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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

SiC-MOSFET的特征

繼前篇結(jié)束的SiC-SBD之后，本篇進(jìn)入SiC-MOSFET相關(guān)的內(nèi)容介紹。功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 SiC 808 0

浮思特 | 高壓高效，SiC新力量——至信微SMD600HB200EDA1功率模塊

在新能源、電動汽車、光伏儲能以及工業(yè)電源等領(lǐng)域，功率器件正在迎來一場深刻變革。硅基器件逐漸向碳化硅(SiC)過渡，而如何在高壓、大電流環(huán)境下兼顧效率、可...

2025-09-22 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率模塊 807 0

超越防護(hù)：離子捕捉劑如何在寬禁帶半導(dǎo)體封裝中扮演更關(guān)鍵角色？

隨著碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體走向普及，其封裝材料面臨更高溫度、更高電壓的極端考驗(yàn)。傳統(tǒng)的離子防護(hù)理念亟待升級。本文將探討在此背景...

2025-12-08 標(biāo)簽：SiC IC封裝 GaN 807 0

探索 onsemi NVXK2VR80WXT2：SiC功率MOSFET模塊的卓越性能

在電動汽車（xEV）應(yīng)用領(lǐng)域，車載充電器（OBC）的性能至關(guān)重要，而功率 MOSFET 模塊作為其中的核心組件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。...

2025-12-03 標(biāo)簽：SiC 功率MOSFET 車載充電器 804 0

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

碳化硅 (SiC) 技術(shù)能在大幅提高當(dāng)前電力系統(tǒng)效率的同時(shí)降低其尺寸、重量和成本，因此市場需求不斷攀升。但是SiC 解決方案并不是硅基解決方案的直接替代...

2023-05-17 標(biāo)簽：驅(qū)動器 SiC 碳化硅 800 0

碳化硅功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢和現(xiàn)狀

中低壓產(chǎn)品性能可靠性滿足應(yīng)用要求，產(chǎn)品耐壓提升到2000V及以上. 產(chǎn)品發(fā)展到第三代，采用新型柵氧、溝槽結(jié)構(gòu)、集成肖特基二極管等技術(shù).

2023-06-12 標(biāo)簽：二極管 SiC 碳化硅 796 0

專用柵極驅(qū)動器和緩沖模塊的效果

這里會針對下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器與專用柵極驅(qū)動器進(jìn)行特性對比。在電路構(gòu)成中，有上次介紹過的電解電容器和薄膜電容器。在不使用專用柵極驅(qū)動器時(shí)，...

2023-02-27 標(biāo)簽：電容器 MOSFET SiC 787 0

了解嵌入式驅(qū)動器中的電源模塊

在 IP65 保護(hù)系統(tǒng)中，所有組件的耗散功率只能通過其表面（主要是散熱器）排出。因此，嵌入式系統(tǒng)中使用的逆變器的設(shè)計(jì)必須限度地減少功耗，并使用良好的熱界...

2024-05-03 標(biāo)簽：嵌入式系統(tǒng)逆變器 SiC 786 0

用SIC FETs取代機(jī)械電路斷開器

2023-10-26 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心 FET SiC 773 0

超共源共柵簡史

這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭...

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 766 0

碳化硅功率器件市場前景！

在過去幾年中，半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)了新一代高功率開關(guān)，并開始商業(yè)化。使用基于碳化硅（SiC）的器件有望顯著降低開關(guān)損耗，并允許比目前使用純硅（Si）器件更高的...

2022-11-29 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 755 0

Onsemi碳化硅MOSFET NTHL060N065SC1的性能剖析與應(yīng)用指南

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能逐漸成為工程師們的首選。今天我們就來詳細(xì)剖析Onsemi的一款650V、44毫歐的N溝道碳化...

2025-12-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 748 0

探索 onsemi NTBG014N120M3P SiC MOSFET：高效能與可靠性的完美結(jié)合

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET 正憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NTBG014N120M...

2025-12-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 734 0

SpeedVal Kit平臺采用模塊化方法簡化評估

新一代功率半導(dǎo)體將以碳化硅（SiC）技術(shù)為推動力，服務(wù)于快速增長的純電動汽車（BEV）市場和充電基礎(chǔ)設(shè)施，滿足日益提高的能效標(biāo)準(zhǔn)要求，并滿足工業(yè)和可再生...

2023-05-19 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體 SiC 725 0

碳化硅如何最大限度提高可再生能源系統(tǒng)的效率

全球范圍內(nèi)正在經(jīng)歷一場能源革命。根據(jù)國際能源署的報(bào)告，到 2026 年，可再生能源將占全球能源增長量的大約 95%。太陽能將占到這 95% 中的一半以上。

2023-07-10 標(biāo)簽：IGBT SiC 碳化硅 717 0

onsemi NTMT045N065SC1碳化硅MOSFET深度解析

在電源管理和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐漸成為電子工程師的首選。今天，我們就來深入探討一下安森美（onsemi）的NTMT...

2025-12-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 711 0

實(shí)現(xiàn)大電流化的技術(shù)要點(diǎn)

轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。

2023-02-10 標(biāo)簽：模塊電流封裝 707 0

Infineon碳化硅布局加速，晶圓廠投資引發(fā)市場疑慮

雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一，但他的作風(fēng)一向非常低調(diào)。就連Infineon的收購行動也常常被低調(diào)處理。

2024-03-14 標(biāo)簽：SiC Infineon 碳化硅 703 0

基于氮化鎵器件的集成化技術(shù)詳解

通過凹槽切斷柵極下方的2DEG，使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)正柵壓增至大于閾值電壓時(shí),將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。

2023-04-07 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 702 0

碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

一、引言碳化硅（SiC）襯底憑借優(yōu)異性能在半導(dǎo)體領(lǐng)域地位關(guān)鍵，其切割加工精度和效率影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展。自動對刀系統(tǒng)決定切割起始位置準(zhǔn)確性，進(jìn)給參數(shù)控制切割過...

2025-07-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 696 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

快充

+關(guān)注

目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

Qi標(biāo)準(zhǔn)

+關(guān)注

國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

Pebble

+關(guān)注

Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
WPC

WPC

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電池系統(tǒng)

電池系統(tǒng)

+關(guān)注

　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

手機(jī)快充

+關(guān)注

手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

浪涌抑制器

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

USB-PD

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PWM信號

PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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