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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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渠道、行業(yè)市場(chǎng)SSD最新報(bào)價(jià)

春節(jié)假期剛過(guò)，企業(yè)陸續(xù)開(kāi)始復(fù)產(chǎn)復(fù)工，然而本周市場(chǎng)仍然延續(xù)節(jié)前的“缺料”氛圍，尤其是近期接連發(fā)生的福島地震與德州停電導(dǎo)致三星、英飛凌、恩智浦、瑞薩電子等多...

2021-02-24 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 2.4k 0

紫光將在成都建設(shè)一個(gè)新的3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線

對(duì)于紫光來(lái)說(shuō)，在10月最大的一筆投資莫過(guò)于10月12日，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開(kāi)工。

2018-10-22 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器紫光 2.4k 0

3D NAND閃存已經(jīng)走了多遠(yuǎn)，未來(lái)會(huì)怎樣？

全球存儲(chǔ)市場(chǎng)對(duì)高密度 NAND 閃存的需求不斷增長(zhǎng)。目前，這一需求已通過(guò)許多發(fā)展得到滿足，不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制器的功能上，而且尤其是在過(guò)去十年中一直處...

2022-07-28 標(biāo)簽：閃存 NAND 2.4k 0

存儲(chǔ)廠旺宏：第1季度可望淡季不淡，ROM、NOR、NAND全線樂(lè)觀

存儲(chǔ)廠旺宏總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)表示，2020年表現(xiàn)不錯(cuò)，展望2021年，第1季度可望淡季不淡并維持全線全產(chǎn)能生產(chǎn)，且ROM、NOR Flash、NAND Fla...

2021-01-29 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)ROM 2.4k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布突破性技術(shù)，將大大提升3D NAND的性能

作為NAND行業(yè)的新晉者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱：長(zhǎng)江存儲(chǔ)）昨日公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶...

2018-08-13 標(biāo)簽：NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2.4k 0

SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND！

SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開(kāi)發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND...

2023-08-10 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 2.4k 0

SD NAND在STM32應(yīng)用上的保姆級(jí)教程

SDNAND與正點(diǎn)原子精英板的連接由于正點(diǎn)原子精英板沒(méi)有SDNAND接口，只有TF卡接口，所以SDNAND需要用到轉(zhuǎn)接板來(lái)連接。SDNAND正常運(yùn)行現(xiàn)象...

2023-10-27 標(biāo)簽：NAND STM32 SD 2.4k 0

MK SD NAND 1.8v IO電壓應(yīng)用分享

近日，有客戶詢問(wèn)MK的SD NAND產(chǎn)品是否可以支持1.8V?的IO電壓，原因是他們選擇的低功耗藍(lán)牙芯片，如阿波羅 Apollo 3.5或恒玄BES27...

2022-11-18 標(biāo)簽：mcu NAND 電壓 2.4k 0

Kioxia和Western Digital宣布第8代218層3D NAND閃存

傳統(tǒng)上，控制邏輯和單元邏輯是在一個(gè)晶圓上單片制造的。SK 海力士將其這種制造版本稱為 Peri Under Cell (PUC)，而 WD 和 Kiox...

2023-04-04 標(biāo)簽：閃存 NAND 3d nand 2.3k 0

國(guó)內(nèi)SSD價(jià)格已下跌到最低水位，NAND閃存價(jià)格后續(xù)有較大上漲空間

內(nèi)存、SSD固態(tài)盤這兩年的價(jià)格可謂跌宕起伏，誰(shuí)也無(wú)法準(zhǔn)確預(yù)料就接下來(lái)到底會(huì)怎么走，但總歸有些蛛絲馬跡的。

2020-08-27 標(biāo)簽：nand 電路板 ssd 2.3k 0

SEMI:全球半導(dǎo)體設(shè)備Q3銷售年增三成

半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）今天發(fā)布了半導(dǎo)體的全球銷售金額，據(jù)他們報(bào)道，2020年十月，全球半導(dǎo)體銷量達(dá)到了390億美元，同比增長(zhǎng)了6.0％。數(shù)據(jù)顯示，20...

2020-12-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IC NAND 2.3k 0

逐步走向工業(yè)存儲(chǔ)解決方案

　　因此，高級(jí)數(shù)據(jù)護(hù)理管理搜索獨(dú)立于應(yīng)用程序?qū)撛阱e(cuò)誤的請(qǐng)求（圖 3）。為此，所有寫(xiě)入的頁(yè)面，包括固件和 FTL 的分配表，都在后臺(tái)讀取并根據(jù)需要刷新。...

2022-08-17 標(biāo)簽：NAND SSD 2.3k 0

SK海力士欲將在NAND市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位

據(jù)報(bào)道，第三季度財(cái)報(bào)優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期的SK海力士計(jì)劃在五年內(nèi)將其NAND銷售額增加兩倍以上。SK海力士并再次強(qiáng)調(diào)，決心通過(guò)從英特爾手中收購(gòu)NAND業(yè)務(wù)，在N...

2020-11-05 標(biāo)簽：芯片英特爾 NAND 2.3k 0

創(chuàng)見(jiàn)推出兩款JetDrive系列SSD，以滿足不同產(chǎn)品的需求

創(chuàng)見(jiàn)推出了兩款JetDrive系列的固態(tài)硬盤，JetDrive 855和JetDrive 850，采用NVMe接口標(biāo)準(zhǔn)，PCIe Gen3.0x4高速接...

2018-08-14 標(biāo)簽：NAND SSD 2.3k 0

未來(lái)儲(chǔ)存器在中國(guó)會(huì)有怎么樣的發(fā)展？

在這個(gè)以數(shù)據(jù)信息為管理中心的時(shí)代，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已變成一個(gè)重要發(fā)展戰(zhàn)略銷售市場(chǎng)，它受到包含移動(dòng)化、云計(jì)算技術(shù)、人工智能技術(shù)（AI）和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)（IoT）以...

2021-04-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM NAND 2.3k 0

有哪些應(yīng)用領(lǐng)域推動(dòng)了3D NAND/SSD的需求增長(zhǎng)？

物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展導(dǎo)致無(wú)論消費(fèi)性電子、企業(yè)、工業(yè)、汽車市場(chǎng)對(duì)SSD的需求都急速攀升，為NAND Flash內(nèi)存、控制芯片、SSD模塊等供應(yīng)鏈業(yè)者帶來(lái)絕佳的成...

2018-07-06 標(biāo)簽：NAND SSD 2.3k 0

高畫(huà)質(zhì)時(shí)代來(lái)臨群聯(lián)推出世界首款SD Express卡

SD卡與microSD卡于消費(fèi)型市場(chǎng)的應(yīng)用已經(jīng)逐漸飽和，但是在工業(yè)應(yīng)用、數(shù)字監(jiān)控、醫(yī)療設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)、以及內(nèi)容創(chuàng)作者等市場(chǎng)正在蓬勃發(fā)展。

2021-02-24 標(biāo)簽：NAND SD卡 microSD卡 2.3k 0

英特爾發(fā)布NAND閃存芯片的SSD 710型號(hào)

英特爾今天宣布發(fā)布使用新型HET-MLC NAND閃存芯片的 SSD 710型號(hào)，MLC就是多層單元封裝，HET則代表著高耐久性技術(shù)(High Endu...

2011-09-15 標(biāo)簽：芯片英特爾閃存 2.3k 3

ROM、NOR Flash、NAND Flash及代工產(chǎn)品線均正向看待

盧志遠(yuǎn)指出8英寸晶圓產(chǎn)能短缺，近期的確很多客戶要求代工訂單，8英寸晶圓ASP價(jià)格達(dá)到業(yè)界平均水準(zhǔn)，但旺宏主營(yíng)業(yè)務(wù)是存儲(chǔ)產(chǎn)品，存儲(chǔ)晶圓毛利與利潤(rùn)并不會(huì)輸給...

2021-01-31 標(biāo)簽：NAND 晶圓 ROM 2.3k 0

SK海力士收購(gòu)英特爾NAND閃存和SSD業(yè)務(wù)案獲臺(tái)灣反壟斷部門批準(zhǔn)！

據(jù)悉，這是繼美國(guó)、歐盟和韓國(guó)之后, 該項(xiàng)目從主要反壟斷機(jī)構(gòu)取得的第四份批準(zhǔn)。此次獲得中國(guó)臺(tái)灣的批準(zhǔn)意味著該交易在主要相關(guān)國(guó)家和地區(qū)獲得積極進(jìn)展。SK海力...

2021-06-17 標(biāo)簽：英特爾 NAND SK海力士 2.3k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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