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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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用于3D TLC NAND的彈性糾錯(cuò)方案

　　3D TLC NAND 代表了存儲(chǔ)介質(zhì)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)，提供了更低的每比特成本和更小的占用空間。然而，為了使市場(chǎng)擴(kuò)展到嵌入式行業(yè)，該技術(shù)需要提供一套可持續(xù)的...

2022-06-10 標(biāo)簽：控制器 NAND SSD 2.5k 0

群聯(lián)電子潘健成：NAND Flash市場(chǎng)幾乎接近底部，9月PCIe SSD和工規(guī)控制芯片出貨量高增長(zhǎng)

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2022-10-08 標(biāo)簽：Nand PCI 群聯(lián) 2.5k 0

在2018年全球半導(dǎo)體廠商收入表現(xiàn)中存儲(chǔ)芯片總營(yíng)收的占比逐漸提升

從市場(chǎng)研究公司Gartner發(fā)布的2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)初步報(bào)告的數(shù)據(jù)顯示，全球半導(dǎo)體廠商2018年?duì)I收達(dá)到了4767億美元，與2017年同比增長(zhǎng)13...

2019-01-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 存儲(chǔ) 2.5k 0

佰維存儲(chǔ)SS321系列SSD產(chǎn)品特點(diǎn)介紹

隨著國(guó)家“東數(shù)西算”工程的啟動(dòng)，數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)需求將大量釋放，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌企業(yè)迎來(lái)了巨大的發(fā)展機(jī)遇。在這樣的情況下，佰維存儲(chǔ)針對(duì)服務(wù)器系統(tǒng)盤(pán)應(yīng)用，推出了...

2022-04-29 標(biāo)簽：NAND 服務(wù)器 SSD 2.5k 0

三星在半導(dǎo)體打下的江山會(huì)被撼動(dòng)?

去年十月，三星前任會(huì)長(zhǎng)李健熙的去世在一定程度上影響了三星。不久前，三星電子副會(huì)長(zhǎng)、三星集團(tuán)實(shí)際掌門(mén)人李在镕因行賄而獲刑，當(dāng)庭被捕，再次影響了三星的股價(jià)。...

2021-01-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 三星電子 2.5k 0

日韓的芯片企業(yè)在華為受限后成為大贏家

近日市調(diào)機(jī)構(gòu)IC insights給出的數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)2019年日本、韓國(guó)的芯片企業(yè)應(yīng)收大幅增長(zhǎng)，而美國(guó)幾家芯片企業(yè)的營(yíng)收出現(xiàn)下滑，顯示出日韓的企業(yè)在華...

2020-11-27 標(biāo)簽：芯片 NAND 華為 2.5k 0

閃迪宣布投產(chǎn)新工藝的NAND閃存芯片

SanDisk（閃迪）宣布，已于去年底開(kāi)始投產(chǎn)19nm新工藝的NAND閃存芯片，并對(duì)此工藝所能帶來(lái)的更好性能、更低成本寄予厚望。

2020-07-24 標(biāo)簽：NAND 閃存芯片閃迪 2.5k 0

閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2021年下半年才會(huì)復(fù)蘇

雙11期間，SSD硬盤(pán)有不少好價(jià)出現(xiàn)，大家買了沒(méi)？閃存市場(chǎng)的趨勢(shì)差不多了，今年還會(huì)繼續(xù)跌，廠商期盼的漲價(jià)要到2021年下半年才能出現(xiàn)。SSD主控大廠SM...

2020-11-09 標(biāo)簽：閃存 NAND SSD 2.5k 0

3D NAND FLASH將會(huì)是我國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展的一個(gè)突破口

存儲(chǔ)器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對(duì)電子產(chǎn)品而言，存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)...

2018-11-06 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 2.5k 0

全球LED整體需求將觸底反彈，2021年產(chǎn)值或達(dá)157億美元

12月22日，據(jù)TrendForce旗下半導(dǎo)體研究處的最新報(bào)告，受限于上游臺(tái)積電與聯(lián)電等晶圓代工廠產(chǎn)能滿載，及下游封測(cè)產(chǎn)能緊缺，包含Phison與Sil...

2021-01-04 標(biāo)簽：led 控制器 nand 2.5k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)正加速轉(zhuǎn)向國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備

面對(duì)國(guó)際環(huán)境的變化，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展現(xiàn)出強(qiáng)大的韌性與決心。自2022年美國(guó)實(shí)施對(duì)華先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備出口限制，并將3D NAND Flash領(lǐng)軍企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)...

2024-09-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2.5k 0

新型存儲(chǔ)技術(shù)：未來(lái)方向研究及思考

ReRAM(Resistive RAM)通過(guò)在上下電極間施加不同的電壓，控制Cell內(nèi)部導(dǎo)電絲的形成和熔斷的狀態(tài)對(duì)外呈現(xiàn)不同的阻抗(憶阻器)值來(lái)表示數(shù)據(jù)...

2023-01-17 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)技術(shù) 2.5k 0

SD NAND、SPI NAND和Raw NAND的比較

SDNAND、SPINAND和RawNANDSDNANDSPINANDRawNAND接口SD/SPISPI并口ecc有有部分有壞塊管理有————磨損平均...

2023-08-28 標(biāo)簽：NAND SD 測(cè)試座 2.5k 0

3D NAND技術(shù)的轉(zhuǎn)換促進(jìn)產(chǎn)業(yè)洗牌戰(zhàn) 三星/英特爾/東芝各有應(yīng)對(duì)招數(shù)

NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后，正式轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash時(shí)代，目前三星電子（Samsung Elec...

2018-12-03 標(biāo)簽：英特爾 NAND 三星電子 2.4k 0

預(yù)計(jì)今年全球芯片制造商將削減生產(chǎn)設(shè)施投資額，進(jìn)而提振內(nèi)存價(jià)格

　　根據(jù)市場(chǎng)研究公司Omdia最新的一份報(bào)告顯示，全球?qū)RAM生產(chǎn)設(shè)施的投資額預(yù)計(jì)將較上年同期減少13.3%，至178億美元；NAND閃存方面投資將達(dá)...

2020-05-08 標(biāo)簽：芯片 dram nand 2.4k 0

e絡(luò)盟新增美光科技世界級(jí)內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案，進(jìn)一步擴(kuò)充半導(dǎo)體產(chǎn)品陣營(yíng)

美光系列產(chǎn)品廣泛適用于各類市場(chǎng)，如消費(fèi)電子產(chǎn)品、移動(dòng)通信、汽車、工業(yè)設(shè)計(jì)和數(shù)據(jù)中心，以及個(gè)人計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器應(yīng)用。

2021-04-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 服務(wù)器 2.4k 0

車規(guī)級(jí)NAND主要廠商梳理

1.三星市場(chǎng)份額：33.5%主要產(chǎn)品：eMMC5.1/5.0、UFS4.0/3.1、SSD主要進(jìn)展：UFS3.1覆蓋128-512GB，均已量產(chǎn)出貨5月...

2022-12-07 標(biāo)簽：NAND 2.4k 0

計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍：長(zhǎng)江存儲(chǔ)辟謠

日經(jīng)亞洲評(píng)論日前報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍，并開(kāi)始率先生產(chǎn)192層3D NAND閃存。對(duì)此消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布公告指出，近日發(fā)現(xiàn)個(gè)別境外媒體...

2021-01-14 標(biāo)簽：NAND 3D 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2.4k 0

2017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的853億美元

IC Insights預(yù)計(jì)2017年存儲(chǔ)器價(jià)格還將上漲，從而推動(dòng)全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的853億美元，同比增長(zhǎng)10%。該機(jī)構(gòu)同時(shí)認(rèn)為，今后幾年存儲(chǔ)...

2016-12-24 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)器 2.4k 0

針對(duì)3D Xpoint芯片，Intel和美光再次進(jìn)行合作

出于對(duì)數(shù)字存儲(chǔ)市場(chǎng)前景的看好，Intel在2005年和美光合資成立IM公司，用于NAND閃存芯片的研發(fā)和生產(chǎn)，不過(guò)，兩家公司均獨(dú)立銷售自家牌子產(chǎn)品。

2020-03-17 標(biāo)簽：芯片 nand intel 2.4k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤(pán)是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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