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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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三星計(jì)劃NAND閃存芯片每個(gè)季度漲價(jià)20%

三星采取此舉的目的很明確，希望通過(guò)此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng)，穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格，并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。

2023-11-03 標(biāo)簽：NAND SSD 閃存芯片 2.6k 0

美光全新176層堆疊閃存發(fā)布，可以輕松放入智能手機(jī)和存儲(chǔ)卡內(nèi)

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NA...

2020-11-10 標(biāo)簽：閃存 nand Intel 2.6k 0

NAND閃存的應(yīng)用中的磨損均衡

在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱(chēng)為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一...

2022-10-24 標(biāo)簽：閃存 NAND 2.6k 0

關(guān)于ClearNAND閃存的系統(tǒng)詳解

過(guò)去，ECC一直被用于提高NAND閃存子系統(tǒng)的整體數(shù)據(jù)可靠性。但是，隨著NAND單元不斷縮小，每個(gè)浮柵內(nèi)貯存的電子數(shù)量越來(lái)越少。因此，為彌補(bǔ)更小的存儲(chǔ)...

2018-06-15 標(biāo)簽：閃存 NAND 2.6k 0

美光推出176層QLC NAND SSD 移遠(yuǎn)通信5G智能模組榮獲AIoT新維獎(jiǎng)

美光科技公司宣布，它已開(kāi)始批量出貨全球首款176層QLC NAND SSD。美光的 176 層 QLC NAND 采用最先進(jìn)的 NAND 架構(gòu)構(gòu)建，可為...

2022-03-29 標(biāo)簽：NAND SSD 移遠(yuǎn)通信 2.6k 0

將以存儲(chǔ)器為例，對(duì)國(guó)內(nèi)芯片專(zhuān)利欠缺程度做一個(gè)探討

毫無(wú)疑問(wèn)，半導(dǎo)體行業(yè)是絕對(duì)的知識(shí)密集型行業(yè)。建議通過(guò)這篇報(bào)告感受下芯片行業(yè)的專(zhuān)利可怕之處：不做一顆芯片、純賣(mài)芯片設(shè)計(jì)IP的ARM，市值能高達(dá)400億美元...

2020-10-27 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 DRAM 2.6k 0

西數(shù)與三星的競(jìng)爭(zhēng)面臨生死關(guān)頭，為不讓三星存儲(chǔ)一家獨(dú)大尋求日本政府支持

西部數(shù)據(jù)再次呼吁日本政府對(duì)它與東芝的存儲(chǔ)芯片合資企業(yè)提供支持，因?yàn)樗谂c韓國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星的競(jìng)爭(zhēng)中面臨生死關(guān)頭。

2018-06-28 標(biāo)簽：NAND 三星電子存儲(chǔ) 2.6k 0

預(yù)估2019年上半年中國(guó)IC銷(xiāo)售收入仍將有6%的增長(zhǎng)

2019年上半年中國(guó)集成電路銷(xiāo)售收入預(yù)估將達(dá)到2890億元，同比增長(zhǎng)6%。其中：IC設(shè)計(jì)業(yè)1111.1億元，同比增長(zhǎng)9%；IC晶圓業(yè)820億元，同比增長(zhǎng)...

2019-07-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM IC 2.6k 0

NAND閃存芯片價(jià)格持續(xù)上漲，到Q3季度會(huì)有所轉(zhuǎn)變

SSD的價(jià)格最近這段時(shí)間一直都是在增長(zhǎng)，雖然漲勢(shì)很緩慢，但這個(gè)趨勢(shì)還將要持續(xù)一段時(shí)間，預(yù)計(jì)今年第三季度會(huì)有所改善。

2020-03-29 標(biāo)簽：芯片閃存 nand 2.6k 0

全球NAND Flash三季度閃存市場(chǎng)情況曝光

日前，TrendForce公布了三季度全球NAND Flash閃存市場(chǎng)的主要情況。

2020-11-27 標(biāo)簽：NAND intel 西部數(shù)據(jù) 2.6k 0

應(yīng)用材料公司發(fā)布電子束量測(cè)系統(tǒng)支持先進(jìn)邏輯芯片和內(nèi)存芯片圖形化新戰(zhàn)略

PROVision 3E系統(tǒng)包含多種技術(shù)特征，支持當(dāng)下最先進(jìn)設(shè)計(jì)所需的圖形化控制能力，包括3納米晶圓代工邏輯芯片、全環(huán)繞柵極晶體管以及下一代 DRAM和...

2021-10-19 標(biāo)簽：NAND 芯片設(shè)計(jì)晶體管 2.6k 0

首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)，填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白

位于武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠(chǎng)房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)...

2018-06-20 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器閃存芯片 2.6k 0

NAND加速邊緣計(jì)算場(chǎng)景化落地

日前，存儲(chǔ)器廠(chǎng)商美光宣布，其第五代3D?NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D?NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅...

2020-11-20 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器邊緣計(jì)算 2.6k 0

NAND 閃存平均售價(jià)在 2021 年全年都將持續(xù)下滑

12 月 15 日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，從 8 月份開(kāi)始，外媒在報(bào)道中就多次提到全球范圍內(nèi) NAND 閃存供應(yīng)過(guò)剩，價(jià)格將下滑，下滑的趨勢(shì)將持續(xù)到明年。...

2020-12-15 標(biāo)簽：閃存 NAND 2.6k 0

內(nèi)存瘋狂漲價(jià)背后的原因,擴(kuò)產(chǎn)后漲勢(shì)繼續(xù)

　我們看過(guò)很多關(guān)于存儲(chǔ)器價(jià)格暴漲的新聞，三家DRAM供應(yīng)商也都曾明確表示自己的態(tài)度。三星表示2018年DRAM產(chǎn)能增長(zhǎng)不會(huì)超過(guò)20%，需求量卻要增長(zhǎng)25...

2017-11-20 標(biāo)簽：dram nand 三星電子 2.6k 0

NAND閃存價(jià)格價(jià)格下跌不受控制，明年或?qū)⒃俚?0% ！

2016年下半年開(kāi)始了新一輪存儲(chǔ)芯片的旺季，DRAM內(nèi)存及NAND閃存的價(jià)格從那時(shí)候開(kāi)始瘋漲，今年已經(jīng)進(jìn)入第三個(gè)年頭了，不過(guò)情況也不一樣了DRAM內(nèi)存顆...

2018-10-31 標(biāo)簽：NAND 2.6k 0

FAT32文件系統(tǒng)詳細(xì)分析 (格式化SD nand/SD卡)

文章目錄FAT32文件系統(tǒng)詳細(xì)分析（續(xù)FAT文件系統(tǒng)詳解）1.前言2.格式化SDnand/SD卡3.FAT32文件系統(tǒng)分析3.1保留區(qū)分析3.1.1BP...

2023-10-18 標(biāo)簽：NAND SD卡 FAT32 2.6k 0

內(nèi)存市場(chǎng)也迎來(lái)了自己的一波漲價(jià)，預(yù)示著存儲(chǔ)器市場(chǎng)的又一輪火熱

美光的176層 NAND 技術(shù)，其支持的接口速度為1600MT/s（ONFi總線(xiàn)）,高于96層和128層閃存的1200MT/s,與96層 NAND 相比...

2021-03-30 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲(chǔ)器 2.6k 0

全球半導(dǎo)體變天！中國(guó)反超韓國(guó)位居全球第二

近日，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)評(píng)估與規(guī)劃研究院前瞻技術(shù)中心（KISTEP）發(fā)布的《全球半導(dǎo)體技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力評(píng)估報(bào)告》引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。報(bào)告顯示，中國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)已超越韓國(guó)...

2025-09-01 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 NAND 2.6k 0

美光、西數(shù)將NAND閃存價(jià)格再上調(diào)10%

據(jù)路透社報(bào)道，ASML 正在尋找其他氖氣供應(yīng)來(lái)源，以防俄羅斯和烏克蘭沖突導(dǎo)致供應(yīng)中斷。ASML 一位發(fā)言人于當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三表示，盡管烏克蘭是全球最大的氖氣...

2022-02-28 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 2.6k 0

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云儲(chǔ)存

云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
江波龍

江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長(zhǎng)鑫

合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
LPDDR4

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NOR flash

NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
nvme

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NVM Express（NVMe），或稱(chēng)非易失性?xún)?nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線(xiàn)傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲(chǔ)器

SRAM存儲(chǔ)器

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
福建晉華

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3D NAND Flash

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西數(shù)

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4K視頻

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東芝公司

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Arasan

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SQL Server

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手機(jī)內(nèi)存

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嵌入式閃存

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3DXPoint

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Intel公司

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存儲(chǔ)行業(yè)

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快閃存儲(chǔ)器

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nosql

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
云盤(pán)

云盤(pán)

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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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