模擬技術(shù)
電子發(fā)燒友網(wǎng)為用戶提供了專業(yè)的模擬技術(shù)文章和模擬電子技術(shù)應(yīng)用資料等;是值得收藏和分享的模擬技術(shù)與電子技術(shù)欄目。
FET晶體管電路設(shè)計參數(shù)
與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計方式與雙極晶體管電路的設(shè)計方式大不相同。...
2024-01-09 標(biāo)簽：電路設(shè)計晶體管場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)晶體管晶體管電流控制器電路設(shè)計 2220
LLC諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計和PCB布局布線基本技巧概述
DC-DC轉(zhuǎn)換器很難設(shè)計，甚至可能伴隨風(fēng)險，尤其是當(dāng)我們考慮具有高電流輸出的開關(guān)轉(zhuǎn)換器時。...
2024-01-08 標(biāo)簽：電容器led燈PCB布線熱管理led燈LLC諧振轉(zhuǎn)換器PCB布線熱管理電容器 3623
高壓放大器輸出接法及其注意事項
示波器測量高壓放大器輸出值時，使用Cable線將Monitor 端口與示波器BNC接口連接，示波器顯示的振幅 x 200倍就是HA-1600的OUTPUT實(shí)況輸出，而單端輸出（可接地）與單端輸出（不可接地）連接示波器...
MOSFET常見的失效機(jī)理
SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區(qū)”。要想安全使用MOSFET，就需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET，超過這個范圍就有可能造成損壞。...
2024-01-06 標(biāo)簽：MOSFET晶體管柵極電阻開關(guān)器件MOSFET開關(guān)器件晶體管柵極電阻電流波形 1211
關(guān)于模電和數(shù)電的基本知識
對任意的有源一端口網(wǎng)絡(luò)，可使用一個等效電壓源來等效。 a、電壓源的電動勢E為外部開路時的端口電壓; b、電壓源的內(nèi)阻R。為網(wǎng)路內(nèi)部電源為0（即電壓源短路，電流源開路）時的等效電...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢應(yīng)及發(fā)展趨勢
隨著科技的不斷進(jìn)步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿Γ瑢⒃诙鄠€領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢。本文將介紹...
2024-01-06 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)功率器件碳化硅 1662
以XL4015 DEMO板講解陶瓷電容的重要性
隨著開關(guān)電源技術(shù)的發(fā)展，開關(guān)電源產(chǎn)品逐漸趨于高頻化、小型化，電源芯片外圍電路也已相當(dāng)精簡。然而在這些精簡的電路中，總是會在系統(tǒng)輸入端看到電解電容和陶瓷電容組合使用，且他們...
2024-01-05 標(biāo)簽：原理圖開關(guān)電源陶瓷電容電源芯片紋波電壓 2691
運(yùn)算放大器的選型及應(yīng)用
通用型運(yùn)放又分為低增益、中增益和高增益三類，也可稱為通用Ⅰ型、通用Ⅱ型和通用Ⅲ型集成運(yùn)放。...
2024-01-05 標(biāo)簽：放大電路運(yùn)算放大器晶體管放大電路晶體管電壓增益輸出器運(yùn)算放大器 739
愛仕特1700V碳化硅功率模塊已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
基于SiC功率器件的整機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)解決方案，各項性能指標(biāo)達(dá)到國際水平，提供各類規(guī)格參數(shù)的SiC MOS定制化服務(wù)。...
一種新型復(fù)合SiC-金剛石襯底與GaN器件結(jié)合的新工藝流程和制備方案
金剛石材料具有自然界物質(zhì)中最高的熱導(dǎo)率（高達(dá)2000 W/m·K），在大功率激光器、微波器件和集成電路等小型化高功率領(lǐng)域的散熱均有重要的應(yīng)用潛力。...
這幾張關(guān)于碳化硅的圖值得研究
在新能源汽車方面的應(yīng)用主要有主驅(qū)逆變器、車載充電器OBC、DC/DC等；在充電基礎(chǔ)設(shè)施方面的應(yīng)用主要有快速直流充電、無線充電、工業(yè)充電器等。...
2024-01-04 標(biāo)簽：新能源汽車逆變器斷路器碳化硅傳動系統(tǒng) 668
寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的前沿發(fā)展有哪些
逆變器是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電源電路。在應(yīng)用設(shè)備中，為了實(shí)現(xiàn)節(jié)能，對小型、輕量、高效的逆變器的需求不斷增加。為了實(shí)現(xiàn)逆變器的高速運(yùn)行，已經(jīng)提出使用寬帶隙半導(dǎo)體和結(jié)合n溝...
2024-01-03 標(biāo)簽：MOSFET逆變器SiC功率半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體 1623
未來SiC模塊封裝的演進(jìn)趨勢
ASMPT 太平洋科技有限公司是全球領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體封裝設(shè)備及微電子封裝解決方案的最主要的供應(yīng)商，SilverSAM 銀燒結(jié)設(shè)備具備專利防氧化及均勻壓力控制技術(shù)，除確?；靖邚?qiáng)度燒結(jié)鍵合，對...
2024-01-03 標(biāo)簽：MOSFET散熱器半導(dǎo)體封裝SiC 1889
TVS管應(yīng)用選型要點(diǎn)
TVS管應(yīng)用選型要點(diǎn)? TVS管是一種用于抑制過電壓的二極管器件。它具有快速響應(yīng)時間和低電壓降，并可以保護(hù)電子設(shè)備免受電壓浪涌和電壓尖峰的損害。在選型TVS管時，需要考慮一些關(guān)鍵因素，...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用以及未來發(fā)展趨勢介紹
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。...
2024-01-03 標(biāo)簽：逆變器電機(jī)驅(qū)動功率器件SiC碳化硅 2305
山東粵海金成功研制出8英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶與襯底片
軟包裝復(fù)合膠粘劑龍頭——高盟新材(300200.SZ)在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的投資取得新進(jìn)展、新成效。...
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