西部數(shù)據(jù)公司推出兩款NVMeTM SSD新系列產(chǎn)品

基于長久夯實的、垂直集成的內(nèi)部架構(gòu)和96L 3D TLC NAND，新型Ultrastar? NVMe? SSD由此構(gòu)建而成，為性能和效率設(shè)立了新的標(biāo)桿...

2019-08-12 標(biāo)簽：NANDSSD數(shù)據(jù)中心 2.2k 0

NAND Flash市場供貨量增加，綜合價格指數(shù)已累計下滑28%

隨著Flash各家原廠紛紛升級到64層3D NAND技術(shù)量產(chǎn)256Gb或512Gb單顆Die，以及提高新工廠的產(chǎn)出量，2018年三星將全面向3D NAN...

2018-08-22 標(biāo)簽：NANDSSD 2.1k 0

存儲芯片行業(yè)至暗時刻：千載難逢的投資機遇

這場前所未有的危機不僅使得業(yè)界領(lǐng)軍企業(yè)SK海力士和美光科技(MU.US)的現(xiàn)金流失殆盡，還動搖了其供應(yīng)商的穩(wěn)定性，打擊了依賴科技出口的亞洲經(jīng)濟體，并迫使...

2023-02-02 標(biāo)簽：NAND存儲芯片供應(yīng)鏈 2.1k 0

宜鼎推出獨家研發(fā)的iSLC NAND閃存，性能高壽命長

隨著SSD固態(tài)硬盤的推廣普及，它高速、低能耗、低噪音的優(yōu)勢的確深受眾多消費市場喜愛，但對于追求高可靠性和高經(jīng)濟投入效益平衡的企業(yè)級用戶而言，SSD這個產(chǎn)...

2018-07-26 標(biāo)簽：閃存NANDSSD 2.1k 0

SCM與NAND相比較，它的優(yōu)勢是什么

存儲級存儲器SCM能夠如同NAND閃存一樣保留其內(nèi)容的能力，也能有像DRAM一樣的的速度，這使得它最終將取代閃存作為首選的高速存儲介質(zhì)。

2019-11-24 標(biāo)簽：NANDSCM 2.1k 0

7 月 DRAM 、 NAND 價格繼續(xù)上漲，最高漲幅 7.89%

據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心DRAMeXchang近日發(fā)布了今年 7 月存儲芯片市場價格統(tǒng)計信息。結(jié)果顯示，7 月以來全球內(nèi)存芯片價格環(huán)比小幅上漲，其中電腦...

2021-08-01 標(biāo)簽：DRAMNAND 2.1k 0

STM32MP1模塊滿足3種不同的電源需求

　　Markus 強調(diào)工作中的字節(jié)超出了硬件。因此，使用 STM32MP1 模塊的開發(fā)人員可以專注于高級 API 來控制硬件，例如更改亮度或修改 PWM 設(shè)置。

2022-05-13 標(biāo)簽：NAND服務(wù)器STM32 2.1k 0

深圳嘉合勁威電子科技C輪融資超2億元，實力雄厚?

深圳市嘉合勁威電子科技有限公司于2012年創(chuàng)立，主要從事DRAM及NAND Flash存儲器設(shè)計、研發(fā)、制造、銷售等業(yè)務(wù)。同時，也致力于提供各類型消費者...

2023-12-25 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲器 2.1k 0

采用第九代QLC NAND的美光2600 NVMe SSD介紹

美光一直在QLC市場占有優(yōu)勢，采用美光G9 QLC NAND的美光2600 SSD再次鞏固了這一優(yōu)勢地位。

2025-08-05 標(biāo)簽：NAND存儲SSD 2.1k 0

美光即將量產(chǎn)第四代3D NAND存儲器 層數(shù)達到128層

美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開...

2020-04-02 標(biāo)簽：NAND存儲器美光 2.1k 0

三星NAND擬進一步漲價，明年一、二季度將逐季調(diào)漲20%

這是國內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)界多名消息人士透露的。據(jù)悉，三星繼本季度將nand閃存價格上調(diào)10%至20%后，還決定明年第1、2季度也按季度上調(diào)20%。這是為了穩(wěn)定n...

2023-11-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存NAND 2.1k 0

三星其第五代V-NAND存儲芯片開始量產(chǎn)，存儲市場將迎來大容量需求爆發(fā)

三星終于宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND存儲芯片，聲稱其堆疊層數(shù)超過90層，可能指的是其96層，制造生產(chǎn)率可提高30%以上。三星新的V-NAND...

2018-07-12 標(biāo)簽：NAND三星電子存儲 2.1k 0

NAND Flash雖然價格一直下跌，但未來市場前景良好

據(jù)報道，經(jīng)過長達一年半時間的猛漲后，部分內(nèi)存芯片的價格突然下跌，之后韓國三星電子發(fā)布令人失望的2017年盈利預(yù)估，讓那些押注芯片繁榮還會至少持續(xù)一年的...

2018-07-06 標(biāo)簽：NAND內(nèi)存 2.1k 0

NAND閃存價格已經(jīng)回到可控范圍內(nèi)

SSD主控大廠SMI慧榮總經(jīng)理茍嘉章日前表示，NAND閃存價格已經(jīng)回到可控范圍內(nèi)，預(yù)計Q4現(xiàn)貨價頂多下滑4-5%。

2020-11-08 標(biāo)簽：NANDSSD數(shù)據(jù)中心 2.1k 0

初創(chuàng)公司的新X-NAND技術(shù)在芯片級別提高了并行度

在2020年閃存峰會上，一家名為Neo Semiconductor的初創(chuàng)公司因其在閃存方面的創(chuàng)新而獲得了 最佳展示獎 。該公司表示它可以描述被稱為X-N...

2020-11-23 標(biāo)簽：芯片NAND存儲器 2.1k 0