供過于求 導(dǎo)致內(nèi)存顆粒價(jià)格不斷下滑

從用戶端來看，消費(fèi)者無一不鐘愛持續(xù)走低的產(chǎn)品，尤其是芯片類產(chǎn)品，可能說到電子產(chǎn)品大家就會(huì)認(rèn)為價(jià)格一定會(huì)隨著時(shí)間的推移直線走低，但芯片類產(chǎn)品并非如此，其會(huì)...

2019-05-31 標(biāo)簽：NAND內(nèi)存 2.2k 0

全球NAND閃存市場(chǎng)，價(jià)格一路狂飆！

目前閃存市場(chǎng)老大依然是三星，市場(chǎng)份額35.4%，今年Q1營(yíng)收42.156億美元，西數(shù)、東芝、美光、SK Hynix、Intel緊隨其后，市場(chǎng)份額分別是1...

2017-06-11 標(biāo)簽：東芝nandssd 2.2k 0

旺宏預(yù)計(jì)2019年量產(chǎn)3D NAND，并進(jìn)軍SSD市場(chǎng)

非揮發(fā)性存儲(chǔ)器廠旺宏董事長(zhǎng)吳敏求今日透露，該公司已切入3D NAND Flash開發(fā)，預(yù)計(jì)2018年或2019年量產(chǎn)，并進(jìn)軍固態(tài)硬盤（SSD）市場(chǎng)。

2018-09-17 標(biāo)簽：NANDSSD旺宏 2.2k 0

泛林集團(tuán)推出第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cyro 3.0

半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)泛林集團(tuán)（Lam Research）近日震撼發(fā)布其專為3D NAND Flash存儲(chǔ)器制造設(shè)計(jì)的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)——Lam Cr...

2024-08-02 標(biāo)簽：NAND3DLam 2.2k 0

NOR閃存的競(jìng)爭(zhēng)已走向高端，廠商需在不斷加強(qiáng)創(chuàng)新

NOR 閃存具備隨機(jī)存儲(chǔ)、可靠性強(qiáng)、讀取速度快等特性，雖然前幾年被NAND擠壓市場(chǎng)容量趨緩，但近年來自動(dòng)駕駛、物聯(lián)網(wǎng)、5G等新興產(chǎn)業(yè)的涌現(xiàn)，使得NOR ...

2018-06-11 標(biāo)簽：nor閃存nand物聯(lián)網(wǎng) 2.2k 0

致態(tài)TiPro7000 SSD的實(shí)際性能怎么樣

隨著6月份額度見底，學(xué)生們熱情洋溢的暑假生活即將到來，為了迎接游戲王們的光臨，各大廠商都開啟了不同程度的夏促活動(dòng)，從6月18日開始到7月8日，Steam...

2022-06-21 標(biāo)簽：NAND游戲SSD 2.2k 0

日本電子產(chǎn)業(yè)“震化論”：半導(dǎo)體各產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

　　2011年，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到地震與海嘯的嚴(yán)重破壞。在日本311地震一周年之際，IHS iSuppli的分析師針對(duì)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀撰寫了系列分析...

2012-03-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NANDMEMS 2.2k 0

中國(guó)芯國(guó)產(chǎn)進(jìn)程加速 刺激了NAND Flash和DRAM戰(zhàn)略布局速度的加快

12 月 9 日訊，2020 年 SK 海力士將進(jìn)行一系列的人事調(diào)動(dòng)和業(yè)務(wù)重組，為實(shí)現(xiàn)從開發(fā)、制造，以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理，會(huì)將 DRAM 和 ...

2019-12-10 標(biāo)簽：DRAMNAND 2.2k 0

泛林集團(tuán)推出第三代低溫電介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cryo 3.0，助力3D NAND邁向千層新紀(jì)元

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，美國(guó)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商泛林集團(tuán)（Lam Research）再次引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新，正式推出其經(jīng)過嚴(yán)格生產(chǎn)驗(yàn)證的第三代低溫電介質(zhì)...

2024-08-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND泛林集團(tuán) 2.2k 0

三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報(bào)價(jià) 漲幅為15%

據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand...

2023-08-02 標(biāo)簽：閃存NAND三星 2.2k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片 閃存市場(chǎng)將迎來一波沖擊

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無疑又將帶...

2019-04-01 標(biāo)簽：閃存NAND存儲(chǔ) 2.2k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 64 層 3D NAND 打入華為 Mate 40 供應(yīng)鏈

IT之家 11 月 20 日消息 2020 年北京微電子國(guó)際研討會(huì)暨 IC WORLD 學(xué)術(shù)會(huì)議本周在京舉行，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席執(zhí)行官楊士寧出席發(fā)表講話。 楊...

2020-11-20 標(biāo)簽：NAND華為供應(yīng)鏈 2.2k 0

阿里平頭哥發(fā)布首顆SSD主控芯片：鎮(zhèn)岳510

鎮(zhèn)岳510芯片使用pcie 5.0x4接口、nvme1.4b規(guī)格、zns接口協(xié)議、16個(gè)高速nand通道，支持大容量、高帶寬。支持1xxl/2xxl t...

2023-11-02 標(biāo)簽：芯片NAND平頭哥 2.2k 0

三星內(nèi)存的DRAM和NAND路線圖解析

這家全球最大的內(nèi)存芯片制造商和智能手機(jī)生產(chǎn)商周五估計(jì)，截至 9 月底的三個(gè)月營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為 108 億韓元（77 億美元），同比下降 32%。

2022-10-26 標(biāo)簽：DRAMNAND三星 2.2k 0

東芯半導(dǎo)體榮獲2025年度硬核存儲(chǔ)類產(chǎn)品獎(jiǎng)

2025年9月11日，由業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體電子信息媒體芯師爺舉辦的第七屆“芯師爺-硬核芯年度評(píng)選活動(dòng)”順利舉行，活動(dòng)匯聚了百余家中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的知名企業(yè)、...

2025-09-12 標(biāo)簽：NANDFlaSh存儲(chǔ)芯片 2.2k 0

Q1急速英特爾存儲(chǔ)業(yè)務(wù)銷售額同比增長(zhǎng)46%，傲騰持久內(nèi)存將大有作為

當(dāng)今世界正在以驚人的速度產(chǎn)生數(shù)據(jù)，從這些數(shù)據(jù)中獲取價(jià)值的能力將是決定成敗的關(guān)鍵?；诖?，英特爾公司的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向“以數(shù)據(jù)為中心”，構(gòu)建了以數(shù)據(jù)為中心的“三駕...

2020-06-22 標(biāo)簽：英特爾nandssd 2.2k 0