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SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀分析

對(duì)于SiC功率MOSFET技術(shù)，報(bào)告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí)，解決好特有可靠...

2023-08-08 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 光電半導(dǎo)體 1.8k 0

IFWS&SSLCHINA2024 蘇州盛大開(kāi)幕，超千人齊聚探尋產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新融合新思路

2024年11月19日，第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇SSLCHINA2024）在蘇州開(kāi)幕。本屆論壇由蘇州實(shí)驗(yàn)室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA...

2024-11-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC MOSFET 1.8k 0

1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報(bào)告

2023-12-05 標(biāo)簽：二極管功率器件碳化硅 1.8k 0

傾佳電子深度洞察AIDC電源系統(tǒng)技術(shù)演進(jìn)與SiC MOSFET應(yīng)用價(jià)值分析

傾佳電子深度洞察AIDC電源系統(tǒng)技術(shù)演進(jìn)與SiC MOSFET應(yīng)用價(jià)值分析傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器...

2025-09-09 標(biāo)簽：AIDC SiC MOSFET 1.8k 0

傾佳電子全面分析在高功率工業(yè)變頻器中以SiC MOSFET模塊取代Si IGBT模塊的價(jià)值主張

傾佳電子全面分析在高功率工業(yè)變頻器中以SiC MOSFET模塊取代Si IGBT模塊的價(jià)值主張傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)...

2025-11-02 標(biāo)簽：變頻器 IGBT SiC MOSFET 1.7k 0

為什么“負(fù)壓夠深”是解決SiC MOSFET串?dāng)_問(wèn)題的最有力措施

為什么“負(fù)壓夠深”是解決SiC MOSFET串?dāng)_問(wèn)題的最有力措施：結(jié)合基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)器件的深度分析傾佳電子（Ch...

2025-11-17 標(biāo)簽：串?dāng)_SiC MOSFET 1.7k 0

如何更好地驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET器件？

IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓一般都是15V，而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動(dòng)電壓各品牌并不一致，15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓有助于降低器...

2024-05-13 標(biāo)簽：芯片 MOSFET IGBT 1.7k 0

安森美半導(dǎo)體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動(dòng)車(chē)充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案

新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模塊，基于平面技術(shù)，適合18 V到20 V范圍內(nèi)的驅(qū)動(dòng)電壓，易于用負(fù)門(mén)極電壓驅(qū)動(dòng)。

2021-06-08 標(biāo)簽：MOSFET 安森美半導(dǎo)體電動(dòng)車(chē)充電 1.7k 0

SiC MOSFET模塊在英偉達(dá)800V HVDC電源系統(tǒng)中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用價(jià)值

基本半導(dǎo)體BMF240R12E2G3 SiC MOSFET模塊在英偉達(dá)800V HVDC電源系統(tǒng)中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用價(jià)值隨著AI數(shù)據(jù)中心對(duì)算力需求的爆發(fā)...

2025-05-23 標(biāo)簽：電源系統(tǒng)英偉達(dá)SiC MOSFET 1.7k 0

傾佳電子商用電磁加熱技術(shù)革命：基本半導(dǎo)體34mm SiC MOSFET模塊加速取代傳統(tǒng)IGBT模塊

傾佳電子商用電磁加熱技術(shù)革命：基本半導(dǎo)體34mm SiC MOSFET模塊加速取代傳統(tǒng)IGBT模塊傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子...

2025-10-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC MOSFET 1.6k 0

深度分析SiC MOSFET在下一代電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用價(jià)值

深度分析傾佳電子SiC MOSFET在下一代電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用價(jià)值傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)...

2025-08-26 標(biāo)簽：碳化硅 SiC MOSFET 1.6k 0

碳化硅SiC MOSFET并聯(lián)的技術(shù)瓶頸與系統(tǒng)性克服策略

碳化硅SiC MOSFET并聯(lián)的技術(shù)瓶頸與系統(tǒng)性克服策略：基于基本半導(dǎo)體產(chǎn)品力的深度解析傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新...

2025-11-17 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體 SiC MOSFET 1.6k 0

傾佳電子單相戶(hù)用儲(chǔ)能逆變器中Heric拓?fù)涞木C合分析及其SiC MOSFET應(yīng)用價(jià)值

傾佳電子單相戶(hù)用儲(chǔ)能逆變器中Heric拓?fù)涞木C合分析及其SiC MOSFET應(yīng)用價(jià)值傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源...

2025-10-15 標(biāo)簽：SiC MOSFET 儲(chǔ)能逆變器 1.6k 0

BASiC基本半導(dǎo)體新一代（G3）SiC MOSFET特點(diǎn)及設(shè)計(jì)要點(diǎn)

BASiC基本半導(dǎo)體新一代（G3）SiC MOSFET技術(shù)深度分析與應(yīng)用設(shè)計(jì)指南傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)...

2025-09-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC BASIC 1.6k 0

全球汽車(chē)半導(dǎo)體行業(yè)正在以每年10%速度增長(zhǎng)

汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到 2022 年將達(dá)到 599 億美元，2023 年至 2032 年復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR) 為 10.3%，達(dá)到 1531.1

2023-12-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器功率器件半導(dǎo)體器件 1.5k 0

淺談SiC 和 GaN 的未來(lái)發(fā)展路線

SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達(dá)1 MHz的頻率下進(jìn)行開(kāi)關(guān)，其電壓和電流水平遠(yuǎn)高于硅MOSFET。

2023-02-06 標(biāo)簽：SiC GaN GaN晶體管 1.5k 0

深入解析ACPL - 355JC：10A IGBT和SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器

深入解析ACPL - 355JC：10A IGBT和SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器在電力電子領(lǐng)域，IGBT和SiC MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)...

2025-12-30 標(biāo)簽：IGBT SiC MOSFET ACPL - 355JC 1.4k 0

兩款SiC MOSFET模塊在三相四橋臂變換器中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)分析如下（聚焦工商業(yè)儲(chǔ)能PCS場(chǎng)景）

BMF008MR12E2G3和BMF240R12E2G3兩款SiC MOSFET模塊在三相四橋臂變換器中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)分析如下（聚焦工商業(yè)儲(chǔ)能PCS場(chǎng)景）：...

2025-08-07 標(biāo)簽：變換器 SiC MOSFET 1.4k 0

新品 | 采用電平位移驅(qū)動(dòng)器碳化硅SiC MOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kW PFC評(píng)估板

新品采用電平位移驅(qū)動(dòng)器碳化硅SiCMOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kWPFC評(píng)估板電子設(shè)備會(huì)污染電網(wǎng)，導(dǎo)致電網(wǎng)失真，威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此，電源...

2025-05-22 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板碳化硅 1.4k 0

廣東佳訊邀您一起探究：SiC MOSFET 替代 IGBT ，這是必然走向嗎？

碳化硅MOSFET以其高開(kāi)關(guān)速度、高溫工作能力和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，在電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優(yōu)勢(shì)，但碳...

2025-01-15 標(biāo)簽：IGBT SiC MOSFET 1.4k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà)，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
無(wú)線供電

無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

WPC

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電池系統(tǒng)

電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

浪涌抑制器

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
UCD3138

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時(shí)鐘	時(shí)鐘振蕩器	時(shí)鐘發(fā)生器	時(shí)鐘緩沖器	定時(shí)器	寄存器	實(shí)時(shí)時(shí)鐘	PWM 調(diào)制器
視頻放大器	功率放大器	頻率轉(zhuǎn)換器	揚(yáng)聲器放大器	音頻轉(zhuǎn)換器	音頻開(kāi)關(guān)	音頻接口	音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器	數(shù)模轉(zhuǎn)換器	數(shù)字電位器	觸摸屏控制器	AFE	ADC	DAC	電源管理
線性穩(wěn)壓器	LDO	開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器	DC/DC	降壓轉(zhuǎn)換器	電源模塊	MOSFET	IGBT
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