模擬技術(shù)
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隔離式雙向功率轉(zhuǎn)換器的數(shù)字控制設(shè)計(jì)方案實(shí)現(xiàn)
本文探討隔離式雙向DC-DC功率傳輸?shù)膶?shí)現(xiàn)方案，即通過(guò)調(diào)整專用數(shù)字控制器，使其除了具有標(biāo)準(zhǔn)的正向功率傳輸(FPT)功能外，還支持反向功率傳輸(RPT)功能。...
2024-01-17 標(biāo)簽：微控制器功率轉(zhuǎn)換器數(shù)字控制ess功率轉(zhuǎn)換器微控制器數(shù)字控制蓄電池儲(chǔ)能系統(tǒng) 2317
簡(jiǎn)單的雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器電路
雙穩(wěn)態(tài)電路有兩種穩(wěn)定狀態(tài)。這些是運(yùn)算放大器在給定電源電壓下工作的正負(fù)飽和電壓。然后，可以通過(guò)施加脈沖在它們之間切換電路。負(fù)向脈沖會(huì)將電路切換到正飽和電壓，正向脈沖將其切換...
2024-02-08 標(biāo)簽：分壓器運(yùn)算放大器波形觸發(fā)器分壓器多諧振蕩器波形觸發(fā)器運(yùn)算放大器 2459
基于運(yùn)算放大器的多諧振蕩器振蕩器
盡管許多多諧振蕩器電路可以使用簡(jiǎn)單的邏輯門來(lái)提供，但該電路的優(yōu)點(diǎn)是，它可用于提供振蕩器，該振蕩器將產(chǎn)生比由5 V電源供電的邏輯電路高得多的輸出。...
2024-02-08 標(biāo)簽：集成電路振蕩器運(yùn)算放大器多諧振蕩器多諧振蕩器振蕩器運(yùn)算放大器邏輯門集成電路 2858
運(yùn)算放大器施密特觸發(fā)電路基礎(chǔ)知識(shí)
比較器不使用遲滯的問(wèn)題在于，如果輸入信號(hào)上升緩慢，則波形上的噪聲將導(dǎo)致比較器輸出狀態(tài)的多次切換。通過(guò)使用滯后，這個(gè)問(wèn)題可以克服，除非噪聲水平非常高。...
2024-02-08 標(biāo)簽：放大器運(yùn)算放大器差分放大器比較器差分放大器放大器施密特觸發(fā)器比較器運(yùn)算放大器 2917
GaN巨頭NexGen Power Systems破產(chǎn)：垂直GaN市場(chǎng)面臨挑戰(zhàn)
NexGen認(rèn)為，將垂直氮化鎵逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)引入電動(dòng)汽車市場(chǎng)可以幫助汽車制造商提高續(xù)航里程、減輕重量并提高系統(tǒng)可靠性。...
2024-01-17 標(biāo)簽：逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)氮化鎵GaN 1520
安森美IGBT常規(guī)進(jìn)行的可靠性測(cè)試方案
用于確定漏電流的穩(wěn)定性，這與IGBT的場(chǎng)畸變有關(guān)。HTRB 通過(guò)高溫反向偏置測(cè)試來(lái)增強(qiáng)故障機(jī)制，因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標(biāo)，也可以驗(yàn)證過(guò)程控制的有效性。...
以太網(wǎng)CAN轉(zhuǎn)換器波特率的設(shè)置步驟是怎樣的？
確定CAN總線的波特率：首先，需要確定所連接的CAN總線的波特率。CAN總線的波特率通常以位/秒（bps）為單位，用于確定數(shù)據(jù)傳輸速度。...
2024-01-17 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器以太網(wǎng)CAN總線波特率 2254
高隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器提升電機(jī)運(yùn)作的穩(wěn)定性與安全性
在電機(jī)應(yīng)用中，必須采用逆變器或轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換，采用高隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器，將有助于提升電機(jī)運(yùn)作的穩(wěn)定性與安全性，這對(duì)高功率、高速電機(jī)系統(tǒng)尤為重要。...
2024-01-16 標(biāo)簽：逆變器驅(qū)動(dòng)電路電機(jī)系統(tǒng)dcdc轉(zhuǎn)換器 2493
低噪聲放大器QFN封裝簡(jiǎn)介
ZRL1304LP3是一款低功耗低噪聲放大器芯片，工作頻率覆蓋17~24GHz。該低噪聲放大器可提供大于22.5dB的增益，帶內(nèi)噪聲系數(shù)典型值為1.7dB，當(dāng)Vd供+5V電壓時(shí)可提供3.5dBm的PdB輸出功率。該低噪放采用單...
為什么單片機(jī)I/O口驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)，不是直接驅(qū)動(dòng)，而是經(jīng)過(guò)三極管
為什么單片機(jī)I/O口驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)，不是直接驅(qū)動(dòng)，而是經(jīng)過(guò)三極管 單片機(jī)I/O口驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)，通常會(huì)通過(guò)三極管進(jìn)行中間驅(qū)動(dòng)，而不是直接驅(qū)動(dòng)。這是因?yàn)槿龢O管可以提供更好的電流放大和電壓放...
三極管和MOS管作為開關(guān)管使用時(shí)，有什么區(qū)別？該如何選擇？
三極管和MOS管作為開關(guān)管使用時(shí)，有什么區(qū)別？該如何選擇？ 三極管和MOS管都是常見(jiàn)的開關(guān)管。它們?cè)陔娮釉O(shè)備中扮演著重要的角色，用于控制電流的流動(dòng)，實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大和電路開關(guān)功能。然...
NMOS管和PMOS管如何做開關(guān)控制電路
NMOS當(dāng)下管，即S極（源極）直接接地，只需控制G極（柵極）電壓即可控制NMOS管的導(dǎo)通或截止，因?yàn)镸OS管導(dǎo)通的條件取決于VGS的壓差。...
基于用FIFO實(shí)現(xiàn)超聲測(cè)厚系統(tǒng)A/D與ARM接口設(shè)計(jì)
在超聲波無(wú)損檢測(cè)系統(tǒng)中，超聲波探頭的頻率一般是2～10 MHz。取探頭頻率為5 MHz，根據(jù)采樣定理，采樣頻率是探頭頻率的5～8倍，因此A／D芯片選用AD公司的AD9283，它的采樣速率達(dá)100 MHz，可以滿...
2024-02-15 標(biāo)簽：處理器檢測(cè)系統(tǒng)超聲波 857
關(guān)于高定向性耦合器在手機(jī)功率放大器控制中的應(yīng)用
有限隔離是有限的定向性產(chǎn)生的原因。能量計(jì)通過(guò)測(cè)量在耦合端口處的一個(gè)定向性耦合器的輸出，來(lái)測(cè)量在傳輸線路中的能量值。這一輸出受耦合因子的影響。在主線路中反射的能量將會(huì)產(chǎn)生一...
分析改進(jìn)的音頻放大器電路限制信號(hào)過(guò)大
對(duì)這種困境的一種解決方法是以一個(gè)非線性傳遞函數(shù)來(lái)限制信號(hào)，通過(guò)在標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用電路中增加一些元件來(lái)實(shí)現(xiàn)（圖1）。當(dāng)音頻輸入的正或負(fù)峰值超出其中一個(gè)緊接的二極管（D1）的導(dǎo)通電壓時(shí)，...
高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）的建立和保持時(shí)間
采用CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)的數(shù)字電路通常將電源擺幅的中間值作為切換點(diǎn)。因此，時(shí)間參考點(diǎn)定在信號(hào)邊沿的中點(diǎn)。圖1波形標(biāo)明了器件在典型條件下的建立和保持時(shí)間。注意此時(shí)定義的這兩個(gè)參數(shù)均為...
ADC前端電路的五個(gè)設(shè)計(jì)步驟你知道嘛？
本例的ADC輸入為110MHz IF信號(hào)（帶寬為20MHz），采樣率為61.44Msps。由于輸入信號(hào)的帶寬比較窄（1個(gè)乃奎斯特帶寬），所以這里采用諧振匹配技術(shù)。這種匹配技術(shù)提供的帶寬較窄，但在給定的頻率范...
R2R和電阻串DAC架構(gòu)之間的差異分析
同樣，對(duì)于大多數(shù)人來(lái)說(shuō)，DAC 只不過(guò)是一個(gè)輸入端為數(shù)字信號(hào)數(shù)據(jù)而輸出端為模擬信號(hào)數(shù)據(jù)的“黑匣子”。只有為數(shù)不多的人知道其在架構(gòu)方面的區(qū)別，以及與 R2R 梯形架構(gòu)相比一個(gè)電阻串架構(gòu)...
應(yīng)用單電源運(yùn)算放大器—跨越失真電源的晶體管設(shè)計(jì)
集成電路設(shè)計(jì)人員借助了其他器件的技術(shù)來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題?，F(xiàn)在，再平常不過(guò)的充電泵用來(lái)將放大器的一個(gè)單差動(dòng)輸入級(jí)推至正電源以上（請(qǐng)參見(jiàn)圖1）。放大器設(shè)計(jì)人員將開關(guān)機(jī)制頻率置于放...
2024-02-15 標(biāo)簽：集成電路放大器運(yùn)算放大器 641
深入分析運(yùn)放的作用
深入分析了4-20mA的運(yùn)放選型、A/D基準(zhǔn)電壓對(duì)測(cè)量精度影響等問(wèn)題。...
2024-01-15 標(biāo)簽：運(yùn)放跟隨器基準(zhǔn)電壓4-20mA基準(zhǔn)電壓跟隨器運(yùn)放 5742
GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上
近期，大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上...
一種簡(jiǎn)單易行的可編程振蕩器構(gòu)建方法
本文介紹一種簡(jiǎn)單易行的可編程振蕩器構(gòu)建方法，其中振蕩頻率和幅度可以通過(guò)使用digiPOT來(lái)彼此獨(dú)立地調(diào)節(jié)。...
2024-01-15 標(biāo)簽：二極管振蕩器數(shù)字電位器二極管可編程振蕩器振蕩器數(shù)字電位器 902
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