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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

功率晶體管的歷史和新興設(shè)計

到20世紀中葉，電力已然在人們的生活中發(fā)揮著重要作用。愛迪生發(fā)明的電燈通過照亮街道、工廠和住宅，提高了生產(chǎn)力、生活質(zhì)量和安全性;通過高效電機實現(xiàn)的制冷，...

2022-12-08 標簽：MOSFET 晶體管 SiC 1.9k 0

SiC MOSFET非放電型RCD緩沖電路的設(shè)計

與放電型RCD緩沖電路不同，非放電型RCD緩沖電路的RSNB消耗的功率僅為浪涌能量，因此RSNB的容許損耗可以較小。這可以擴大RSNB的選擇范圍，使得能...

2024-03-13 標簽：MOSFET emi SiC 1.9k 0

SiC MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計的關(guān)鍵點

柵極驅(qū)動器是確保SiC MOSFET安全運行的關(guān)鍵，設(shè)計柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節(jié)帶你了解柵極驅(qū)動電壓的影響以及驅(qū)動...

2025-05-06 標簽：二極管 MOSFET 驅(qū)動電路 1.9k 0

碳化硅功率器件在儲能領(lǐng)域的應用示例

碳化硅功率器件目前被廣泛用于電源、用于電池充電和牽引驅(qū)動的電池電動汽車（BEV）電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)電機驅(qū)動以及太陽能和風力發(fā)電逆變器等可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等應...

2023-12-03 標簽：太陽能功率器件 SiC 1.9k 0

APEX微技術(shù)發(fā)布碳化硅SiC半橋集成電源模塊：SA111

SA111采用碳化硅（SiC）技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計，突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。

2023-04-27 標簽：MOSFET 電源模塊 SiC 1.9k 0

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。...

2023-02-23 標簽：MOSFET 驅(qū)動器 SiC 1.9k 0

第4代SiC FET的突破性性能

幾十年來，基于硅的半導體開關(guān)一直主導著功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，IGBT 和 Si MOSFET 提供了成熟、穩(wěn)健的解決方案。然而，當寬帶隙 (WBG) 器件于 2...

2022-08-05 標簽：MOSFET 半導體 SiC 1.9k 0

碳化硅功率模塊最大限度提高有源前端效率

本文解決了這些問題，并通過并行比較，證明了碳化硅（SiC）是迄今為止在高功率應用中優(yōu)于硅基器件的選擇。該演示使用 UPS 和充電器系統(tǒng)的一個重要部分，即...

2023-05-20 標簽：UPS IGBT SiC 1.8k 0

SiC功率器件先進互連工藝研究

共讀好書杜隆純何勇劉洪偉劉曉鵬（湖南國芯半導體科技有限公司湖南省功率半導體創(chuàng)新中心）摘要：針對SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，...

2024-03-05 標簽：功率器件 SiC AMB 1.8k 0

一種基于實際頻率測量的多頻方法來構(gòu)建復頻率光波

超透鏡Superlenses是由等離子體激元材料和超材料制成的，并在亞衍射尺度上，實現(xiàn)特征成像。

2023-08-31 標簽：傳感器衰減器 SiC 1.8k 0

內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC助推工廠智能化

各行各業(yè)的工廠都在擴大生產(chǎn)線的智能化程度，在生產(chǎn)線上的裝置和設(shè)備旁邊導入先進信息通信設(shè)備的工廠越來越多。

2024-02-21 標簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET SiC 1.8k 0

碳化硅MOSFET在數(shù)據(jù)中心能源管理中的應用

數(shù)據(jù)中心通常依靠高頻功率轉(zhuǎn)換來有效地分配和管理電力，而SiC MOSFET具有低開關(guān)損耗和快速開關(guān)速度，可實現(xiàn)高頻操作。

2023-12-06 標簽：MOSFET 電源轉(zhuǎn)換器不間斷電源 1.8k 0

驅(qū)動電機絕緣高頻高壓下的耐久性評價總結(jié)

SiC功率器件在耐壓、開關(guān)頻率、損耗等多維度的性能優(yōu)于硅基IGBT功率器件。

2023-06-21 標簽：新能源汽車 IGBT 功率器件 1.8k 0

SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路的電路板布局注意事項

關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件應用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極...

2023-02-09 標簽：MOSFET 電路板 SiC 1.8k 0

電隔離柵極驅(qū)動器選型指南

電隔離式（GI）柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅（SiC）MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、...

2024-11-11 標簽：MOSFET 功率放大器安森美 1.8k 0

擴展到900V的氮化鎵產(chǎn)品滿足汽車、家電及工業(yè)類應用需求

日前，Power Integrations（PI）舉辦新品媒體線上溝通會，公司資深技術(shù)培訓經(jīng)理Jason Yan介紹了在美國APEC展（國際電力電子應用...

2023-03-24 標簽：功率開關(guān)PD SiC 1.8k 0

非線性損耗模型：提升SiC變換器性能估算的準確性

由于硅碳化物(SiC)MOSFET器件具有高電壓能力、較低的導通電阻、高溫操作的耐受性以及相對于硅更高的功率密度等固有特性，越來越受到電力系統(tǒng)設(shè)計師的青...

2024-12-04 標簽：MOSFET 變換器 SiC 1.8k 0

SiC FET器件的特征

寬帶隙半導體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。

2022-10-31 標簽：存儲服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 1.8k 0

一文詳解SiC柵極絕緣層加工工藝

柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關(guān)注點。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不同之處。

2024-11-20 標簽：MOSFET SiC 加工工藝 1.8k 0

SiC基微型核電池研究進展

隨著微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的迅速發(fā)展，體積更小，功能更多，集成度更高的MEMS器件已經(jīng)成為新的發(fā)展方向和研究熱點。

2023-08-10 標簽：半導體機器人 SiC 1.8k 0

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標準

Qi標準

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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太陽能充電

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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