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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術存在著幾個重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導通電阻隨電壓等級相應增加，其他結(jié)構(gòu)（溝道、JFET區(qū)等）的存在進一步提高了總導通電阻。

2023-05-04 標簽：二極管 MOSFET 導通電阻 4.8k 0

SiC器件的優(yōu)缺點！

在逆變器、電機驅(qū)動器和電池充電器等應用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。

2023-02-21 標簽：逆變器 IGBT SiC 4.8k 0

8英寸SiC晶體生長熱場的設計與優(yōu)化

碳化硅（SiC）材料被認為已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)。其寬帶隙、高溫穩(wěn)定性和高導熱性等特性將為SiC基功率器件帶來一系列優(yōu)勢。近年來，隨著新能源汽車企業(yè)...

2023-12-20 標簽：半導體功率器件 SiC 4.7k 0

剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 1

功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體有如下優(yōu)勢，如低損耗、高速開關、高溫...

2023-02-06 標簽：電路 MOSFET SiC 4.7k 0

SIC MOS驅(qū)動電壓15V和18V之辯

使用SIC MOS的開發(fā)人員是越來越多，但驅(qū)動電壓到底選15V還是18V，每個人都有自己的理解，今晚聽許老師講SIC MOS驅(qū)動技術，有些感悟分享給大家。

2022-11-07 標簽：MOS SiC 驅(qū)動電壓 4.7k 0

AMB陶瓷基板在IGBT中應用的優(yōu)勢

AMB（活性金屬釬焊）工藝技術是DBC（直接覆銅）工藝技術的進一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。

2023-03-17 標簽：逆變器 IGBT 功率器件 4.7k 0

車載充電機OBC的技術方向與碳化硅應用方案

車載充電機（On-Board Charger，簡稱為OBC）的基本功能是：電網(wǎng)電壓經(jīng)由地面交流充電樁、交流充電口，連接至車載充電機，給車載動力電池進行慢...

2022-07-20 標簽：SiC 碳化硅 OBC 4.7k 0

基于SiC或GaN的功率半導體應用設計

工程師對電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當從基于硅的芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r，需要多加注意。芯片顯示，基于硅（Si）的半導體比寬帶隙（WBG...

2021-04-06 標簽：電磁干擾 SiC 氮化鎵 4.7k 0

利用SiC CJFET替代超結(jié)MOSFET以及開關電源應用

碳化硅（SiC）憑借其優(yōu)異的材料特性，在服務器、工業(yè)電源等關鍵領域掀起技術變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，從碳化硅如何...

2026-04-24 標簽：MOSFET 開關電源 SiC 4.7k 0

半導體工藝之氣相外延介紹

在半導體科學技術的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術已廣泛用于Si半導體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。

2023-05-19 標簽：半導體 SiC 電源系統(tǒng) 4.7k 0

關于碳化硅你了解多少

碳和硅的原子序數(shù)分別為6和14，在元素周期表中處于碳族元素的第二和第三周期，即上下相鄰的位置。這種位置關系，表明它們在某些方面具有類似的性質(zhì)。

2023-02-02 標簽：SiC 金剛石碳化硅 4.6k 0

碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應用

碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是...

2024-01-09 標簽：半導體功率器件 SiC 4.6k 0

IGBT和SiC這兩者的存在意義

近年來，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而飽受關注。

2023-03-28 標簽：IGBT SiC 氮化鎵 4.6k 0

工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC？到底該pick誰？

作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導體，是因為...

2023-06-07 標簽：SiC 氮化鎵碳化硅 4.6k 0

什么是碳化硅功率模塊？為什么碳化硅功率模塊是某些應用的首選？

如今，功率半導體使用最廣泛的材料是硅。硅的生產(chǎn)成本低廉，而且該技術廣為人知。

2023-11-25 標簽：MOSFET SiC 功率半導體 4.6k 0

AMB通用技術問題—翹曲及其解決方案

AMB陶瓷覆銅基板是一個復合結(jié)構(gòu)：銅箔/焊料/陶瓷/焊料/銅箔，不同材料之間的CTE、楊氏模量、導熱性能也存在差異。

2023-07-08 標簽：散熱器 IGBT SiC 4.5k 0

Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件結(jié)構(gòu)與特性

通過AlN柵介質(zhì)層MIS-HEMT和Al2O3柵介質(zhì)層MOS-HEMT器件對比研究發(fā)現(xiàn)，PEALD沉積AlN柵絕緣層可以大幅改善絕緣柵器件的界面和溝道輸...

2023-02-14 標簽：微波 SiC HEMT 4.5k 0

碳化硅晶片的化學機械拋光技術研究

為實現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光，提高碳化硅拋光的成品率，降低加工成本，對現(xiàn)有的碳化硅化學機械拋光技術進行了總結(jié)和研究。針對碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微...

2024-01-24 標簽：SiC 晶片碳化硅 4.5k 0

SiC碳化硅單晶的生長原理

碳化硅單晶襯底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下簡稱SiC襯底）也是晶體材...

2023-05-18 標簽：半導體射頻單晶 4.5k 0

Force-I QSCV技術在SiC MOSFET界面陷阱測量中的應用

電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關鍵參數(shù)。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測量電流...

2025-08-25 標簽：放大器 MOSFET 半導體 4.5k 0

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