模擬技術
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怎么識別色環(huán)電阻器？色環(huán)電阻器怎么判斷呢？
電阻元器件供應鏈-冠發(fā)科技今天為大家講講色環(huán)電阻器怎么判斷?色環(huán)電阻器的判斷方法。...
2023-09-14 標簽：二極管數字萬用表電阻器色環(huán)電阻 4870
怎么解決功率器件塑封過程中引腳壓傷的問題？
引線框架的引腳壓傷是嚴重的質量問題。引腳壓傷不僅會影響產品的外觀質量，嚴重時會 導致產品的電性能異常，甚至導致終端使用時發(fā)生短路、尖端放電等問題。...
2023-09-14 標簽：功率器件 4042
新能源汽車IGBT功率器件溫度測試方案
IGBT 屬于功率半導體器件, 在新能源汽車領域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度, 車輛加速能力和高速度....
2023-09-14 標簽：新能源汽車IGBT功率半導體電子控制系統(tǒng)降壓變換器 1654
微源半導體獲得“模擬半導體優(yōu)秀企業(yè)獎”
“浣沙淘金，模擬論芯”，2023年9月14日，由知名電子科技媒體<電子發(fā)燒友>主辦的2023第五屆模擬半導體大會暨第五屆模擬半導體飛躍成就獎頒獎典禮在中國深圳成功舉辦。...
MOFEST市場是否會被氮化鎵取代？
與等效硅基解決方案相比，氮化鎵基HEMT的開關更快、熱導率更高和導通電阻更低，因此在電路中采用氮化鎵晶體管和集成電路，可提高效率、縮小尺寸并降低各種電源轉換系統(tǒng)的成本。...
三安半導體首發(fā)8英寸碳化硅襯底，國內8英寸加速布局！
從產能來看，湖南三安現有SiC產能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產能2,000片/月。其6英寸碳化硅襯底已通過數家國際大客戶驗證，并實現批量出貨，且20...
2023-09-14 標簽：SiC氮化鎵碳化硅三安光電SiC MOSFET 2551
搭載1200V P7芯片的PrimePACK?刷新同封裝功率密度
繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產品相繼量產并取得客戶認可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應用場景的1200VIGBT7P7芯片，并將其應用在PrimePACK模塊中，再次刷新了該封裝的功率密度上...
sar adc基本原理基礎學習
微分非線性（DNL），對于實際A/D的臺階型的傳輸特性，臺階高度相等，臺階深度往往和理想值Δ存在偏差。定義實際AD碼值從k-1到k轉化對應的轉折電壓為Vk，則如果（Vk-Vk-1）和Δ存在的差別就是...
ESP32-S3 ADC架構外設的深入分析
逐次逼近寄存器型(SAR)模擬數字轉換器(ADC)是采樣速率低于5Msps (每秒百萬次采樣)的中等至高分辨率應用的常見結構。...
運算放大器和電壓比較器的區(qū)別
運算放大器和電壓比較器是電子電路中常見的兩種基本元件，它們在實際應用中有著不同的功能和特性。本文將對這兩種元件進行詳細的介紹，并探討它們之間的區(qū)別。...
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