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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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PCIM2024論文摘要｜并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究
/摘要/并聯(lián)SiCMOSFET面臨著許多技術(shù)挑戰(zhàn),包括電流不平衡、不同的熱性能、過電壓等。本文介紹了不同參數(shù)對(duì)并聯(lián)SiCMOSFET分流影響的理論分析和...
2024-07-25 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)電路SiC 1.7k 0
1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOS...
*文末有禮 碳化硅（SiC) 正在改變?nèi)祟惸茉纯刂坪娃D(zhuǎn)換的方式，帶來一場(chǎng)顛覆性變革。電動(dòng)汽車、可再生能源、儲(chǔ)能和不間斷電源等許多應(yīng)用都能通過SiC實(shí)現(xiàn)性...
碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡析
碳化硅（SiC）是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料，其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高電子飽和遷移率等特點(diǎn)使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
首先，讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么，以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關(guān)于SiC的一個(gè)有趣的事實(shí)是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實(shí)上，碳化...
2023-05-20 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器SiC 1.7k 0
SiC模塊開啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更高功率密度
牽引驅(qū)動(dòng)器是電動(dòng)汽車（EV）幾乎所有能量的消耗源。因此，驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)必須盡可能提高效率，同時(shí)以最低重量占用最小空間 — 這些均旨在盡可能提高電動(dòng)汽車的續(xù)航能力。
2023-05-19 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器IGBT 1.7k 0
金升陽IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
基于國內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)，半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大；對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛，而驅(qū)動(dòng)電源作為專為IG...
分立3.3 kV SiC MOSFET關(guān)鍵指標(biāo)的分析
理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點(diǎn)博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣...
SiC（碳化硅）功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關(guān)損耗等特性，能有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，受到了新能源汽車、光伏發(fā)...
2023-06-13 標(biāo)簽：MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 1.7k 0
隨著終端應(yīng)用電子架構(gòu)復(fù)雜程度提升，硅基器件物理極限無法滿足部分高壓、高溫、高頻及低功耗的應(yīng)用要求。近 20 多年來，以碳化硅(silicon carb...
碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術(shù)至...
如何通過實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度提高SiC牽引逆變器的效率
在本文中，我們將重點(diǎn)介紹實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，這項(xiàng)新功能可讓設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù)，例如效率（影響電動(dòng)汽車行駛里程）和 SiC過沖（影響可靠性）。
2023-07-04 標(biāo)簽：SiC柵極驅(qū)動(dòng)牽引逆變器 1.7k 0
隨著全球?qū)δ茉吹男枨蠛涂沙掷m(xù)發(fā)展的日益關(guān)注，環(huán)境保護(hù)和碳中和也越來越重要，這愈發(fā)凸顯綠色能源的重要性。
什么是碳化硅？SiC在電力電子領(lǐng)域的一些非凡特性有哪些
碳化硅因其獨(dú)特的性能而被譽(yù)為硅的潛在替代品。以下是使這種材料如此非凡的特性，以及它在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用。
本文我們將重點(diǎn)介紹第三代半導(dǎo)體中的碳化硅（SiC），與下文氮化鎵（GaN）的形式統(tǒng)一如何助力軌道交通完成“碳達(dá)峰”目標(biāo)，并為大家推薦貿(mào)澤電子在售的領(lǐng)先的...
對(duì)碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí)，需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識(shí)，幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...
2025-06-13 標(biāo)簽：晶體管SiC功率半導(dǎo)體 1.7k 0
一個(gè)良好的功率電路不僅由靜態(tài)器件如SiC和GaN MOSFETs組成，還包含了門極驅(qū)動(dòng)器。這是一個(gè)獨(dú)立的元素，位于電子開關(guān)之前，確保以最佳方式為其提供驅(qū)...
2023-12-24 標(biāo)簽：SiC開關(guān)器件門極驅(qū)動(dòng)器 1.7k 0
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