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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>

模擬技術(shù)

電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。

逆勢而上,第三代半導(dǎo)體碳化硅在2023年大放異彩

擴(kuò)產(chǎn)和市場落地火熱也快速體現(xiàn)在相關(guān)公司業(yè)績中。無論是國際巨頭還是國內(nèi)A股上市公司,2023年與碳化硅相關(guān)的業(yè)績都出現(xiàn)了較快成長態(tài)勢。...

2024-02-23 標(biāo)簽:新能源汽車功率器件SiC碳化硅SiC光伏發(fā)電功率器件新能源汽車碳化硅 704

ISSCC 2024臺積電談萬億晶體管,3nm將導(dǎo)入汽車

ISSCC 2024臺積電談萬億晶體管,3nm將導(dǎo)入汽車

臺積電推出更先進(jìn)封裝平臺,晶體管可增加到1萬億個(gè)。...

2024-02-23 標(biāo)簽:臺積電晶體管機(jī)器學(xué)習(xí)ChatGPT 2328

反相輸入放大器,小心這些隱藏的坑!

反相輸入放大器,小心這些隱藏的坑!

根據(jù)運(yùn)放“虛短虛斷”的特點(diǎn)來分析下,上圖同相輸入端接地,電位為0,根據(jù)運(yùn)放虛短的特點(diǎn),運(yùn)放的3腳同相輸入端和4腳反相輸入端的電位相等,所以4腳反相輸入端的電位也為0電位。...

2024-02-23 標(biāo)簽:放大器反相放大器電壓源 1081

東芝推出高速二極管型功率MOSFET助力提高電源效率

東芝推出高速二極管型功率MOSFET助力提高電源效率

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI(HSD),...

2024-02-22 標(biāo)簽:二極管MOSFETDFN封裝東芝半導(dǎo)體 2504

Vishay推出多功能新型30 V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET

Vishay推出多功能新型30 V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET

Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度,增強(qiáng)熱性能。...

2024-02-22 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETVishay導(dǎo)通電阻BLDC 2126

IGBT模塊理論研究:IGBT三相逆變電路分析

IGBT模塊理論研究:IGBT三相逆變電路分析

芯片結(jié)溫計(jì)算,需要獲取芯片的損耗,損耗的準(zhǔn)確性,決定了計(jì)算芯片結(jié)溫的準(zhǔn)確性。...

2024-02-22 標(biāo)簽:IGBTIGBTSPWM三相逆變導(dǎo)通損耗 6620

天岳先進(jìn)占據(jù)全球?qū)щ娦吞蓟枰r底市場第二

在電動汽車、電力設(shè)備以及能源領(lǐng)域驅(qū)動下,SiC功率器件市場需求整體堅(jiān)挺, 2030年SiC功率器件市場規(guī)模將達(dá)到近150億美元,占到整體功率器件市場約24%,2035年則有望超過200億美元,屆時(shí)SiC器件...

2024-02-22 標(biāo)簽:SiCGaN碳化硅 668

村田開始量產(chǎn)0402M超小尺寸、低損耗MLCC

村田開始量產(chǎn)0402M超小尺寸、低損耗MLCC

近年來,隨著5G的普及, MIMO被引入的情況逐漸增多,以實(shí)現(xiàn)5G的高速、大容量通信、多連接和低延遲的特性,但由于它需要多臺收發(fā)信號的設(shè)備,因此對無線通信電路模塊化需求日益增加。...

2024-02-21 標(biāo)簽:MLCCRF陶瓷電容器村田5G 1036

硬件工程師電路設(shè)計(jì)的九大模塊電路

硬件工程師電路設(shè)計(jì)的九大模塊電路

硬件電路設(shè)計(jì)總結(jié)主要包括以下幾個(gè)主要的模塊:電源模塊,存儲模塊,顯示模塊,和對外接口模塊。...

2024-02-21 標(biāo)簽:pcb電源系統(tǒng)去耦電容pcbPCB去耦電容去耦電容存儲模塊模塊電路電源系統(tǒng) 2909

單片機(jī)基礎(chǔ):代碼如何控制硬件的?

單片機(jī)基礎(chǔ):代碼如何控制硬件的?

繼電器是一種利用電磁鐵控制的開關(guān);當(dāng)向電磁鐵通電時(shí)就產(chǎn)生磁場,而這個(gè)磁場就會吸合或者分離開關(guān),從而實(shí)現(xiàn)“以微弱電流控制另一條電路的通斷”這個(gè)功能。...

2024-02-21 標(biāo)簽:繼電器單片機(jī)存儲器STM32數(shù)字電路 2761

Qorvo借助SiC FET獨(dú)特優(yōu)勢,穩(wěn)固行業(yè)領(lǐng)先地位

在產(chǎn)品研發(fā)方面,2023年,Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)(5.4mΩ)的TOLL封裝750V FET,這是任何其它功率半導(dǎo)體技術(shù)(如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET)均無法超越的。...

2024-02-21 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiCQorvo 735

內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC助推工廠智能化

內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC助推工廠智能化

各行各業(yè)的工廠都在擴(kuò)大生產(chǎn)線的智能化程度,在生產(chǎn)線上的裝置和設(shè)備旁邊導(dǎo)入先進(jìn)信息通信設(shè)備的工廠越來越多。...

2024-02-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC人工智能AC-DC 1845

為什么在MOS管開關(guān)電路設(shè)計(jì)中使用三極管容易燒壞?如何解決?

為什么在MOS管開關(guān)電路設(shè)計(jì)中使用三極管容易燒壞?如何解決?

MOS管作為一種常用的開關(guān)元件,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和低功耗等優(yōu)點(diǎn),因此在許多電子設(shè)備中廣泛應(yīng)用。...

2024-02-21 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路濾波電容TTLMOS管 3669

河南第一塊8英寸碳化硅SiC單晶出爐!

平煤神馬集團(tuán)碳化硅半導(dǎo)體粉體驗(yàn)證線傳來喜訊——實(shí)驗(yàn)室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶,全面驗(yàn)證了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導(dǎo)體粉體在長晶方面的獨(dú)特優(yōu)勢。...

2024-02-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1862

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展

近日,西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)劉艷教授和羅拯東副教授在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展,相...

2024-02-20 標(biāo)簽:集成電路MOSFET晶體管電壓控制漏電流 1838

廣州新增青藍(lán)半導(dǎo)體SiC模塊產(chǎn)線 全年產(chǎn)量或達(dá)80萬只

新的一年,許多碳化硅企業(yè)紛紛開工,龍騰虎躍開新篇!廣州番禺區(qū)一家SiC模塊企業(yè)也開足馬力忙生產(chǎn),全年產(chǎn)量或達(dá)80萬只。...

2024-02-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBTSiC碳化硅 2292

ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換器的簡介及參數(shù)詳解

ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換器的簡介及參數(shù)詳解

ADC全稱是Analog-to-DigitalConverter模數(shù)轉(zhuǎn)換器,一般我們把模擬信號(Analogsignal)用A來進(jìn)行簡寫,數(shù)字信號(digitalsignal)用D來表示。是用于將模擬形式的連續(xù)信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字形式的離散信號的一類設(shè)備。...

2024-02-19 標(biāo)簽:adc模數(shù)轉(zhuǎn)換器模擬信號 8775

MOSFET和三極管ON狀態(tài)它們到底有何區(qū)別呢?

MOSFET是一種在模擬電路和數(shù)字電路中都應(yīng)用的非常廣泛的一種場效晶體管。...

2024-02-20 標(biāo)簽:三極管MOSFET寄生電容DCM場效晶體管 21301

晶體制備技術(shù):碳化硅襯底成本降低的關(guān)鍵路徑

晶體制備技術(shù):碳化硅襯底成本降低的關(guān)鍵路徑

液相法的核心在于使用石墨坩堝作為反應(yīng)器,通過在熔融純硅中加入助溶劑,提高其對碳的溶解度。在坩堝靠近壁面的高溫區(qū)域,碳溶解于熔融硅中...

2024-02-20 標(biāo)簽:SiC半導(dǎo)體器件碳化硅 1651

GTO、IGBT等電力電子元件關(guān)斷的時(shí)候是不是都要負(fù)電壓的?

GTO、IGBT等電力電子元件關(guān)斷的時(shí)候是不是都要負(fù)電壓的? GTO和IGBT是兩種常見的電力電子元件,它們在關(guān)斷過程中確實(shí)需要負(fù)電壓。 首先,讓我們了解一下GTO和IGBT的工作原理。 GTO是一種四層...

2024-02-20 標(biāo)簽:負(fù)電壓IGBT功率晶體管GTOIGBT功率晶體管負(fù)電壓 3953

什么是絕緣柵雙極型晶體管的開通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間?

什么是絕緣柵雙極型晶體管的開通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間? 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種主要應(yīng)用于功率電子裝置中的半導(dǎo)體器件,其具有低導(dǎo)通壓降和高關(guān)斷速度等優(yōu)點(diǎn)。開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間...

2024-02-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT晶體管 3347

全碳化硅直流充電設(shè)備技術(shù)研究案例

全碳化硅直流充電設(shè)備技術(shù)研究案例

圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設(shè)備的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)方案,...

2024-02-20 標(biāo)簽:新能源汽車功率器件碳化硅功率器件新能源汽車直流充電碳化硅 1240

晶體管BJT的工作原理 MOSFET的工作原理介紹

晶體管BJT的工作原理 MOSFET的工作原理介紹

晶體管是一個(gè)簡單的組件,可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中,將帶你了解晶體管是如何工作的,以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。...

2024-02-20 標(biāo)簽:MOSFET電阻器發(fā)光二極管晶體管BJT 4392

揚(yáng)杰科技又新增5億元車用IGBT、SiC模塊封裝項(xiàng)目

近日,據(jù)邗江發(fā)布消息,在維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上,揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司副董事長梁瑤信心滿滿地告訴記者,“去年揚(yáng)杰電子實(shí)現(xiàn)開票銷售60億元,今年...

2024-02-20 標(biāo)簽:IGBTSiC模塊揚(yáng)杰科技 2178

電源各元器件降額使用參考

電源各元器件降額使用參考

因?yàn)槿绻骷墓ぷ鳡顟B(tài)不超過供應(yīng)商提供的規(guī)格書上的指標(biāo)。那么可以實(shí)現(xiàn)全壽命工作。降額使用,可以提高產(chǎn)品的可靠性。...

2024-02-20 標(biāo)簽:二極管電阻元器件二極管元器件瓷片電容電阻磁性元件 6099

如何使用差分放大器與多個(gè)運(yùn)放實(shí)現(xiàn)減法電路的設(shè)計(jì)呢?

如何使用差分放大器與多個(gè)運(yùn)放實(shí)現(xiàn)減法電路的設(shè)計(jì)呢?

有多種方法可以實(shí)現(xiàn)減法電路,一種就是使用上面的差分放大器,將四個(gè)電阻取值為...

2024-02-19 標(biāo)簽:差分放大器運(yùn)放減法電路加法器差分放大器運(yùn)放 5189

SiC MOSFET模塊串?dāng)_應(yīng)用對策

SiC MOSFET模塊串?dāng)_應(yīng)用對策

SiC MOSFET模塊目前廣泛運(yùn)用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風(fēng)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ,展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。...

2024-02-19 標(biāo)簽:MOSFET數(shù)字示波器SiC串?dāng)_無線充電 2789

數(shù)字電路之時(shí)鐘切換電路解析

數(shù)字電路之時(shí)鐘切換電路解析

以上是一個(gè)比較經(jīng)典的時(shí)鐘切換電路。 根據(jù)實(shí)際使用場景的不同,時(shí)鐘切換有很多不同的實(shí)現(xiàn)方法,都可以做得非常經(jīng)典。 時(shí)鐘,復(fù)位,是數(shù)字設(shè)計(jì)里最最基本的電路,稍有不慎,就會毀了整...

2024-02-18 標(biāo)簽:Xilinx數(shù)字電路時(shí)鐘電路Xilinx仿真波形圖數(shù)字電路時(shí)鐘電路 5661

運(yùn)放VOS對BG輸出電壓影響

運(yùn)放VOS對BG輸出電壓影響

假設(shè)mismatch引起的M4/M5之間的閾值電壓差值為3mV,則等效到運(yùn)放輸入端的VOS量級為uV,保證M4/M5之間的版圖匹配,能有效的減小該值。...

2024-02-18 標(biāo)簽:運(yùn)放電路低通濾波器輸出電壓觸發(fā)器 2401

關(guān)于SSB信號的解調(diào)仿真

關(guān)于SSB信號的解調(diào)仿真

數(shù)字基帶信號是指直接在信道中傳輸?shù)?、未?jīng)調(diào)制的數(shù)字信號,通常是由二進(jìn)制數(shù)字序列構(gòu)成的。與SSB信號不同,數(shù)字基帶信號是離散的,其波形只包含兩個(gè)電平(通常是高電平和低電平),用...

2024-02-18 標(biāo)簽:基帶信號模擬調(diào)制 3300

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