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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

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　　在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...

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2023-02-20 標簽：半導體 SiC 碳化硅 4.3k 0

全電飛機航空電子系統(tǒng)的設計方案解析

SOI獨特的“Si/絕緣層/Si”三層結(jié)構(gòu)，帶來了諸多優(yōu)勢：首先，“絕緣埋層”實現(xiàn)了器件功能有源部分和襯底的全介質(zhì)隔離，減小了寄生電容，開關頻率得以提高。

2023-01-10 標簽：電機驅(qū)動 SiC 碳化硅 4.2k 0

GAN功率器件在機器人上的應用實踐

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三種功率器件的區(qū)別解析

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VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動車續(xù)航能力

因續(xù)航能力有限而導致的“里程焦慮”是許多消費者采用電動車的一個障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關鍵。能效至關...

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安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。

2024-03-26 標簽：電動汽車 MOSFET 安森美 4.2k 0

PFC拓撲比較：交錯式升壓拓撲與圖騰柱拓撲

電子設備越來越多地接入電網(wǎng)，這增加了電網(wǎng)的失真幾率，也使配電網(wǎng)絡容易產(chǎn)生問題。為緩解這些問題，電源設計需要先進的功率因數(shù)校正 (PFC) 電路來滿足嚴格...

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碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)點和應用

碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化...

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如何選取SiC門極電壓

在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未...

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直奔主題，下圖為典型的雙電極電壓（極性從正極到負極交替變化的電壓）沖擊圖。

2023-07-18 標簽：二極管 MOSFET SiC 4.1k 0

SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討

2023-12-05 標簽：SiC 驅(qū)動電壓 SiC MOSFET 4.1k 0

半導體“化學氣相沉積（CVD）碳化硅（Sic）”工藝技術(shù)詳解；

【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎應用...

2025-11-09 標簽：SiC 碳化硅 CVD 4.1k 0

SiC二極管的工作原理和結(jié)構(gòu)

SiC二極管，即碳化硅二極管，作為第三代半導體材料的重要應用之一，其工作原理和結(jié)構(gòu)在電力電子領域具有獨特的重要性。以下將詳細闡述SiC二極管的工作原理和...

2024-09-10 標簽：二極管半導體 SiC 4.1k 0

淺析功率半導體IGBT及SiC技術(shù)的相關知識

電力電子技術(shù)在新能源汽車中應用廣泛，是汽車動力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎。

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一文詳解SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。

2024-11-14 標簽：晶體 SiC sic器件 4.1k 0

半導體材料的發(fā)展歷程

第一代半導體材料以錯和硅為主。

2023-07-17 標簽：集成電路半導體晶體管 4k 0

碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應用展望

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2023-01-31 標簽：半導體電力系統(tǒng)功率器件 4k 0

想做車用SiC元件？這點一定不能錯過！

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2019-01-12 標簽：汽車電子 SiC 4k 0

什么是碳化硅？碳化硅的拋光方法主要有哪些？

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