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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。

運(yùn)算放大器的基本原理、分類及應(yīng)用場景

運(yùn)算放大器(Operational Amplifier,簡稱OP-AMP)是一種高增益、直流耦合的差分放大器。它能夠?qū)斎胄盘栠M(jìn)行放大、濾波、積分、微分等運(yùn)算操作,廣泛應(yīng)用于模擬電路和數(shù)字電路領(lǐng)域。本文將介...

2023-09-13 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器差分放大器 9232

如何判斷晶閘管的好壞 有哪些注意事項(xiàng)

晶閘管(Thyristor,又稱Silicon Controlled Rectifier,簡稱SCR)是一種大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件,具有四層結(jié)構(gòu),其中包括三個結(jié)型晶體管和一個反向阻斷層。晶閘管的主要功能是實(shí)現(xiàn)對電流的精確控制...

2023-09-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶閘管晶體管開關(guān)器件 6600

如何實(shí)現(xiàn)一種基于RT1021的最小系統(tǒng)板設(shè)計?

如何實(shí)現(xiàn)一種基于RT1021的最小系統(tǒng)板設(shè)計?

最小系統(tǒng)使用TYPEC接口供電,帶一塊1.3寸顯示屏,分辨率為:240*240。...

2023-09-13 標(biāo)簽:二極管NAND過壓保護(hù)電路MCU控制器MCU控制器NANDtypec接口二極管過壓保護(hù)電路 2859

PI新品LinkSwitch-XT2SR助力小型敞開式電源應(yīng)用案例

Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)宣布推出LinkSwitch-XT2SR系列離線、恒壓(CV)、非隔離反激式開關(guān)IC。...

2023-09-13 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器 1274

什么是氮化鎵半導(dǎo)體器件?氮化鎵半導(dǎo)體器件特點(diǎn)是什么?

氮化鎵是一種無機(jī)物質(zhì),化學(xué)式為GaN,是氮和鎵的化合物,是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似,硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特...

2023-09-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 4196

三相MOSFET(三個半橋)門驅(qū)芯片-PT5671概述

三相MOSFET(三個半橋)門驅(qū)芯片-PT5671概述

PT5671 是為控制N溝道MOSFETs而設(shè)計的三相Gate驅(qū)動IC。芯片內(nèi)部有3個半橋,共驅(qū)動6個N溝道功率MOSFETs,每一路輸出均由單一邏輯輸入信號控制,由MCU或控制器來控制馬達(dá)工作于任意模式。...

2023-09-13 標(biāo)簽:MOSFET電源電壓QFN封裝電池供電MCU控制器 3231

低成本垂直GaN(氮化鎵)功率器件的優(yōu)勢

低成本垂直GaN(氮化鎵)功率器件的優(yōu)勢

GaN因其特性,作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注,近年來其開發(fā)和市場導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型:水平型(在硅晶圓上生長GaN晶體)和垂直型(原樣使用GaN襯底)。...

2023-09-13 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN碳化硅 2593

SiC pn結(jié)正向壓降為何比硅的高呢?

SiC pn結(jié)正向壓降為何比硅的高呢?

其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大,導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小,呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。...

2023-09-13 標(biāo)簽:MOS管IGBTPN結(jié)SiC載流子 2247

IGBT短路有幾種?IGBT各類短路有何區(qū)別?

IGBT短路有幾種?IGBT各類短路有何區(qū)別?

ABB公司給出了6種,如下表,也就是企業(yè)自己的命名;而在國際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9中僅對短路模式1/2有定義。...

2023-09-13 標(biāo)簽:IGBT額定電壓寄生電感短路電流 3307

與BJT放大電路相比MOSFET偏置電路有什么特點(diǎn)?

與BJT放大電路相比MOSFET偏置電路有什么特點(diǎn)?? BJT放大電路和MOSFET偏置電路都是常見的放大電路,它們在電子元器件中具有很重要的地位。兩者之間存在很多的共同點(diǎn)和差異點(diǎn),本文將重點(diǎn)比較...

2023-09-13 標(biāo)簽:MOSFET放大電路BJT偏置電路BJTMOSFET偏置電路放大電路電源調(diào)節(jié)器 3296

常見的八種運(yùn)算放大器原理簡述

常見的八種運(yùn)算放大器原理簡述

目前市場運(yùn)放種類繁多,面對不同的使用條件和環(huán)境,是否都能選擇一樣的運(yùn)放呢?沒關(guān)系,這是很多電子工程師都會困惑的問題,接下來為你揭開運(yùn)放選型的神秘面紗...

2023-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管運(yùn)算放大器AD轉(zhuǎn)換器CMRR 6638

為什么把BJT放大電路交流通路中的電流源或恒流源看作斷路?

為什么把BJT放大電路交流通路中的電流源或恒流源看作斷路 在BJT放大電路中,將交流通路中的電流源或恒流源看作斷路是為了簡化分析和計算過程。這種簡化方法被稱為小信號模型,可以讓工...

2023-09-13 標(biāo)簽:放大電路BJT電流源 2708

CMOS模擬集成電路之反相器鏈電路的建立和前仿真

CMOS模擬集成電路之反相器鏈電路的建立和前仿真

今天學(xué)習(xí)的是反相器鏈電路的建立和前仿真,說的簡單點(diǎn)就是反相器的原理圖仿真,和用AD畫原理圖一樣,開始是設(shè)計庫,后面是根據(jù)庫中的器件畫原理圖...

2023-09-13 標(biāo)簽:MOS管反相器CMOS集成電路PMOS管 6090

CMOS模擬集成電路版圖之反相器鏈版圖設(shè)計

CMOS模擬集成電路版圖之反相器鏈版圖設(shè)計

在命令行輸入“icfb”,運(yùn)行Cadence Spectre,彈出CIW對話框。...

2023-09-13 標(biāo)簽:多晶硅反相器晶體管CMOS集成電路NMOS管 9628

二極管是集成電路的根基

二極管是集成電路的根基

二極管天天都在用,你了解多少? 二極管是一種基本的電子元件,發(fā)明于100多年前。 1904年,在研制無線電時,人們試圖將一種弱電振蕩轉(zhuǎn)換成弱直流電流,英國工程師弗萊明意識到“愛迪生效...

2023-09-13 標(biāo)簽:集成電路二極管半導(dǎo)體SiC 1043

雙通道ADC SC1269(兼容AD9268)的變壓器耦合設(shè)計
專為iPhone 15而生 慧能泰新一代2C/2C1A多口協(xié)議芯片介紹

專為iPhone 15而生 慧能泰新一代2C/2C1A多口協(xié)議芯片介紹

從早期的“五福一安”,到后面升級到20W快充,iPhone的充電速度在新機(jī)發(fā)售前一直都是各方討論的焦點(diǎn)。...

2023-09-13 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器充電器typec接口iphone15 3350

射頻功率放大器RF PA的功能/分類/性能指標(biāo)/電路組成

射頻功率放大器RF PA的功能/分類/性能指標(biāo)/電路組成

身為射頻工程師,工作多多少少都會涉及到功率放大器。功率放大器可以說是很多射頻工程師繞不過的坎。功能、分類、性能指標(biāo)、電路組成、效率提升技術(shù)、發(fā)展趨勢……關(guān)于射頻功率放大器...

2023-09-13 標(biāo)簽:放大器功率放大器天線RF 2993

LATP和TiO2在固態(tài)電池中的作用機(jī)制!

LATP和TiO2在固態(tài)電池中的作用機(jī)制!

陶瓷顆粒分散在聚合物基體中的復(fù)合固態(tài)電解質(zhì)(CSE)可以將全固態(tài)電池(ASSB)的前景轉(zhuǎn)化為實(shí)際應(yīng)用。...

2023-09-13 標(biāo)簽:鋰離子電池驅(qū)動器晶體管固態(tài)電池固態(tài)電解質(zhì) 9853

淺談MOSFET的基本參數(shù)

今天和大家分享一下MOSFET的設(shè)計參數(shù),MOSFET在電路設(shè)計中應(yīng)用非常廣泛,尤其是模擬電路中,各種電源變換,電機(jī)控制中都會看到MOSFET的身影,而MOSFET作為開關(guān)器件,需要了解的知識還是很多的...

2023-09-13 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)控制晶體管源極 2955

反激變換器的整流二極管上面為什么要并聯(lián)電容和電阻?

反激變換器的整流二極管上面為什么要并聯(lián)電容和電阻? 反激變換器(Flyback Converter),又稱反激式開關(guān)電源,是一種常見的開關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其主要特點(diǎn)是采用一個能量存儲元件(如變壓器...

2023-09-12 標(biāo)簽:電容器整流二極管并聯(lián)電容反激變換器 7935

晶體三極管的工作狀態(tài)

晶體三極管的工作狀態(tài)

今天我就要開始學(xué)習(xí)雙極型晶體三極管,因?yàn)橛袃蓚€極性相反的載流子。一個自由電子、一個空穴,我們又簡稱“三極管”。...

2023-09-12 標(biāo)簽:三極管晶體三極管NPN管PNP管電流控制器 2280

你所不知道的穩(wěn)壓二極管

你所不知道的穩(wěn)壓二極管

特殊二極管里有穩(wěn)壓二極管、發(fā)光二極管、光電二極管和變?nèi)荻O管等等。...

2023-09-12 標(biāo)簽:穩(wěn)壓二極管發(fā)光二極管電流控制光電二極管限流電阻 1760

那些你知道但又不完全知道的半導(dǎo)體二極管器件

那些你知道但又不完全知道的半導(dǎo)體二極管器件

二極管的類型還是比較多的,有點(diǎn)接觸型、面接觸型、硅平面接觸型。具體怎么個性能和用法小編就不和大家詳細(xì)介紹了,感興趣的大家可以在網(wǎng)上查一查。...

2023-09-12 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體等效電阻直流電壓源二極管半導(dǎo)體正弦電壓直流電壓源等效電阻 1740

IGBT的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場趨勢

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高功率半導(dǎo)體器件,具有開關(guān)速度快、損耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。本文將對IGBT的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場趨勢進(jìn)行簡...

2023-09-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBTBJT功率半導(dǎo)體 5843

SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展趨勢

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能,在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域...

2023-09-12 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC碳化硅 5574

什么是本征半導(dǎo)體與PN結(jié)?

什么是本征半導(dǎo)體與PN結(jié)?

特點(diǎn):導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體。...

2023-09-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體載流子 3114

多模式恒壓控制開關(guān)電源芯片U95113介紹

開關(guān)電源芯片U95113是一款高性能、低成本的原邊控制功率開關(guān),內(nèi)置高壓功率三極管,可提供高精度恒壓和恒流輸出性能,尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用。...

2023-09-12 標(biāo)簽:下拉電阻充電器emi恒壓開關(guān)電源芯片大功率三極管 2182

buck型斬波中電容、電感、二極管各起什么作用?

buck型斬波中電容、電感、二極管各起什么作用? Buck型斬波電路是一種非常常見的電源電路,可以被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)等各種場合。其主要優(yōu)點(diǎn)是高效、穩(wěn)定和可控,因此備受青...

2023-09-12 標(biāo)簽:二極管電感器場效應(yīng)管嵌入式系統(tǒng)斬波電路 4337

buck-boost電路續(xù)流二極管承受電壓怎么算?

buck-boost電路續(xù)流二極管承受電壓怎么算? Buck-Boost電路續(xù)流二極管承受電壓,是一個值得重視的話題。在此文章中,我們將詳細(xì)討論什么是Buck-Boost電路,續(xù)流二極管的作用以及如何計算其承受...

2023-09-12 標(biāo)簽:電容器boost電路續(xù)流二極管buck電路 3416

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