模擬技術
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解析汽車拋負載Load Dump：load dump產生原因與TVS并聯(lián)保護方案
讓我們聊聊Load Dump 在汽車電子中，load dump指的是低壓電池在充電時與車輛的發(fā)電機突然斷開連接。由于電池的突然斷開，其余被接在發(fā)電機總線上的負載會承受非常大的浪涌電壓。這個浪涌電...
互補場效應晶體管的結構和作用
隨著半導體技術不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場效應晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環(huán)繞柵或圍柵（GAA, Gate-all-Around）全環(huán)繞柵極晶體管(GAAFET)等...
柵極驅動芯片最大開關頻率的估算方法
最大開關頻率是柵極驅動芯片的重要性能指標，其表現會受到驅動芯片的封裝、負載條件、散熱等多方面因素的制約。此外，如果半橋驅動集成了自舉二極管，功耗的計算方式也會有所不同。本...
德州儀器隔離式交流電壓檢測器件的應用示例
隨著汽車和工業(yè)應用領域對獲取更多可再生能源的需求不斷增長，對小型、高效、精確且具有成本效益的功率轉換器和電機控制器的需求正在高速增長。...
電池采樣電路異常原因分析和解決方案
俗話說的好“電路和我有一個能跑就行，電路不跑我就跑”。今天這期帶來的是群友的一個硬件bug。...
Circuit idea # 主動分流調節(jié)器和預負載
對于多輸出電源，可以使用有源分流穩(wěn)壓器和預負載電路來防止在不平衡負載條件下輸出電壓上升。 描述： 在線壓交流到低壓直流開關電源的世界里，反激式是最常用的拓撲結構之一。這樣做...
解鎖AI設計潛能，ASO.ai如何革新模擬IC設計
電子發(fā)燒友網報道（文/黃山明）在當今科技飛速發(fā)展的時代，半導體行業(yè)作為眾多前沿技術的基石，正面臨著前所未有的機遇與挑戰(zhàn)。隨著電子系統(tǒng)越來越復雜，芯片電路設計也變得更為復雜...
功率半導體器件的雙脈沖測試方案
我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內的器件，這相當于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務的高電壓、高電流和快速開關系統(tǒng)的性質帶來了許多在普通5V或12V系統(tǒng)中不會出現的挑戰(zhàn)。...
2025-01-22 標簽：IGBTSiC功率半導體任意波形發(fā)生器 3487
飛虹半導體MOS管FHP230N06V在高頻開關電源中的應用
都說技術創(chuàng)新是永無止境的，這一方面在力源海納身上呈現尤為顯著，他們首創(chuàng)在高頻逆變部分采用低內阻碳化硅MOS管替代傳統(tǒng)IGBT，以大幅降低該部分損耗的大功率碳化硅同步整流電源研發(fā)成...
飛虹半導體MOS管FHP230N06V在不間斷電源中的應用
不間斷電源在很多工廠的生產線上都是非常重要的存在，依靠不間斷電源可以確保產線的安全，避免損失。因此不間斷電源廠家如何讓其產品性能更優(yōu)才可以確保市場對其產品的認可。...
TI感知產品重塑駕乘體驗，邊緣AI加持，性能成本兼得
電子發(fā)燒友網報道（文/黃晶晶）智能汽車帶來了更佳的駕駛體驗，這背后是半導體技術帶來的創(chuàng)新。隨著提高乘客安全性的新法規(guī)和汽車安全評鑒項目陸續(xù)出臺, 汽車制造商需要集成更準確、穩(wěn)...
SGT MOSFET的優(yōu)勢解析
SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進的功率半導體器件。這種技術改變了MOSFET內部電場的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場進一步的變更為類似壓縮的梯形電場，可以進一步減小EPI層的厚度，降...
UCG28826 中文數據手冊 具有集成式 GaN (65W) 的自偏置高頻 QR 反激式轉換器
UCG28826 是一款高頻準諧振反激式轉換器，內置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT)，可將交流電轉換為直流電，適用于高達 65W的電源轉換器。它非常適合高功率密度應用，例如手機快速充電器和...
Si IGBT和SiC MOSFET混合器件特性解析
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用Si IGBT和SiCMOSFET器件在不...
功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數Ψth(j-top)獲取結溫信息
/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。...
MOS管在開關電源中的核心作用
金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET)是現代電子技術中不可或缺的元器件之一，在開關電源設計中扮演著至關重要的角色。開關電源作為現代電力轉...
江蘇潤石12位低功耗數模轉換芯片RS1320介紹
RS1320是一款低功耗的單通道12位數模轉換芯片，工作電壓支持2.7V至5.5V，支持SPI、QSPI、Microwire和DSP接口，可用于實現數字信號控制輸出模擬電壓、還原模擬信號、或者提供可控制的參考電壓，在...
安森美MOSFET賦能數據中心高效率電源
電力正在成為威脅人工智能 （AI） 進步的最新瓶頸，而人工智能迅猛增長的算力背后，攀升的能源占用也正在大量擠占正常的社會用能需求···...
使用羅德與施瓦茨SMW200A的GNSS欺騙測試方案
全球衛(wèi)星導航系統(tǒng)（GNSS）能夠為近地空間各類用戶提供全天候、連續(xù)、高精度的位置、速度和時間信息（PVT），具有其他系統(tǒng)不可比擬的性能優(yōu)勢。隨著衛(wèi)星導航定位技術的發(fā)展，其應用已逐...
中微愛芯2W帶關斷模式的AB類音頻功放介紹
注意事項：AiP8002與AiP8002D在應用上類似，AiP8002D的PIN3為NC腳；AiP4890與AiP4890D在應用上類似，AiP4890D的PIN3為NC腳。AiP8002與AiP4890在關斷引腳電平上存在區(qū)別。...
詳解IGBT并聯(lián)的技術要點（1）
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了...
安森美如何引領電源技術的綠色變革
在全球氣候變化日益嚴峻的背景下，節(jié)能減排已成為國際社會共同面臨的重大課題。各國政府紛紛出臺政策，推動能源結構轉型和低碳經濟發(fā)展，旨在實現《巴黎協(xié)定》設定的溫升控制目標。在...
基本半導體正激DCDC開關電源芯片BTP1521x簡介
基本半導體自主研發(fā)的BTP1521x是一款正激DCDC開關電源芯片，集成上電軟啟動功能及過溫保護功能，輸出功率可達6W。該電源芯片工作頻率通過OSC腳設定，最高工作頻率可達1.3MHz，適用于給隔離驅...
安世半導體助力構成光儲充一體化系統(tǒng)解決方案
在中國，新能源電動汽車市場已經進入了高速發(fā)展期。根據公安部數據顯示，截至2024年6月底，我國新能源汽車保有量已達2472萬輛[1]。然而與電動汽車的需求增速相比形成巨大反差的是，作為電...
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