alpha & Omega Semicondu...
數(shù)明半導(dǎo)體推出SiLM27213系列專用MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器
隨著高頻、高效率開關(guān)電源在電信電源設(shè)備、數(shù)據(jù)通信設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)品等眾多領(lǐng)域的應(yīng)用持續(xù)拓展與深化,電源管理組件的性能優(yōu)劣對系統(tǒng)整體效率與穩(wěn)定性起著決...
2025-07-02 標(biāo)簽:MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器數(shù)明半導(dǎo)體 2.2k 0
意法半導(dǎo)體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
意法半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 標(biāo)簽:微控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)器 2.2k 0
工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)方案的特點(diǎn)及功能應(yīng)用分析
根據(jù)國際能源署(International Energy Agency)的數(shù)據(jù),電機(jī)占全球總電力消耗的45%,因此電機(jī)驅(qū)動(dòng)電子產(chǎn)品的可靠性和能效會(huì)對世界...
2020-12-08 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器控制系統(tǒng) 2.2k 0
專精于高頻領(lǐng)域,預(yù)計(jì)2022年功率MOSFET全球市場規(guī)模可達(dá)85億美元 功率MOSFET是電力控制中必不可缺的專精于高頻領(lǐng)域的功率器件。功率MOSFE...
羅姆第4代SiC MOSFET應(yīng)用在車載中 高通智能數(shù)字座艙量產(chǎn)車型即上市
當(dāng)前,科技正推動(dòng)汽車行業(yè)駛?cè)肭八从械臅r(shí)代,電氣化和網(wǎng)聯(lián)化趨勢快速演進(jìn)。隨著高性能計(jì)算和汽車智能化滲透率逐年上升,汽車將成為AloT時(shí)代的重要產(chǎn)品,...
碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A
碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,隨著國產(chǎn)碳化硅MOSFET技...
本項(xiàng)目將SiC MOSFET應(yīng)用于暖通空調(diào)系統(tǒng),不但可以顯著提升系統(tǒng)性能,在性價(jià)比方面還更具優(yōu)勢
2022-09-21 標(biāo)簽:MOSFETSiC暖通空調(diào) 2.2k 0
300nm晶圓首次用于制造功率器件,英飛凌推出超結(jié)MOSFET
英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)(Super Junction)構(gòu)造的功率MOSFET“CoolM...
NP3401MR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP3401MR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至2.5V。這 該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
瞻芯電子第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過車規(guī)級可靠性認(rèn)證
近日,瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證,這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子...
測不對SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)波形六大原因
很多電源工程師剛剛接觸SiC MOSFET不久,往往會(huì)在驅(qū)動(dòng)電壓測量上遇到問題,即測得的驅(qū)動(dòng)電壓震蕩幅值較大、存在與理論不相符的尖峰,導(dǎo)致搞不清楚是器件...
SiC MOSFET 短路測試下的引線鍵合應(yīng)力分析
電力電子技術(shù)在日常生活中越來越普遍,尤其是現(xiàn)在,當(dāng)我們正經(jīng)歷一場由寬帶隙 (WBG) 材料引發(fā)的革命時(shí)。 ? WBG 材料在 SiC MOSFET 和 ...
2022-08-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 2.2k 0
2023年5月30日,工信部發(fā)布了一則最新通告,標(biāo)題是《無線充電(電力傳輸)設(shè)備無線電管理暫行規(guī)定》,適用于生產(chǎn)或進(jìn)口在國內(nèi)銷售、使用的移動(dòng)通信終端無線...
小而薄的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC更適合小型化應(yīng)用
電器中配電、上電排序和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換都需要負(fù)載開關(guān),它可以減小待機(jī)模式下的漏電流,抑制浪涌電流,實(shí)現(xiàn)斷電控制。負(fù)載開關(guān)的作用是開啟和關(guān)閉電源軌,大部分負(fù)載...
2022-12-12 標(biāo)簽:MOSFET東芝柵極驅(qū)動(dòng)IC 2.2k 0
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