模擬技術(shù)
電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。
MOS管及本征增益簡(jiǎn)介
MOS,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文名稱的縮寫，是一種獨(dú)特的半導(dǎo)體器件，它通過電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路的電流，這一特性使其得名。...
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測(cè)試方案
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超...
使用環(huán)旭電子FEDS平臺(tái)解決電源完整性模擬難題
在現(xiàn)代高速電子系統(tǒng)中，電源完整性是指確保電子系統(tǒng)中所有元件都能穩(wěn)定、準(zhǔn)確地獲得電源電壓和電流，以確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行，避免受到雜訊或波動(dòng)的影響。電源完整性已成為系統(tǒng)性能和可靠...
2025-01-14 標(biāo)簽：IC設(shè)計(jì)電子系統(tǒng)電源完整性 1204
飛虹半導(dǎo)體MOS管FHP230N06V在電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中的應(yīng)用
在24-36V的BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中，MOS管作為核心功率開關(guān)元件，負(fù)責(zé)高效能量轉(zhuǎn)換、精準(zhǔn)電流控制和系統(tǒng)保護(hù)。因此在電路設(shè)計(jì)中選擇一款好的MOS管是能真正提升整個(gè)BLDC驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能和壽命。...
2025-01-13 標(biāo)簽：控制器場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1826
飛虹半導(dǎo)體MOS管FHP230N06V在戶外儲(chǔ)能電源中的應(yīng)用
MOS管在戶外儲(chǔ)能電源里通常扮演功率開關(guān)的作用，它是確保整個(gè)產(chǎn)品系統(tǒng)高效運(yùn)行和長(zhǎng)久穩(wěn)定的重要一環(huán)。尤其是在逆變模塊中的DC-DC推挽拓?fù)渖龎弘娐飞鲜褂?，它充?dāng)高頻開關(guān)操作，實(shí)現(xiàn)直流...
2025-01-13 標(biāo)簽：MOS管功率開關(guān)儲(chǔ)能電源 1520
軌到軌運(yùn)放與一般運(yùn)放的區(qū)別
在電子工程領(lǐng)域，運(yùn)算放大器（運(yùn)放）作為模擬信號(hào)處理的核心組件，其性能直接影響電路的整體表現(xiàn)。軌到軌運(yùn)放（Rail-to-Rail Operational Amplifier, 簡(jiǎn)稱RRIO）作為一類特殊的運(yùn)放，相較于傳統(tǒng)的...
2025-01-30 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器運(yùn)放軌到軌 3639
雪崩失效和過壓擊穿哪個(gè)先發(fā)生
在電子與電氣工程領(lǐng)域，雪崩失效與過壓擊穿是兩種常見的器件失效模式，它們對(duì)電路的穩(wěn)定性和可靠性構(gòu)成了嚴(yán)重威脅。盡管這兩種失效模式在本質(zhì)上是不同的，但它們之間存在一定的聯(lián)系和...
極海G32R501全數(shù)字雙向電源參考方案介紹
雙向電源控制技術(shù)廣泛應(yīng)用于戶用儲(chǔ)能、便攜式儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車等應(yīng)用，在能源使用效率備受關(guān)注的今天，雙向電源必須滿足更高的效率和可靠性標(biāo)準(zhǔn)，高轉(zhuǎn)換效率已成為數(shù)字電源市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)...
2025-01-10 標(biāo)簽：mcu數(shù)字電源碳化硅極海半導(dǎo)體 1591
采用MPS 可變關(guān)斷時(shí)間控制器HFC0300實(shí)現(xiàn)反激變換器的設(shè)計(jì)指南
本應(yīng)用說明介紹了采用MPS 可變關(guān)斷時(shí)間控制器HFC0300實(shí)現(xiàn)反激變換器的設(shè)計(jì)指南，如圖 1 所示。遵循本文的步驟，即可輕松設(shè)計(jì)具有可變關(guān)斷時(shí)間（或準(zhǔn)固定導(dǎo)通時(shí)間）控制的反激變換器。此外...
2025-01-09 標(biāo)簽：MPS反激變換器MPS反激變換器時(shí)間控制器 3240
Imagination：2025年強(qiáng)勢(shì)復(fù)蘇，邊緣AI、汽車帶給半導(dǎo)體IP廠商新動(dòng)能
又到了歲末年初之際，回顧過去的2024年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有增長(zhǎng)也有陣痛，復(fù)盤2024年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)狀況，有哪些長(zhǎng)足的進(jìn)展又有哪些短板？展望2025年，半導(dǎo)體市場(chǎng)又有哪些機(jī)會(huì)，該如何發(fā)展？為此...
2025-01-09 標(biāo)簽：邊緣AI 1032
柵極驅(qū)動(dòng)DCDC電源模塊在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的應(yīng)用
在現(xiàn)代電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，高效能與高安全性是設(shè)計(jì)的核心目標(biāo)。而功率半導(dǎo)體器 (如 IGBT、MOSFET、SiC 和 GaN器件) 的性能直接決定系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。...
2025-01-09 標(biāo)簽：電機(jī)IGBT驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)電源模塊DCDC 2585
三菱電機(jī)超小型全SiC DIPIPM解析
在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上，三菱電機(jī)開發(fā)了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優(yōu)勢(shì)。...
既然增益帶寬積中的增益是開環(huán)增益及其帶寬，那如何用增益帶寬積計(jì)算電路閉
Part 01 前言 之前的文章中（硬件工程師面試?？嫉囊坏李}，講講運(yùn)算放大器的增益帶寬積），我們講解了增益帶寬積中的增益表示的是運(yùn)放的開環(huán)增益，并且增益帶寬積只有在一定的頻率范圍內(nèi)...
2025-01-08 標(biāo)簽：運(yùn)放電路運(yùn)放增益帶寬開環(huán)增益 5811
討論影響現(xiàn)代LDO穩(wěn)壓器總啟動(dòng)時(shí)間的因素,揭秘LDO開通(啟動(dòng))時(shí)間
本文主要討論了影響現(xiàn)代 LDO 穩(wěn)壓器總啟動(dòng)時(shí)間的因素，提出了計(jì)算開通斜坡時(shí)間的數(shù)學(xué)基礎(chǔ)，還介紹了浪涌電流計(jì)算、分析及最大壓擺率相關(guān)內(nèi)容。具體如下： *附件：揭秘 LDO 開通 啟動(dòng) 時(shí)間...
2025-01-07 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器ldoldo啟動(dòng)時(shí)間穩(wěn)壓器 3261
FPGA在AI方面有哪些應(yīng)用
隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)計(jì)算性能的需求也日益增長(zhǎng)。FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列）作為一種高性能、低功耗、可靈活編程的硬件平臺(tái)，正逐漸在 AI 領(lǐng)域嶄露頭角，展現(xiàn)出獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，為...
2025-01-06 標(biāo)簽：FPGAAI智能機(jī)器人深度學(xué)習(xí) 2819
谷泰微GT834X系列低壓運(yùn)算放大器產(chǎn)品介紹
GT834X系列包括單路、雙路和四路運(yùn)算放大器，是一款高性能，低功耗，軌到軌輸入輸出的低壓運(yùn)算放大器。這些放大器支持2.2V至5.5V的單電源供電，也支持±1.1V~±2.75V的雙電源供電的應(yīng)用場(chǎng)景，...
2025-01-06 標(biāo)簽：二極管濾波器運(yùn)算放大器 1372
數(shù)模轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用和工作原理
數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）用途極為廣泛，遍布各類電子設(shè)備與系統(tǒng)，在數(shù)字信號(hào)與模擬信號(hào)的交互 “橋梁” 上扮演關(guān)鍵角色。...
2025-01-06 標(biāo)簽：音頻dac仿真數(shù)模轉(zhuǎn)換器 4548
江蘇潤(rùn)石14位雙通道AD轉(zhuǎn)換芯片RS1522介紹
RS1522是一款14位雙通道AD轉(zhuǎn)換芯片，采用Pipeline架構(gòu)設(shè)計(jì)，帶有片上采樣保持電路和時(shí)鐘占空比穩(wěn)定器，支持全差分輸入，轉(zhuǎn)換速率支持20M、40MSPS，在整個(gè)工作電壓和工作溫度范圍內(nèi)具有出色的動(dòng)...
2025-01-06 標(biāo)簽：穩(wěn)定器轉(zhuǎn)換芯片江蘇潤(rùn)石 1688
擴(kuò)頻時(shí)鐘技術(shù)分享：SSC技術(shù)是什么、SSC對(duì)測(cè)試高速總線信號(hào)的影響
擴(kuò)頻時(shí)鐘，全稱Spread Spectrum Clocking。當(dāng)前PCIE、SATA、SAS、USB3.0等幾乎所有的高速芯片都支持SSC的功能。我們?cè)谌粘５臏y(cè)試中也會(huì)經(jīng)常接觸到SSC，包括在測(cè)試高速信號(hào)的速率時(shí)，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)信號(hào)的...
MOSFET的米勒平臺(tái)電壓很重要，1400字教你兩種方式計(jì)算出米勒平臺(tái)電壓值
Part 01 前言 MOSFET米勒效應(yīng)是指在MOSFET的開關(guān)過程中，由于柵極-漏極之間的電容Cgd的存在，漏極電壓的變化會(huì)通過該電容耦合到柵極，導(dǎo)致柵極電壓出現(xiàn)不希望的變化。 在MOSFET開關(guān)的過程中，特...
電流感應(yīng)放大器主要功能_電流感應(yīng)放大器工作原理
電流感應(yīng)放大器是一種基于磁耦合原理的電路，主要功能包括以下幾個(gè)方面： 一、信號(hào)放大 電流感應(yīng)放大器的主要功能之一是將低電平的信號(hào)放大到可以被檢測(cè)的范圍內(nèi)。在電子...
2025-01-27 標(biāo)簽：放大器電流感應(yīng) 2816
IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)說明
IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn) 1.1 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、通過實(shí)驗(yàn)獲取IGBT驅(qū)動(dòng)板及IGBT模塊的主要?jiǎng)討B(tài)參數(shù)，如延時(shí)、上升、下降時(shí)間、開關(guān)損耗等； 2、通過實(shí)驗(yàn)獲得功率組件設(shè)計(jì)中濾波電容、吸收電容、復(fù)...
電動(dòng)汽車BMS開發(fā)中的建模和仿真用例
安全性是電動(dòng)汽車 (EV)的首要關(guān)注點(diǎn)。鋰離子電池是電動(dòng)汽車的典型選擇，其能量密度高，如果操作條件偏離電池的設(shè)計(jì)條件，則會(huì)帶來故障風(fēng)險(xiǎn)。電池管理系統(tǒng) (BMS) 對(duì)于防止負(fù)面后果至關(guān)重要...
2025-01-03 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車仿真電池管理系統(tǒng)bms 2009
上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品介紹
上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品。貝嶺150V SGT系列產(chǎn)品采用業(yè)界先進(jìn)工藝，使得器件具有良好的柵極漏電流IGSS性能；采用深溝槽、多層外延襯底以及多重浮空環(huán)終端結(jié)構(gòu)，使得器件具有極低的...
2025-01-03 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器電機(jī)上海貝嶺 2792
SiC MOSFET如何選擇柵極驅(qū)動(dòng)器
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位，這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、泵以及電動(dòng)汽車（EV）等。然而，市場(chǎng)對(duì)更小型化產(chǎn)品的需求，以及設(shè)計(jì)人員面臨的提高電...
2025-01-02 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFET安森美SiC柵極驅(qū)動(dòng)器 1925
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