模擬技術(shù)
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國內(nèi)新增6個(gè)SiC項(xiàng)目動(dòng)態(tài)：芯片、模塊、封裝等
2月26日，據(jù)鹽城市建湖縣人民政府網(wǎng)信息，芯干線投資建設(shè)的第三代半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)及智能功率模塊封測項(xiàng)目，將抓緊做好設(shè)備訂購調(diào)試，盡快實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。...
2024-02-28 標(biāo)簽：SiC半導(dǎo)體芯片功率芯片 1988
東芝已推出兩款適用于功率器件中的柵極驅(qū)動(dòng)電路
碳中和發(fā)展熱火朝天，為協(xié)調(diào)人類與環(huán)境的關(guān)系我們不斷從各方面做出改變，并積極采取各項(xiàng)行動(dòng)。在...
2024-02-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管額定電壓LED驅(qū)動(dòng)電路半導(dǎo)體晶體管額定電壓 1571
求一種多通道數(shù)模轉(zhuǎn)換器ADC動(dòng)靜態(tài)參數(shù)測試解決方案
模數(shù)轉(zhuǎn)換器，即Analog-to-Digital Converter，常稱ADC，是指將連續(xù)變量的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為離散的數(shù)字信號(hào)的器件。...
2024-02-27 標(biāo)簽：信噪比模數(shù)轉(zhuǎn)換器信號(hào)發(fā)生器ADC采樣ADC采樣信號(hào)發(fā)生器信噪比模數(shù)轉(zhuǎn)換器諧波失真 2089
MOS管驅(qū)動(dòng)電路gs兩端并接一個(gè)電阻有何作用？
如圖所示MOS管驅(qū)動(dòng)電路，定性分析可知，當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí)，MOS管兩端應(yīng)力為Vds，此時(shí)Vds向Cgd和Cgs充電，可能導(dǎo)致Vgs達(dá)到Vgs(th)導(dǎo)致MOS管誤導(dǎo)通。...
2024-02-27 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路VDS 5337
如何定義MOSFET數(shù)據(jù)表
作為一名功率MOSFET的產(chǎn)品營銷工程師，在FET數(shù)據(jù)表的所有內(nèi)容中，除了電流額定值之外，我被問到的最多的問題可能就是安全工作區(qū) (SOA) 曲線了。...
2024-02-27 標(biāo)簽：MOSFET電感器函數(shù)脈沖電流MOSFET函數(shù)數(shù)據(jù)表電感器脈沖電流 1658
碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)全景：國內(nèi)外主要廠商分布圖
中國在碳化硅襯底領(lǐng)域的布局顯示出了其對(duì)半導(dǎo)體材料自主供應(yīng)鏈建設(shè)的重視。隨著全球?qū)Ω咝?、高耐用性電子器件需求的增加，碳化硅襯底由于其在高溫、高電壓和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)異性能...
2024-02-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅 3120
功率MOSFET的UIS(UIL)特性深度解析
選擇一個(gè)工作點(diǎn)而不是另一個(gè)工作點(diǎn)作為數(shù)據(jù)表“最大”額定值的一些原因包括：選擇工作點(diǎn)作為在生產(chǎn)線末端測試時(shí)用于篩選器件的相同工作點(diǎn)，或者出于營銷或客戶目的以指示某些所需的能...
意法半導(dǎo)體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。...
2024-02-27 標(biāo)簽：微控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)器意法半導(dǎo)體IGBT 2175
電流與電壓互感器有何差異
電壓互感器同樣利用電磁感應(yīng)原理工作，不過變換的是電壓。它和另一個(gè)為人熟知的變換電壓的裝置——變壓器類似，但是二者功能并不一樣，而且電壓互感器的容量通常不會(huì)太大。...
2024-02-26 標(biāo)簽：變壓器電流電氣系統(tǒng)電壓互感器 1583
什么是MOS管
MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。...
2024-02-26 標(biāo)簽：MOSFETMOS管場效應(yīng)晶體管柵極電壓 4231
柵極浮空的定義 MOS管的柵極為什么不能浮空呢？
柵極浮空，顧名思義，就是 MOS 管的柵極不與任何電極相連，處于懸浮狀態(tài)。...
2024-02-25 標(biāo)簽：開關(guān)電路上拉電阻MOS管信號(hào)傳輸柵極電壓 4995
一文詳解雪崩擊穿與齊納擊穿
材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中，當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí)，空間電荷區(qū)中的電場隨著增強(qiáng)。...
GeSiSPAD器件的基準(zhǔn)和概念
作者報(bào)告了采用CMOS兼容制造工藝制造的15 μm直徑的鍺硅(GeSi)SPAD，并在室溫下對(duì)其進(jìn)行表征，以證明其高性能。作者定義了噪聲等效功率(NEP)以對(duì)文獻(xiàn)中報(bào)道的SPAD進(jìn)行基準(zhǔn)測試。...
2024-02-25 標(biāo)簽：CMOS二極管接觸電阻激光雷達(dá)系統(tǒng) 1371
LDO的PSRR的各種測量方法
從公式中可以看出PSRR越大，相同輸入紋波在輸出端的紋波越小，對(duì)于紋波有較高要求的射頻和無線應(yīng)用中，需要選用高PSRR的LDO。那么LDO的PSRR該如何測量呢？本文總結(jié)了各種測量方法。...
2024-02-25 標(biāo)簽：射頻ldo輸出電壓信號(hào)發(fā)生器PSRR 4065
國內(nèi)上市的碳化硅企業(yè)的表現(xiàn)情況
碳化硅之所以受到投資青睞，歸功于其獨(dú)特的半導(dǎo)體屬性，能夠在極端的高溫、高壓、高功率、和高頻環(huán)境中發(fā)揮出色，預(yù)示著其在多種應(yīng)用場景中的巨大潛力。...
2024-02-25 標(biāo)簽：碳化硅 2984
深度探究聲波濾波器行業(yè)的發(fā)展與變革
射頻（Radio Frequency）表示能夠遠(yuǎn)距離在空間傳播的電磁波頻率，一般范圍在 300k-300GHZ，用于進(jìn)行無線通信。射頻系統(tǒng)是通信系統(tǒng)中負(fù)責(zé)處理射頻信號(hào)發(fā)送與接收的部分，包含射頻收發(fā)器，天線以...
2024-02-23 標(biāo)簽：無線通信低噪聲放大器射頻前端低噪聲放大器聲波濾波器射頻前端射頻開關(guān)無線通信 2978
電感過熱排查方法與步驟
由于設(shè)計(jì)的習(xí)慣性，輸入電容Cin和輸出電容Cout都用了貼片電解電容，某寶買的。47uF/50V，輸入和輸出各放了一顆，再加幾顆小電容。...
2024-02-23 標(biāo)簽：負(fù)載電流開關(guān)電源電感電解電容電源芯片 1276
碳化硅襯底價(jià)格戰(zhàn)風(fēng)起云涌？聽產(chǎn)業(yè)鏈上市公司怎么說
對(duì)于一線SiC廠商掀起“價(jià)格戰(zhàn)”、SiC襯底降價(jià)近三成等說法，業(yè)內(nèi)持有不同觀點(diǎn)。...
天睿半導(dǎo)體項(xiàng)目將新建8英寸碳化硅SiC和氮化鎵GaN晶圓廠
2月20日，福州市可持續(xù)發(fā)展暨企業(yè)家大會(huì)召開，大會(huì)進(jìn)行了重大項(xiàng)目集中簽約儀式，長樂區(qū)簽約落地16個(gè)重大項(xiàng)目，其中之一為天睿半導(dǎo)體項(xiàng)目。...
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