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mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet資訊

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ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC...

2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET功率模塊 1.4k 0

英飛凌與快捷半導(dǎo)體共同簽訂車(chē)用創(chuàng)新MOSFET H-PSOF TO無(wú)導(dǎo)線封裝技術(shù)授權(quán)協(xié)議

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2012-04-06 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET汽車(chē)芯片 1.4k 0

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2025-06-03 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體 1.4k 0

CoolSiC? MOSFET  G2助力英飛凌革新碳化硅市場(chǎng)

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2024-07-12 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET功率半導(dǎo)體 1.4k 0

碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件與功率模塊規(guī)格書(shū)深度解析與應(yīng)用指南

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傾佳電子碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件與功率模塊規(guī)格書(shū)深度解析與應(yīng)用指南 傾佳電子(Changer Tech)是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源...

2025-11-24 標(biāo)簽:MOSFET分立器件功率模塊 1.4k 0

mosfet場(chǎng)效應(yīng)mos管介紹

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MOSFET是電路中非常常見(jiàn)的元件,常用于信號(hào)開(kāi)關(guān)、功率開(kāi)關(guān)、電平轉(zhuǎn)換等各種用途。由于MOSFET的型號(hào)眾多,應(yīng)用面廣,所以MOSFET的選型需要考慮的...

2024-12-18 標(biāo)簽:MOSFETMOS管 1.4k 0

電網(wǎng)轉(zhuǎn)換器采用氮化鎵

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近年來(lái),德州儀器 (TI) 等擁有強(qiáng)大制造足跡的全球公司已將一整套具有成本效益的 GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 產(chǎn)品組合推向市場(chǎng)。聯(lián)合電子器件工程委...

2022-07-27 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 1.4k 0

CISSOID新型柵極驅(qū)動(dòng)器板亮相紐倫堡PCIM 2019展會(huì)

CISSOID在2019年歐洲功率電子及智能傳動(dòng)產(chǎn)品展覽會(huì)(PCIM 2019)上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT...

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2012-12-04 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET電源芯片 1.4k 0

揚(yáng)杰科技攜重點(diǎn)產(chǎn)品及解決方案精彩亮相CESC2024中國(guó)國(guó)際儲(chǔ)能大會(huì)

CESC2024中國(guó)國(guó)際儲(chǔ)能大會(huì)暨智慧儲(chǔ)能技術(shù)及應(yīng)用展覽會(huì)于2024年4月23日在南京新國(guó)際博覽中心拉開(kāi)帷幕,揚(yáng)杰科技帶著最新一代的產(chǎn)品和技術(shù)亮相,圍繞...

2024-04-24 標(biāo)簽:新能源MOSFET汽車(chē)電子 1.4k 0

NP2301BMR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

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描述 NP2301BMR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供卓越的RDS(ON) 一般特征 ,低柵極電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或PW...

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Trench MOS:溝槽型MOS,主要低壓領(lǐng)域100V內(nèi);SGT (Split Gate)MOS:分裂柵MOS,主要中低壓領(lǐng)域200V內(nèi);SJ MOS...

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拓鋒半導(dǎo)體:不斷拓展MOSFET產(chǎn)品線

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Diodes發(fā)布DFN3020封裝分立式MOSFET

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近日,銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的超低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品,為市場(chǎng)帶來(lái)了更加高效的解決方案。

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英飛凌CoolSiC? MOSFET 2000V再獲殊榮,榮獲極光獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)

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  • ESP8266
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    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
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    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
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    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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