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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術

SiC MOSFET柵-源電壓測量：探頭的連接方法

本文的關鍵要點?探頭的連接方法會給波形測量結果帶來很大影響。?如果延長線較長，在柵極引腳和源極引腳與測量夾具之間形成的環(huán)路會導致觀察到的波形與真正的波形...

2023-02-09 標簽：MOSFET 探頭 SiC 1.4k 0

SiC MOSFET柵-源電壓測量方法

本文的關鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量，在開關速度較快時，觀察到的波形會發(fā)生明顯變化。?受測量時所裝的延長電纜的影響，觀察...

2023-02-09 標簽：MOSFET SiC 電壓測量 1.5k 0

低邊SiC MOSFET關斷時的行為

通過驅(qū)動器源極引腳改善開關損耗本文的關鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳...

2023-02-09 標簽：MOSFET 驅(qū)動器 SiC 1.1k 0

低邊SiC MOSFET導通時的行為

本文的關鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC M...

2023-02-09 標簽：MOSFET 驅(qū)動器 SiC 1.1k 0

SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路的電路板布局注意事項

關于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎知識 SiC功率元器件應用篇的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極...

2023-02-09 標簽：MOSFET 電路板 SiC 1.8k 0

SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-負電壓浪涌對策

本文的關鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導通時，SiC MOSFET的HS誤...

2023-02-09 標簽：MOSFET 負電壓 SiC 2k 0

SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對策

本文的關鍵要點：通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導通時的HS誤導通。如果柵極驅(qū)動IC沒有驅(qū)動米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則...

2023-02-09 標簽：MOSFET 柵極 SiC 2.1k 0

SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路

在上一篇文章中，簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始，將介紹針對所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。

2023-02-09 標簽：MOSFET SiC 浪涌 1.9k 0

SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-什么是柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌？

MOSFET和IGBT等功率半導體作為開關元件已被廣泛應用于各種電源應用和電力線路中。

2023-02-08 標簽：MOSFET IGBT 源極 1k 0

SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-低邊開關關斷時的柵極-源極間電壓的動作

上一篇文章中介紹了LS開關導通時柵極 – 源極間電壓的動作。本文將繼續(xù)介紹LS關斷時的動作情況。低邊開關關斷時的柵極 – 源極間電壓的動作：下面是表示L...

2023-02-08 標簽：MOSFET 柵極 SiC 1.2k 0

SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-低邊開關導通時的Gate-Source間電壓的動作

上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結構中柵極驅(qū)動電路的開關工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOS...

2023-02-08 標簽：MOSFET 柵極 SiC 1.2k 0

SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-橋式電路的開關產(chǎn)生的電流和電壓

在上一篇文章中，對SiC MOSFET橋式結構的柵極驅(qū)動電路的導通(Turn-on)/關斷( Turn-off)動作進行了解說。

2023-02-08 標簽：MOSFET 驅(qū)動電路 SiC 861 0

SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作

本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結構的柵極驅(qū)動電路及其導通(Turn-on)/關斷( Turn-off)動作進行解說。

2023-02-08 標簽：MOSFET 柵極驅(qū)動電路 1.5k 0

SiC MOSFET：橋式結構中柵極源極間電壓的動作-SiC MOSFET的橋式結構

在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。

2023-02-08 標簽：MOSFET 柵極 SiC 1.1k 0

SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-前言

從本文開始，我們將進入SiC功率元器件基礎知識應用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電...

2023-02-08 標簽：MOSFET IGBT SiC 1k 0

全SiC功率模塊的開關損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著這兩大優(yōu)勢。

2023-02-08 標簽：IGBT SiC 功率模塊 1.6k 0

何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇...

2023-02-08 標簽：二極管 MOSFET SiC 1.5k 0

ROHM SiC-MOSFET的可靠性試驗

本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元...

2023-02-08 標簽：MOSFET SiC 可靠性 2.2k 0

SiC-MOSFET的應用實例

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處...

2023-02-08 標簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET IGBT 1.7k 0

AC/DC轉(zhuǎn)換器IC BM2SC12xFP2-LBZ介紹

內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－優(yōu)點篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC...

2023-02-08 標簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET 封裝 1.4k 0

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