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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
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串行mram磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的工作原理與存儲(chǔ)機(jī)制
在存儲(chǔ)器技術(shù)不斷演進(jìn)的今天,MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的非易失性、高速讀寫(xiě)與高耐久性,正成為越來(lái)越多高端應(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇。尤其是串行MRAM磁性...
在嵌入式系統(tǒng)與工業(yè)控制領(lǐng)域,憑借數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的非易失性、高速讀寫(xiě)與長(zhǎng)期穩(wěn)定性,MRAM內(nèi)存芯片(磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)正逐步成為傳統(tǒng)SRAM和EEPROM的理...
Everspin EMD4E001G-1Gb自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM內(nèi)存芯片
作為自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM技術(shù)的先行者,Everspin推出的EMD4E001G芯片將MRAM容量提升至1Gb密度,為企業(yè)級(jí)SSD、計(jì)算存儲(chǔ)及網(wǎng)絡(luò)加速器提...
NETSOL MRAM芯片在工業(yè)機(jī)械中的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存
工業(yè)設(shè)備通常即使在惡劣的操作環(huán)境中,也需要防止數(shù)據(jù)丟失和長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)還必須保證在停電時(shí)快速安全地獲得備份。能夠充分執(zhí)行該作用的存儲(chǔ)器,在工業(yè)設(shè)備中...
國(guó)產(chǎn)高端存儲(chǔ)新選擇STT?MRAM高速可靠壽命長(zhǎng)上海矽朋微電子有限公司推出STT?MRAM系列芯片,具備高速讀寫(xiě)、非易失、高耐用等優(yōu)勢(shì),專(zhuān)為工業(yè)控制、通...
Everspin高性能串口mram芯片MR25H40CDCR
與傳統(tǒng)串行EEPROM或閃存不同,串口mram芯片MR25H40CDCR在讀寫(xiě)時(shí)序上完全兼容這些常見(jiàn)存儲(chǔ)器,但有一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)——沒(méi)有寫(xiě)入延遲。普通串行存...
串行外設(shè)接口MRAM存儲(chǔ)芯片MR25H128APDFR特征
在嵌入式系統(tǒng)、RAID控制器、服務(wù)器日志存儲(chǔ)等對(duì)引腳數(shù)量、功耗和空間有嚴(yán)格要求的場(chǎng)景中,選擇一款合適的非易失性存儲(chǔ)器往往決定了整個(gè)方案的穩(wěn)定性。MRAM...
2026-04-30 標(biāo)簽:存儲(chǔ)芯片MRAM串行外設(shè)接口 79 0
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