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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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AI時(shí)代的存儲(chǔ)墻，哪種存算方案才能打破？

回顧計(jì)算行業(yè)幾十年的歷史，芯片算力提升在幾年前，還在遵循摩爾定律?？呻S著如今摩爾定律顯著放緩，算力發(fā)展已經(jīng)陷入瓶頸。而且禍不單行，陷入同樣困境的還有存儲(chǔ)...

2024-04-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)sram AI 5.1k 0

如何對(duì)SRAM?進(jìn)行分類(lèi)

嵌入式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）是現(xiàn)代SoC中的重要組成部分；伴隨著工藝前進(jìn)的腳步，對(duì)于SRAM的研究也從未終止過(guò)。其中雙端口SRAM可以為系統(tǒng)提供...

2020-09-19 標(biāo)簽：嵌入式 sram 5k 0

Chipworks分析蘋(píng)果A7：雙核CPU、四核GPU、3MB SRAM

幾天之前，Chipworks的芯片專(zhuān)家對(duì)iPhone 5s內(nèi)部的各種芯片進(jìn)行了初步分析，現(xiàn)在Chipworks給出了64位A7處理器更多細(xì)節(jié)。根據(jù)晶體管...

2013-09-29 標(biāo)簽：SRAM A7 iPhone 5s 4.9k 0

BJ-EPM240學(xué)習(xí)板之SRAM讀寫(xiě)實(shí)驗(yàn)

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電...

2019-03-06 標(biāo)簽：存儲(chǔ)SRAM 4.8k 0

Platform 中的多項(xiàng)工具已通過(guò)TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證

Mentor, a Siemens business 宣布，該公司 Calibre nmPlatform 和 Analog FastSPICE (AFS...

2018-05-17 標(biāo)簽：芯片 sram 4.7k 0

一款32Mb的PSRAM芯片—JS7324SU16BSP-70LFI

pSRAM 就是偽靜態(tài)SRAM，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一樣的。psram內(nèi)部自帶刷新機(jī)制。PSRAM也由初期的平行接口發(fā)展到串行接口，由SP...

2022-06-29 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram PSRAM 4.7k 0

Arm Helium技術(shù)誕生的由來(lái) 為何不直接采用Neon？

經(jīng)過(guò) Arm 研究團(tuán)隊(duì)多年的不懈努力，Arm 于 2019 年推出了適用于 Armv8?M 架構(gòu)的 Arm Cortex-M 矢量擴(kuò)展技術(shù) (MVE)—...

2024-02-29 標(biāo)簽：處理器寄存器 sram 4.7k 0

淺談異步SRAM存儲(chǔ)器接口電路圖

關(guān)鍵詞：異步SRAM , SRAM SRAM是Static Random-Access Memory的縮寫(xiě)，中文稱(chēng)為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。SRAM是一種具有靜...

2020-03-08 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器接口 sram 4.6k 0

存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)

靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲(chǔ)單元。通過(guò)升高字線(xiàn)的電平觸發(fā)存儲(chǔ)單元，再通過(guò)位線(xiàn)對(duì)所觸發(fā)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭搿Ｔ陟o態(tài)CMOS存儲(chǔ)器中，存儲(chǔ)單元陣...

2020-05-14 標(biāo)簽：存儲(chǔ)單元 sram SRAM存儲(chǔ)單元 4.5k 0

SDRAM與DDR之間的主要差異是什么

內(nèi)存可分為DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存和SRAM靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存兩種。兩種存儲(chǔ)器都是揮發(fā)性的內(nèi)存，SRAM的主要使用flip-flop正反器，通常用于快?。?..

2021-02-22 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 4.5k 0

臺(tái)積電談實(shí)現(xiàn)5nm的關(guān)鍵技術(shù)

? ? 進(jìn)入最近幾年，每當(dāng)我們引入一個(gè)新的先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)，大家都把絕大多數(shù)注意力集中在光刻更新上。引用的常用指標(biāo)是每平方毫米的晶體管或（高密度）SRAM位...

2021-01-08 標(biāo)簽：臺(tái)積電 sram 光刻機(jī) 4.4k 0

淺談SRAM芯片is62wv51216

關(guān)鍵詞：SRAM芯片 , is62wv51216 , SRAM , ISSI代理 ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是...

2020-03-18 標(biāo)簽：芯片 sram ISSI 4.4k 0

SRAM與ROM和Flash Memory的區(qū)別

靜態(tài)SRAM不需要刷新，速度可以很快，比如，CPU內(nèi)部的cache，都是靜態(tài)RAM,缺點(diǎn)是內(nèi)存單元需要大量的晶體管，所以?xún)r(jià)格昂貴，容量小。SRAM靜態(tài)隨...

2022-10-24 標(biāo)簽：FlaSh 存儲(chǔ)器 ROM 4.4k 0

異步SRAM存儲(chǔ)器接口電路設(shè)計(jì)（Altera FPGA開(kāi)發(fā)板）

異步SRAM存儲(chǔ)器接口電路設(shè)計(jì)（Altera FPGA開(kāi)發(fā)板）如圖所示：

2012-08-15 標(biāo)簽：FPGA 接口電路存儲(chǔ)器 4.3k 0

sram儲(chǔ)存器信息詳解

sram是英文static ram的縮寫(xiě)，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

2017-11-03 標(biāo)簽：sram sram儲(chǔ)存器 4.3k 0

什么是F-RAM？

電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示：什么是F-RAM？F-RAM：鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（F-RAM）具有一些獨(dú)一無(wú)二的特...

2012-10-19 標(biāo)簽：DRAM SRAM EEPROM 4.2k 1

物聯(lián)網(wǎng)ram繼承PSRAM的積極特性

IoT RAM即是物聯(lián)網(wǎng)RAM,是基于PSRAM技術(shù)的技術(shù)，它增加了其他接口選項(xiàng)，例如大多數(shù)MCU/FPGA使用的低引腳數(shù)Flash SPI接口，以及S...

2020-04-04 標(biāo)簽：sram RAM AP 4.1k 0

分析芯片內(nèi)部不同硬件資源對(duì)于SEU效應(yīng)敏感性的問(wèn)題

本文重點(diǎn)分析芯片內(nèi)部不同硬件資源對(duì)于SEU效應(yīng)敏感性的問(wèn)題。以SRAM型FPGA為研究對(duì)象，設(shè)計(jì)進(jìn)行了兩種顆粒度不同的故障注入實(shí)驗(yàn)。結(jié)果表明，在FPGA...

2017-11-16 標(biāo)簽：sram seu 效應(yīng)敏感性 4.1k 0

SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)

隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其...

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智融科技SW2505H、SW3566H、SW2325通過(guò)UFCS融合快充功能認(rèn)證

近日，智融科技新款芯片產(chǎn)品SW2505H成功獲得了融合快速充電功能認(rèn)證證書(shū)，證書(shū)編號(hào)0302347161910R0M-UFCS00075。此款產(chǎn)品是繼智...

2023-12-19 標(biāo)簽：控制器 sram Cortex-M0 3.9k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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