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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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紫光宏茂微電子宣布成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3DNAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)

1月7日，紫光集團(tuán)官方微信公眾號(hào)發(fā)文，宣布旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司宣布成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)。

2019-01-09 標(biāo)簽：芯片 NAND 紫光 8.1k 0

三星加速開(kāi)發(fā)160層或更高的超高堆疊NAND 三星電子展示5G毫米波最快下載速度

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2020-04-18 標(biāo)簽：NAND 三星電子 5G毫米波 8.1k 0

DRAM連漲之后持續(xù)下跌各大廠商已做好準(zhǔn)備

全球DRAM市場(chǎng)上，三星一家獨(dú)大，接著是SK Hynix及美光，這三家的DRAM份額占到了全球95％左右，而華亞科被美光全資收購(gòu)之后，Nanya南亞科技...

2018-12-10 標(biāo)簽：DRAM NAND 內(nèi)存 8k 0

ROM分為幾類(lèi) 有什么區(qū)別

存儲(chǔ)器分為兩大類(lèi)：RAM和ROM，RAM就不講了，主要討論ROM。 ROM最初是不能編程的，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來(lái)出現(xiàn)了PROM，可...

2020-12-22 標(biāo)簽：NAND FlaSh EEPROM 8k 0

NAND閃存市場(chǎng)或今年冬天迎來(lái)“春風(fēng)”

三星電子和SK海力士已經(jīng)將閃存芯片的堆疊層數(shù)增加至100層以上，并以此作為提高半導(dǎo)體收益的重要武器。最近，主要的智能手機(jī)制造商正在擴(kuò)大高容量旗艦手機(jī)的產(chǎn)...

2019-08-16 標(biāo)簽：閃存 NAND 三星電子 8k 0

英特爾想要盡快壓制三星，用這些新戰(zhàn)略試試看？

作者/Sang-Yun Lee, CEO, BeSang Inc. 英特爾自從1992年以來(lái)首次在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入中失去第一名，需要新的策略來(lái)縮小差距或超...

2018-03-22 標(biāo)簽：英特爾 DRAM NAND 7.9k 0

預(yù)計(jì)2020年中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將突破3000億元

在國(guó)家大力支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大背景下，中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器基地于2016年開(kāi)工建設(shè)。半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展推動(dòng)中國(guó)存儲(chǔ)芯片應(yīng)用場(chǎng)景不斷拓寬。當(dāng)前中國(guó)存儲(chǔ)芯片在...

2021-02-04 標(biāo)簽：芯片 nand 存儲(chǔ) 7.8k 0

SK海力士預(yù)測(cè)未來(lái)的存儲(chǔ)工藝發(fā)展

? ? ? ?在最近的IEEE國(guó)際可靠性物理研討會(huì)上，SK海力士分享了其近期和未來(lái)的技術(shù)目標(biāo)愿景。SK海力士認(rèn)為，通過(guò)將層數(shù)增加到600層以上，可以繼續(xù)...

2021-03-29 標(biāo)簽：DRAM NAND 光刻機(jī) 7.8k 0

IC Insights發(fā)表2019~2023全球晶圓產(chǎn)能報(bào)告

全球晶圓廠自2013年P(guān)roMOS關(guān)閉兩座晶圓廠后，造成當(dāng)年12英寸廠數(shù)量減少，從那以后每年12英寸晶圓廠都持續(xù)增加。從2008年開(kāi)始，12英寸晶圓廠開(kāi)...

2019-04-04 標(biāo)簽：閃存 NAND 晶圓廠 7.7k 0

NAND價(jià)格下滑，終端市場(chǎng)疲軟 2019存儲(chǔ)原廠如何布局？

繼NAND Flash度過(guò)了兩年的蜜月期后，2018年NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格迎來(lái)大幅度下滑。而存儲(chǔ)原廠為維穩(wěn)價(jià)格而獲得高營(yíng)收或盈利能力，針對(duì)201...

2019-01-16 標(biāo)簽：閃存 NAND 3D 7.7k 0

淺談3D NAND Flash技術(shù)未來(lái)的走向及發(fā)展趨勢(shì)

2020年5月17日-20日舉行了在線IMW（International Memory Workshop），筆者自2018年起已經(jīng)連續(xù)三年參加IMW會(huì)議...

2020-07-30 標(biāo)簽：NAND 3D FlaSh 7.7k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)趕超將為NAND Flash市場(chǎng)帶來(lái)新變量

2018年全球NAND Flash價(jià)格一路走跌，由于市場(chǎng)需求增長(zhǎng)平緩，業(yè)者預(yù)期下半年將延續(xù)跌勢(shì)，隨著國(guó)際NAND Flash大廠紛紛加碼投資次時(shí)代技術(shù)堆...

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如何解決固態(tài)硬盤(pán)的散熱問(wèn)題

人工智能、自動(dòng)駕駛，數(shù)據(jù)中心和企業(yè)等應(yīng)用場(chǎng)景都在不斷推動(dòng)對(duì)內(nèi)存、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理能力的需求。固態(tài)硬盤(pán)因其超高的讀寫(xiě)速度和小巧的體積受到很多發(fā)燒友的喜愛(ài)，能...

2021-04-08 標(biāo)簽：NAND 硬盤(pán)散熱器 7.5k 0

閃存顆粒的性能比較，究竟誰(shuí)才是行業(yè)領(lǐng)軍者

來(lái)自統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)TrendForce的最新統(tǒng)計(jì)顯示，剛過(guò)去的一季度，主要NAND閃存廠商的營(yíng)收均有所增長(zhǎng)，整體規(guī)模達(dá)到135億美元，環(huán)比增加8.3%。

2020-05-28 標(biāo)簽：閃存 NAND 7.4k 0

NAND Flash的寫(xiě)入速度和擦除速度分別是多少

NAND Flash的寫(xiě)入速度和擦除速度會(huì)受到多種因素的影響，包括Flash芯片的具體型號(hào)、制造工藝、以及操作環(huán)境等。因此，無(wú)法給出確切的數(shù)值。

2024-02-19 標(biāo)簽：NAND Flash存儲(chǔ)器 Nand flash 7.3k 0

中國(guó)存儲(chǔ)芯片即將起飛，有望打破韓美日壟斷存儲(chǔ)芯片的局面

2018-04-18 標(biāo)簽：集成電路 NAND 存儲(chǔ)芯片 7.2k 0

“難得”的“NAND”究竟是怎樣的存在?

本篇文章要說(shuō)的詞是“NAND”，諧音“難得”。說(shuō)到這個(gè)“難得”，那就是一把辛酸淚了。

2019-07-19 標(biāo)簽：東芝 NAND 7.2k 0

2018年原廠64層/72層3D NAND量產(chǎn)，使得NAND Flash市場(chǎng)供過(guò)于求，并影響價(jià)格大跌。2019年初96層3D NAND初露鋒芒，新一代技...

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到2021年，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)將無(wú)后顧之憂

根據(jù)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)在武漢、合肥、成都、南京和重慶五地的計(jì)劃產(chǎn)能及產(chǎn)品發(fā)展路線。這些數(shù)字清楚地表明，從現(xiàn)在起甚至可能更快的幾年內(nèi)，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片將能夠在存儲(chǔ)器...

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單片機(jī)內(nèi)部Flash是Nor 還是Nand Flash

Flash在我們生活中無(wú)處不在，比如：U盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)、SD卡、內(nèi)存卡等。同時(shí)，在單片機(jī)開(kāi)發(fā)過(guò)程中也會(huì)遇到各種各樣的Flash，比如：SPI Flash...

2021-10-09 標(biāo)簽：單片機(jī)NAND NOR 7.1k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
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