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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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淺談受存儲芯片價格暴跌影響的主要幾個方面

存儲芯片因供需失衡，今年以來價格延續(xù)下跌趨勢且久未見底。而近日三星、海力士發(fā)布的財報顯示，存儲芯片業(yè)務(wù)大幅下滑，使得不同調(diào)研機構(gòu)對行業(yè)給予悲觀預期。

2023-02-08 標簽：DRAM NAND 存儲器 2.1k 0

「復享光學」3D NAND多層薄膜量測的新思路

據(jù)知名半導體和微電子情報提供商TechInsights報道，長江存儲的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士...

2022-12-05 標簽：半導體 NAND 3D 2.1k 0

沁恒 CH32V208 開發(fā)板免費試用+ U盤/ SD NAND讀寫與多功能數(shù)碼相框

CH32V208繼承了沁恆產(chǎn)品一貫的傳統(tǒng)，即U盤的讀寫功能。這使得盡管CH32V208的閃存要比CH32V307的小一倍，但有了U盤讀寫功能的支持就可有...

2023-11-10 標簽：NAND 存儲 STM32 2.1k 0

為什么芯片大廠都將接口IP作為打造安全SoC著力點呢？

當前，我們正處于一個數(shù)據(jù)大爆炸的時代。IDC數(shù)據(jù)顯示，全球數(shù)據(jù)量自2022至2026五年時間里將增長一倍以上，僅中國的數(shù)據(jù)量就將達到56.16ZB，年復...

2023-05-10 標簽：DRAM NAND 協(xié)處理器 2.1k 0

西部數(shù)據(jù)：幾乎所有晶圓廠的設(shè)備都恢復正常運營

西部數(shù)據(jù)公司周三表示，西部數(shù)據(jù)（Western Digital）及其制造合作伙伴東芝存儲公司（TMC）已成功恢復其日本四日市運營園區(qū)幾乎所有聯(lián)合生產(chǎn)線的...

2019-08-06 標簽：NAND 晶圓西部數(shù)據(jù) 2k 0

慧榮科技推出單芯片高性價比可攜式SSD硬盤主控芯片

慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示：“專業(yè)用戶隨時需要依靠高速可攜式存儲設(shè)備來存取他們的數(shù)據(jù)。與可攜式HDD硬盤相比，可攜式SSD硬盤受到高單價和低容量的限制。我...

2019-05-31 標簽：NAND usb SSD 2k 0

業(yè)界首款最高速NAND Flash，華邦電欲進軍車用存儲器市場

存儲器大廠華邦電（2344）積極搶攻車用存儲器市場，發(fā)表業(yè)界首款最高速度的車用序列式NAND Flash（Serial NAND），在四線序列周邊介面...

2018-06-21 標簽：NAND 存儲器華邦電 2k 0

明年首季NAND Flash供過于求態(tài)勢將更加明顯

根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下半導體研究處指出，2021年NAND Flash各類產(chǎn)品總需求位元數(shù)包含Client SSD（31%）、Enterp...

2020-12-15 標簽：半導體 DRAM NAND 2k 0

江波龍發(fā)布2xnm SLC NAND Flash

在近期于深圳舉行的ELEXCON 2024國際電子展上，江波龍電子以創(chuàng)新姿態(tài)亮相，首次提出了PTM（存儲產(chǎn)品技術(shù)制造）這一前沿商業(yè)模式。該模式深度融合了...

2024-09-10 標簽：NAND FlaSh 江波龍 2k 0

NAND價格走勢平穩(wěn)，“疫情”影響擴大，海外需求也“涼”了！

NAND Flash市場價格穩(wěn)定在高位，主要是因為原廠NAND Flash Wafer晶圓供應(yīng)一直短缺，尤其“疫情”向全球蔓延，導致國際物流延遲。

2020-03-11 標簽：NAND 三星電子 LG 2k 0

SD NAND?可靠性驗證測試

SDNAND可靠性驗證測試的重要性SDNAND可靠性驗證測試至關(guān)重要。通過檢驗數(shù)據(jù)完整性、設(shè)備壽命、性能穩(wěn)定性，確保產(chǎn)品符合標準，可提高產(chǎn)品的可信度、提...

2023-12-14 標簽：測試 NAND 工業(yè) 2k 0

DDR5實現(xiàn)大幅增長美光計劃明年初大量出貨HBM3E

預計2023年第4季度移動DRAM的合約價格將上漲13-18%，而eMMC和UFS NAND Flash的合約價格將上漲約10-15%。這種上漲趨勢預計...

2023-11-24 標簽：DRAM NAND HBM 2k 0

SK海力士加速NAND研發(fā)，400+層閃存量產(chǎn)在即

韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術(shù)的革新，據(jù)韓媒最新報道，該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準備工作，并預...

2024-08-02 標簽：半導體閃存 NAND 2k 0

2019年平均DRAM價格將同比下降15％至20％

近日，統(tǒng)計機構(gòu)DRAMeXchange統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，由于一些原因，2019年平均DRAM價格將同比下降15％至20％。

2018-10-15 標簽：DRAM NAND 內(nèi)存 2k 0

SK海力士321層4D NAND的誕生

SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，在NAN...

2025-07-10 標簽：閃存 NAND 存儲器 2k 0

戈埃爾科技：手機外殼點膠加工注意的事項

手機外殼點膠加工是在用戶對消費電子產(chǎn)品的要求越來越高的情況下，產(chǎn)生并發(fā)展起來的。尤其是體現(xiàn)在智能手機行業(yè)的發(fā)展上面。封裝設(shè)備在手機外殼點膠加工方面所起到...

2020-05-22 標簽：NAND FIP 2k 0

SK海力士首發(fā)Gen5 NVMe固態(tài)硬盤

該產(chǎn)品與 Gold P31、Platinum P41 共同使用了海力士自主研發(fā)的 SSD 主控，然而獨特之處在于其搭載了 PCIe Gen5 技術(shù)及 2...

2024-03-20 標簽：NAND SSD SK海力士 2k 0

長江儲存發(fā)布其突破性技術(shù)Xtacking，有望大幅提升NAND I／O速度

8月8日消息根據(jù)長江儲存的官方消息，長江存儲科技有限責任公司今天公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking，該技術(shù)將有望大幅提升NAND I／O速度到3...

2018-08-09 標簽：NAND 長江儲存 2k 0

長江存儲64層閃存已量產(chǎn) 預計會有更多的儲存產(chǎn)品用上國產(chǎn)芯片

長江存儲科技有限責任公司副董事長楊道虹表示，國家存儲器基地項目經(jīng)過 3 年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開發(fā)的 64 層三維閃存產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)。

2020-01-16 標簽：閃存 NAND 存儲 2k 0

OR Flash的需求加劇華邦電和旺宏商議第2季報價漲幅達兩成左右

智能手機需求暢旺，加上PC、NB以及TWS（真無線藍牙）等市場持續(xù)成長，NOR Flash（編碼型快閃存儲器）自去年下半年開始從吃緊到供不應(yīng)求，華邦電和...

2021-02-26 標簽：半導體 NAND 快閃存儲器 2k 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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