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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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碳化硅器件在光伏逆變器中的應用

光伏發(fā)電是SiC器件除新能源汽車領域外的第二大應用領域。光伏逆變器作為光伏電站的轉換設備，主要作用是將太陽電池組件產生的直流電轉化為交流電。隨著光伏產業(yè)...

2023-11-06 標簽：光伏發(fā)電 SiC 光伏逆變器 2.7k 0

溝槽型SiC MOSFET的結構和應用

碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，因其出色的寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等特性，在新能源、智能電網(wǎng)以及電動汽車等多個領域展現(xiàn)...

2025-02-02 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 2.7k 0

用于電力電子設計的高性能SiC MOSFET技術

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碳化硅襯底的生產過程

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2025-02-03 標簽：半導體 SiC 碳化硅 2.7k 0

電子電路仿真基礎：什么是熱動態(tài)模型（Thermal Dynamic Model）

上一篇文章中，簡單介紹了SPICE模型中的熱模型（Thermal Model），它是用來進行熱仿真的SPICE模型之一。本文將簡單介紹另一個熱仿真用的S...

2023-02-14 標簽：SiC SPICE 電子電路 2.7k 0

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC...

2023-02-10 標簽：開關 MOSFET IGBT 2.7k 0

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-...

2023-02-08 標簽：MOSFET IGBT 晶體管 2.7k 0

仿真看世界之650V混合SiC單管的開關特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)...

2021-08-31 標簽：IGBT SiC 英飛凌科技 2.7k 0

功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動測試與計算新方案

柵極參數(shù)設計是通過理論計算或建模仿真，模擬器件的開關狀態(tài)，掌握其動態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等，其核心還是理論計算。

2024-04-29 標簽：MOSFET IGBT emc 2.7k 0

碳化硅相對于硅的優(yōu)勢

在逆變器、電機驅動器和電池充電器等應用中，碳化硅（SiC）器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。

2023-11-07 標簽：驅動器逆變器 IGBT 2.7k 0

半導體碳化硅(SiC)行業(yè)研究

第三代半導體性能優(yōu)越，應用場景更廣。半導體材料作為電子信息技術發(fā)展的基礎，經歷了數(shù)代的更迭。隨著應用場景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三...

2024-01-16 標簽：半導體 SiC 碳化硅 2.7k 0

?碳化硅助力實現(xiàn)PFC技術的變革

碳化硅（SiC）功率器件已經被廣泛應用于服務器電源、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等領域。近些年來，汽車行業(yè)向電力驅動的轉變推動了碳化硅（SiC）應用的增長，也...

2024-01-02 標簽：IGBT 晶體管 PFC 2.7k 0

SiC器件如何提升電動汽車的系統(tǒng)效率

SiC器件可以提高電動汽車的充電模塊性能，包括提高頻率、降低損耗、縮小體積以及提升效率等。這有助于提升電動汽車的整體性能表現(xiàn)。

2024-03-18 標簽：電動汽車新能源汽車電機控制器 2.7k 0

工業(yè)充電器中元器件選型策略

碳化硅（SiC）功率開關器件正成為工業(yè)電池領域一種廣受歡迎的選擇，因其能夠實現(xiàn)更快的開關速度和更優(yōu)異的低損耗工作，從而在不妥協(xié)性能的前提下提高功率密度。...

2025-08-15 標簽：MOSFET 充電器安森美 2.7k 0

使用Simcenter全面評估SiC 器件的特性——Simcenter為熱瞬態(tài)測試和功率循環(huán)提供全面支持

內容摘要傳統(tǒng)的硅金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)具有成熟的技術和低廉的成本，在中壓和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)高壓功率電子器件中占主導...

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分析用于電力電子的寬帶隙半導體

使用寬帶隙半導體的技術可以滿足當今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義，它們具有更大的帶隙，因此各種電子設備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅（SiC）...

2022-07-29 標簽：MOSFET 半導體 SiC 2.7k 0

碳化硅襯底片比較重要的參數(shù)有哪些？

Lattice Parameters：晶格參數(shù)。確保襯底的晶格常數(shù)與將要生長的外延層相匹配，以減少缺陷和應力。

2024-05-19 標簽：半導體 SiC 碳化硅 2.7k 0

SiC功率器件和模塊！

SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導體材料。表1-1顯示了每種半導體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強（擊穿場）和帶隙...

2022-11-22 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 2.7k 0

使用隔離式柵極驅動器和DC-DC轉換器驅動1200 V SiC電源模塊

電動汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電力開發(fā)的成功取決于電力轉換方案的有效實施。電力電子轉換器的核心包含專用半導體器件以及用于打開和關閉這些半導體的策略，這...

2023-02-22 標簽：轉換器驅動器 SiC 2.7k 0

仿真微調：提高電力電子電路的精度

作者：James Victory，安森美電源方案事業(yè)群 TD 建模和仿真方案研究員在電力電子和電路仿真領域，精度至關重要。仿真結果的真實性取決于各個器...

2024-04-30 標簽：仿真 SiC 模型 2.7k 0

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