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標簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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切換(或場驅(qū)動)MRAM包括大部分的獨立MRAM設(shè)備。然而切換MRAM的規(guī)模不足以取代大多數(shù)其他記憶。STT-MRAM產(chǎn)品將擴展到更高的密度,需要更低的...
MRAM與傳統(tǒng)的隨機存儲器的區(qū)別在于MRAM的信息攜帶者是磁性隧道結(jié)(MTJ ),而后者則是電荷。 每一個磁性隧道結(jié)包含一個固定層和一個自由層。固定層的...
MR10Q010是理想的存儲器解決方案,適用于必須使用少量引腳、低功耗和24引腳BGA或16引腳SOIC封裝快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用。Quad S...
MRAM技術(shù)再突破 工研院啟動全新內(nèi)存戰(zhàn)局(上)
在工研院即將進入歡慶40周年院慶之際,工研院電光所的研究團隊所開發(fā)出來的“垂直式自旋磁性內(nèi)存技術(shù)”榮獲杰出研究金牌獎,此技術(shù)乍看之下并不顯眼,但該內(nèi)存技...
?Everspin MRAM MR25H40VDF相比富士通FRAM MB85RS4MT的優(yōu)勢
Everspin是設(shè)計制造MRAM到市場和應(yīng)用的翹楚,在這些市場和應(yīng)用中,數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性是至關(guān)重要。MR25H40VDF是一個419...
?醫(yī)用呼吸機Everspin MRAM應(yīng)用筆記
由于當前疫情的大流行,增加醫(yī)用呼吸機的供應(yīng)迫在眉睫。Everspin Technologies提供了一種獨特的MRAM存儲技術(shù),它將為這類設(shè)備的電子系統(tǒng)...
2020-05-28 標簽:醫(yī)療器械醫(yī)療設(shè)備呼吸機 1.4k 0
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片,組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序,續(xù)航時間無限...
自旋傳遞扭矩RAM(STT-MRAM)有著出色的可擴展性和耐用性
自旋傳遞扭矩RAM(STT-MRAM)它結(jié)合了非易失性,出色的可擴展性和耐用性以及較低的功耗和快速的讀寫功能。 自旋傳遞轉(zhuǎn)矩(STT)寫入是一種通過對齊...
太空應(yīng)用中多功能性工業(yè)級Everspin 4Mbit MRAM
Everspin的合作伙伴CAES他們共同開發(fā)的Toggle MRAM在太空應(yīng)用中的多功能性和性能。CAES是太空存儲器市場的翹楚,并基于Everspi...
2020-05-14 標簽:航天應(yīng)用MRAM太空技術(shù) 1.4k 0
高密度MRAM未來將會取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備
高密度MRAM作為新興內(nèi)存的潛力取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備,通常使它已經(jīng)成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術(shù)的陰影。 對于Everspin而言...
?Everspin和Globalfoundries將其MRAM協(xié)議擴展到12nm工藝
MRAM是基于電子自旋而不是電荷的下一代存儲技術(shù)。MRAM通常被稱為存儲器的圣杯,具有快速,高密度和非易失性的特點,可以在單個芯片中替代當今使用的所有類...
FRAM存儲器技術(shù)和標準的CMOS制造工藝相互兼容
新型的存儲器既具有RAM的優(yōu)點,又有非失易失性特征,同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使...
xSPI STT-MRAM--EM064LX產(chǎn)品系列的主要優(yōu)勢
Everspin的xSPI STT-MRAM產(chǎn)品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性,并具有高速、低引腳數(shù)SPI兼容總線接口,時鐘頻率高達200MHz...
MRAM擁有著廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,它的優(yōu)異性能是什么
非易失性是指MRAM單元在關(guān)斷電源后仍可保持完整記億,功能雖與閃存類同,但本質(zhì)各異。 閃存的非易失性不是閃存的固有屬性,而是靠兩個閃存反相器交叉耦合組成...
新興的記憶已經(jīng)存在了數(shù)十年。盡管有些人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)嵌入式技術(shù)在商業(yè)上取得了一定程度的成功,但它們也落后于離散存儲器的高性價比替代方案。盡管具有更高的性能,耐...
用于工業(yè)應(yīng)用的Everspin MRAM
Everspin在磁存儲器設(shè)計,制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)...
MRAM是電池儲備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產(chǎn)品。Everspin MRAM高速非易失性存儲器,使用壽命幾乎無限。所具有的綜合性能是任何其他...
MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起,同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射,可以在極端溫度...
2020-04-08 標簽:MRAM 1.3k 0
關(guān)于MRAM與現(xiàn)行各類存儲器之間的比較
MRAM在讀寫方面可以實現(xiàn)高速化,這一點與靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)類似。由于磁體本質(zhì)上是抗輻射的﹐MRAM芯片本身還具有極高的可靠性,即MRAM本身可...
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