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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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作為一種磁性技術(shù),MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎,而且這些應(yīng)用對價格的敏感度也較低。它相對較大,在內(nèi)存領(lǐng)域,尺寸意味著成本。
Everspin Technologies,Inc是設(shè)計制造MRAMSTT-MRAM的翹楚,其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和可靠性。完整性,低延遲和安全...
256Mb ST-DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM的詳細(xì)介紹
Everspin公司型號EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存儲器,在DDR3速度下具...
具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML
加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最大 10...
2022-08-26 標(biāo)簽:存儲器Nand flashMRAM 1.2k 0
淺談非易失性MRAM在汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用分析
Everspin是設(shè)計制造和商業(yè)銷售MRAMSTT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者,其市場和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin在...
MRAM是一種以電阻為存儲方式結(jié)合非易失性及隨機(jī)訪問兩種特性,可以兼做內(nèi)存和硬盤的新型存儲介質(zhì)。寫入速度可達(dá)NAND閃存的數(shù)千倍,此外...
MRAM比較適用于具有簡歷播放功能的娛樂應(yīng)用程序
磁阻RAM(MRAM)是一種非易失性存儲技術(shù),可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用?;贛RAM...
三星半導(dǎo)體宣布,通過結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,實現(xiàn)了基于MRAM(磁阻式隨機(jī)存取存儲)的存儲內(nèi)運算(In-Memory Computing),進(jìn)一步拓展了三星下世代低功...
為嵌入式MRAM選擇合適的內(nèi)存測試和修復(fù)解決方案
嵌入式內(nèi)存測試和修復(fù)的挑戰(zhàn)是眾所周知的,包括最大程度地擴(kuò)大故障覆蓋范圍以防止測試失敗以及使用備用元件來最大程度地提高制造良率。隨著有前途的非易失性存儲器...
RAID系統(tǒng)中理想的Netsol MRAM存儲器
RAID控制卡的日志存儲器存放重要數(shù)據(jù),如日志和數(shù)據(jù)寫入完成、奇偶校驗寫入、錯誤日志等。在斷電的情況下,控制器查詢?nèi)罩緝?nèi)存,以了解從哪里開始恢復(fù)。
非易失性存儲器在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性
EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存儲器,在DDR3速度下具有非揮發(fā)性和高耐久性。該...
Everspin非易失性MRAM-MR0D08BMA45R的特征
MR0D08BMA45R是一款雙電源1Mbit的磁阻隨機(jī)存取存儲器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O電壓。提供SRAM兼容的45ns讀/...
everspin生態(tài)系統(tǒng)和制造工藝創(chuàng)新
Everspin與GlobalFoundries有著悠久的合作歷史,而且十多年來,通過不斷改進(jìn),對其工廠進(jìn)行微調(diào)優(yōu)化。能迅速積累并將這些經(jīng)驗傳授給Glo...
由于智能電表必須不斷記錄數(shù)據(jù),因此需要高耐久性的內(nèi)存。另外,OTA功能的加入,使得內(nèi)存的高效寫入速度更加關(guān)鍵。MRAM的應(yīng)用是最理想的存儲器,它能滿足智...
Everspin MRAM不影響系統(tǒng)性能下取代nvSRAM
nvSRAM使用傳統(tǒng)的捕獲電荷技術(shù)進(jìn)行非易失性存儲。由于溫度和過多的寫入周期會導(dǎo)致數(shù)據(jù)損耗,因此數(shù)據(jù)可能會泄漏。
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)...
Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言,是最為理想的存儲器。適用于工...
對于長期處于困境的MRAM行業(yè)來說,自旋注人方式可以說是一項能夠扭轉(zhuǎn)危機(jī)的革新技術(shù)。 MRAM轟轟烈烈地問世。但此后,MRAM在工藝發(fā)展和大容量方面并沒...
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