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MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。

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馳拓科技完成12億元B輪融資，加速MRAM產(chǎn)業(yè)生態(tài)布局

近日，浙江馳拓科技有限公司在杭州成功舉辦了B輪融資簽約大會。此次大會標志著公司獲得了誠通混改基金、誠通國調基金、國調科改基金、國新綜改基金、浙江金控、湖...

2024-03-28 標簽：存儲芯片 MRAM 2.2k 0

MRAM將可能會面臨大規(guī)模的應用，未來市場的分析

在所有常年興起的記憶中，MRAM似乎最有可能瀕臨大規(guī)模，廣泛采用。這是否會很快發(fā)生取決于制造的進步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術的生態(tài)系統(tǒng)。 MRA...

2020-07-30 標簽：存儲器 MRAM 2.2k 0

MRAM具有一些獨特的功能可能導致MRAM替換現(xiàn)有的內(nèi)存

2020-09-19 標簽：MRAM reram 2.1k 0

臺積電重返內(nèi)存市場瞄準MRAM和RRAM | 老邢點評

晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭，現(xiàn)由邏輯芯片擴及內(nèi)存市場。臺積電這次重返內(nèi)存市場，瞄準是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存，因傳輸速度...

2017-06-07 標簽：臺積電 MRAM RRAM 2.1k 0

瑞薩電子宣布已開發(fā)具有快速讀寫操作的測試芯片MRAM

瑞薩電子公司日前宣布，該公司已開發(fā)出用于嵌入式自旋轉移矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)的電路技術，以下簡稱MRAM）具有快速讀寫操作的測試芯片。

2024-02-25 標簽：放大器存儲器人工智能 1.9k 0

超低功耗ST-MRAM內(nèi)存架構

ST-MRAM有潛力成為領先的存儲技術，因為它是一種高性能存儲器（可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM），可擴展至10nm以下，并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋...

2020-04-03 標簽：MRAM everspin 1.9k 0

詳細介紹集各種存儲器優(yōu)異性能于一身的MRAM

MRAM即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱。經(jīng)過10多年不間斷的研發(fā)，全球第一款正式量產(chǎn)并供貨的MRAM芯片型號為MR2A16A，它采用44腳的TSOP封裝，...

2021-01-04 標簽：存儲器 sram MRAM 1.9k 0

磁存儲芯片STT-MRAM的特點是什么

隨著半導體工藝技術的不斷進步，芯片工藝制程的不斷演進和成本的不斷降低，半導體芯片廣泛應用在物聯(lián)網(wǎng)、個人終端、汽車電子、可穿戴設備、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等各個領域。...

2020-11-09 標簽：芯片 MRAM 1.9k 0

MRAM芯片相比于其它存儲器的優(yōu)勢是什么

對于存儲器而言，重要的技術指標無非就是速度、是否為非易失性、功耗、成本、體積、壽命等。已經(jīng)有很多種類的產(chǎn)品做出了各種各樣的努力，但是始終只能偏重某一方面...

2020-10-30 標簽：存儲器 MRAM 1.9k 0

串行MRAM芯片MR25H10MDCMDC的詳細介紹

MRAM像SRAM一樣是快速寫入的，而像Flash一樣也是非易失性的，但是不需要頁面擦除或長寫入周期。事件數(shù)據(jù)可以以總線速度保存到MRAM，并且即使意外...

2021-09-28 標簽：芯片存儲器 MRAM 1.9k 0

MRAM緩存可行性比SRAM更高

隨著制程邁向5nm甚至3nm，半導體工藝復雜性劇增導致高密度SRAM在先進技術節(jié)點處的縮小變得更為有限。為減少面積和能耗，STT-MRAM存儲器已成為替...

2020-05-26 標簽：存儲器 sram MRAM 1.8k 0

NETSOL串行MRAM產(chǎn)品介紹

STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護機制。SPl（串行外圍接口）是一個帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號的同步串...

2023-04-07 標簽：寄存器存儲器 SPI 1.8k 0

BV百度風投三輪加注，MRAM企業(yè)亙存科技再獲融資

亙存科技成立于2019年，是一家以mram技術為中心，致力于設計、開發(fā)和銷售相關產(chǎn)品的Fabless企業(yè)。總公司設在深圳，在上海、蘇州等地設有r&...

2023-09-20 標簽：半導體智能化 MRAM 1.7k 0

STT-MRAM存儲器具備無限耐久性

在 MRAM 這類內(nèi)存寫入時，組件的穿隧氧化層會承受的龐大電壓，使得數(shù)據(jù)的保存、寫入耐久性，以及寫入速度三者往往不可兼得，必須有所權衡。這意味著即使ST...

2021-12-11 標簽：存儲器 MRAM 1.7k 0

磁存儲器HS4MANSQ1A-DS1在電池管理系統(tǒng) (BMS)中的應用

2024-03-28 標簽：電池管理系統(tǒng)MRAM 國芯思辰 1.7k 0

非易失性存儲器MR20H40CDF概述及優(yōu)勢

Everspin MRAM是面向數(shù)據(jù)持久性和完整性、低延遲和安全性至關重要的市場和應用的翹楚。MR20H40CDF是位寬512Kx8的非易失性存儲器MR...

2021-08-18 標簽：芯片存儲器 MRAM 1.7k 0

eMRAM究竟是融合還是替代？

eMRAM屬于新型存儲技術，同目前占據(jù)市場主流的NAND閃存相比較，其具有更快的存取速度和更高的耐用性，在邊緣設備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯...

2020-04-07 標簽：NAND閃存 MRAM eMRAM 1.7k 0

并口MRAM存儲芯片MR4A16B的特性是怎樣的

MR4A16B是一個16，777，216位磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備，組織為1，048，576個16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35...

2021-03-19 標簽：芯片 MRAM 1.7k 0

28nm嵌入式磁阻式隨機存取內(nèi)存（MRAM）即將問世

在今年即將于美國加州舉行的國際電子組件會議（IEDM）上，來自三星（Samsung）、東芝（Toshiba）、海力士（SK Hynix）等公司的研究團隊...

2016-11-29 標簽：嵌入式 mems MRAM 1.7k 0

關于非易失性存儲器MRAM兩大優(yōu)點的介紹

新式存儲器技術隊伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技術、材料、設備等環(huán)節(jié)的關鍵突破，正邁向大規(guī)模量產(chǎn)的路上，眼前我們正處于見證存儲器歷史的轉折...

2020-06-30 標簽：存儲器 MRAM 1.7k 0

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Silicon Labs是由Nav Sooch、Dave Welland和Jeff Scott在1996年于美國德州奧斯汀 (Austin, Texas) 成立，專門開發(fā)世界級的混合信號器件。今天，公司已成為營運、銷售和設計活動遍及世界各地資本額約5億美元的上市跨國公司，并且在各種混合信號產(chǎn)品領域居于領先地位。
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全志科技是領先的智能應用處理器SoC和智能模擬芯片設計廠商。公司主要產(chǎn)品為多核智能終端應用處理器、智能電源管理芯片等。憑借卓越的研發(fā)團隊及技術實力，全志科技在超高清視頻編解碼、高性能CPU/GPU多核整合、先進工藝的高集成度、超低功耗等方面處于業(yè)界領先水平，是全球平板電腦、高清視頻、移動互聯(lián)網(wǎng)設備以及智能電源管理等市場領域的主流供應商之一。公司總部設于中國珠海。
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