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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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作者：James Victory，安森美電源方案事業(yè)群 TD 建模和仿真方案研究員 在電力電子和電路仿真領(lǐng)域，精度至關(guān)重要。仿真結(jié)果的真實(shí)性取決于各個(gè)器...
變頻器的分類方法有多種，按照主電路工作方式分類，可以分為電壓型變頻器和電流型變頻器；按照開關(guān)方式分類，可以分為PAM控制變頻器、PWM控制變頻器和高載頻...
2023-08-09 標(biāo)簽：控制系統(tǒng)變頻器運(yùn)動(dòng)控制 2.7k 0
作為半導(dǎo)體材料，SiC具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢，這便給SiC器件帶來了諸多特征參數(shù)方面的提升，比如更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)...
碳化硅MOSFET在新能源行業(yè)有怎樣的應(yīng)用和發(fā)展
在碳化硅電力電子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受關(guān)注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天，SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點(diǎn)...
SiC碳化硅的崛起：現(xiàn)代戶用混合逆變器拓?fù)?、趨勢及器件?jí)集成技術(shù)解析
傾佳電子SiC碳化硅的崛起：現(xiàn)代戶用混合逆變器拓?fù)?、趨勢及器件?jí)集成技術(shù)解析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接...
源漏區(qū)嵌入SiC 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度，它是通過外延生長技術(shù)在源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料，利用硅和碳晶格常數(shù)...
IGBT和SiC功率模塊封裝用的環(huán)氧材料在現(xiàn)代電子器件中起著至關(guān)重要的作用。以下是從多個(gè)角度對(duì)這些環(huán)氧材料的詳細(xì)分析：1.熱管理導(dǎo)熱性能：環(huán)氧樹脂需要具...
混合動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)具有類似于BEV的架構(gòu)，只是它們具有額外的能源和較小的車載電能存儲(chǔ)。在所有混合動(dòng)力架構(gòu)中，Wolfspeed 的 SiC 模塊大放異彩，...
2023-05-24 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器SiC 2.6k 0
硅片在大口徑化的同時(shí)，要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格，因此超精密磨削技術(shù)得以開發(fā)，實(shí)現(xiàn)了無蝕刻化，無拋光化。雖然在單晶SiC...
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)摴β拭芏葧r(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷...
本文基于PGC 咨詢公司進(jìn)行的分析，研究了當(dāng)今的 650-V 和 1，200-V SiC MOSFET，揭示了這些問題，包括柵極氧化物可靠性的優(yōu)化，這有...
雷達(dá)電子設(shè)備組件金剛石/銅復(fù)合材料散熱基板熱性能研究
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，現(xiàn)代電子設(shè)備愈發(fā)往體積小、重量輕的方向發(fā)展，性能和功能越來越強(qiáng)大，集成度越來越高，內(nèi)部熱量的排散問題就更為突出。
高功率 PCB 布局是藝術(shù)、科學(xué)和工程的平衡，以實(shí)現(xiàn)高性能設(shè)計(jì)，同時(shí)考慮與電壓間隔相關(guān)的大量限制， 系統(tǒng)布局， 產(chǎn)品尺寸， 熱要求， 以及最重要的電氣性...
2023-05-20 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器SiCPCB 2.6k 0
安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應(yīng)用指南...
功率器件封裝結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計(jì)原則
針對(duì)功率器件的封裝結(jié)構(gòu)，國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了大量的理論研究和開 發(fā)實(shí)踐，多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計(jì)理念被國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)提出并研究，一些結(jié)構(gòu)設(shè)...
本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。...
母線電容過壓時(shí)，軟件及時(shí)判斷并進(jìn)行關(guān)脈沖處理，除此之外，母線電容上還需要并聯(lián)TVS，才能在軟件保護(hù)無效時(shí)，通過TVS保護(hù)母線電容。
今天想抽出點(diǎn)時(shí)間來聊一下復(fù)合器件（Si IGBT + SiC MOSFET），我也不太清楚這個(gè)中文名字應(yīng)該叫什么，文獻(xiàn)里都叫做Hybrid switch...
功率GaN出現(xiàn)爆炸式增長 基于GaN的RF器件獨(dú)特優(yōu)勢眾多
Qorvo這種新型高功率放大器MMIC是專為“商業(yè)和軍事雷達(dá)，以及電子戰(zhàn)應(yīng)用”而設(shè)計(jì)。
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