電源/新能源
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?DRV8426 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8426 是一款適用于工業(yè)和消費類應(yīng)用的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器。該器件完全集成了兩個 N 溝道功率 MOSFET H 橋驅(qū)動器、一個微步進(jìn)索引器和集成電流檢測。該DRV8426能夠驅(qū)動高達(dá) 1.5A 的滿量程輸出電流...
2025-10-15 標(biāo)簽：MOSFET電流檢測輸出電流步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器PCB 700
?DRV8424E/DRV8425E 雙H橋電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8424E/P、DRV8425E/P 器件是雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動器，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件可用于驅(qū)動兩個直流電機(jī)或一個雙極步進(jìn)電機(jī)。 驅(qū)動器的輸出級由配置為兩個全H橋的N溝道功率MOSFET、電荷泵穩(wěn)壓...
2025-10-15 標(biāo)簽：MOSFET穩(wěn)壓器直流電機(jī)電荷泵電機(jī)驅(qū)動器 918
?DRV8424/25 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8424/25 是適用于工業(yè)和消費類應(yīng)用的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器。該器件完全集成了兩個 N 溝道功率 MOSFET H 橋驅(qū)動器、一個微步進(jìn)索引器和集成電流檢測。該DRV8424能夠驅(qū)動高達(dá) 2.5A 的滿量程輸出電流;該...
2025-10-15 標(biāo)簽：MOSFET電流檢測輸出電流步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器 749
驅(qū)動服務(wù)機(jī)器人創(chuàng)新的核心技術(shù)
服務(wù)機(jī)器人是一種以滿足人類生活、工作需求為核心，通過自主或半自主方式提供服務(wù)的智能機(jī)器人，與工業(yè)機(jī)器人專注于生產(chǎn)制造不同，其核心價值在于替代或輔助人類完成非生產(chǎn)性服務(wù)任務(wù)...
2025-10-15 標(biāo)簽：處理器NXPAI服務(wù)機(jī)器人 2228
DRV8353F 三相智能柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV835xF 系列器件是高度集成的柵極驅(qū)動器，適用于三相無刷直流 （BLDC） 電機(jī)應(yīng)用。這些器件型號提供可選的集成電流分流放大器，以支持不同的電機(jī)控制方案。 DRV835xF 使用智能柵極驅(qū)動 （...
2025-10-15 標(biāo)簽：放大器BLDC柵極驅(qū)動器三相無刷直流電機(jī) 1018
?DRV8932 四路半橋驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8932為工業(yè)應(yīng)用提供四個半橋驅(qū)動器。該器件可用于驅(qū)動多達(dá)四個電磁閥負(fù)載、兩個直流電機(jī)、一個步進(jìn)電機(jī)或其他負(fù)載。 每個通道的輸出級由配置在半橋中的N溝道功率MOSFET組成。簡單的...
?DRV8428E/P 雙H橋電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8428E/P 器件是雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動器，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件可用于驅(qū)動兩個直流電機(jī)或一個雙極步進(jìn)電機(jī)。DRV8428E/P 能夠驅(qū)動高達(dá) 1A 滿量程或 0.7A rms 輸出電流（取決于 PCB 設(shè)計）。...
2025-10-15 標(biāo)簽：直流電機(jī)電機(jī)驅(qū)動器輸出電流PCB 770
?DRV8428 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8428是一款適用于工業(yè)和消費類應(yīng)用的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器。該器件完全集成了兩個N溝道功率MOSFET H橋驅(qū)動器、一個微步進(jìn)索引器和集成電流檢測。該DRV8428能夠驅(qū)動高達(dá)1A的滿量程輸出電流（取...
2025-10-15 標(biāo)簽：MOSFETPWM電流檢測步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器 665
?DRV8434E/P 雙H橋電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8434E/P 器件是雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動器，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件可用于驅(qū)動兩個直流電機(jī)或一個雙極步進(jìn)電機(jī)。 驅(qū)動器的輸出級由配置為兩個全H橋的N溝道功率MOSFET、電荷泵穩(wěn)壓器、電流...
2025-10-15 標(biāo)簽：MOSFET直流電機(jī)電荷泵電機(jī)驅(qū)動器 866
?DRV8434步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8434 是一款適用于工業(yè)和消費類應(yīng)用的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器。該器件完全集成了兩個 N 溝道功率 MOSFET H 橋驅(qū)動器、一個微步進(jìn)索引器和集成電流檢測。該DRV8434能夠驅(qū)動高達(dá) 2.5A 的滿量程輸出電流...
2025-10-15 標(biāo)簽：MOSFET電流檢測輸出電流步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器 846
無膜液流電池新突破：聚合物電解質(zhì)解決鋰金屬電池痛點，開辟大規(guī)模儲能新路
在追求“雙碳”目標(biāo)的今天，風(fēng)能、太陽能等可再生能源的快速發(fā)展，對大規(guī)模、長時儲能技術(shù)提出了迫切需求。液流電池因其功率和容量可獨立設(shè)計、循環(huán)壽命長等優(yōu)勢，被視為電網(wǎng)級儲能的...
?DRV8434A 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8434A 是一款適用于工業(yè)和消費類應(yīng)用的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器。該器件完全集成了兩個 N 溝道功率 MOSFET H 橋驅(qū)動器、一個微步進(jìn)索引器和集成電流檢測。該DRV8434A能夠驅(qū)動高達(dá) 2.5 A 的滿量程輸出電...
2025-10-15 標(biāo)簽：MOSFET輸出電流檢測電阻步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器 730
?DRV8106-Q1 汽車級半橋智能柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)?
DRV8106-Q1是一款高度集成的半橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。它使用用于高側(cè)的集成倍增器電荷泵和用于低側(cè)的線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動電壓。 該器件采用智能柵極...
2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET線性穩(wěn)壓器電荷泵柵極驅(qū)動器 966
圣邦微電子推出高性能N溝道MOSFET SGMNQ12340
圣邦微電子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐壓、低導(dǎo)通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過壓保護(hù)開關(guān)、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開關(guān)及 DC/DC 轉(zhuǎn)換器...
?DRV8434S 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8434S 是一款適用于工業(yè)和消費類應(yīng)用的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器。該器件完全集成了兩個 N 溝道功率 MOSFET H 橋驅(qū)動器、一個微步進(jìn)索引器和集成電流檢測。該DRV8434S能夠驅(qū)動高達(dá) 2.5A 的滿量程輸出電流...
2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET電流檢測輸出電流步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器 843
儲能發(fā)電系統(tǒng)篇：光儲直流并網(wǎng)系統(tǒng)實時仿真
光儲一體系統(tǒng)將光伏發(fā)電與儲能技術(shù)相結(jié)合，可實現(xiàn)清潔能源的高效存儲與穩(wěn)定輸出，提升能源利用效率和供電可靠性，助力能源轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展。本篇中我們基于EasyGo實時仿真器EGBoxMini，對...
2025-10-15 標(biāo)簽：新能源儲能光儲系統(tǒng)儲能光儲系統(tǒng)半實物仿真新能源 1222
?DRV8210P 11V H橋電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8210P是一個集成電機(jī)驅(qū)動器，具有四個N溝道功率FET、電荷泵穩(wěn)壓器和保護(hù)電路。三重電荷泵架構(gòu)允許該器件在低至 1.65 V 的電壓下工作，以適應(yīng) 1.8V 電源軌和低電池電量條件。電荷泵集成了...
2025-10-14 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器保護(hù)電路FET電荷泵電機(jī)驅(qū)動器 732
?DRV8256E/P H橋電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8256E/P 器件是單 H 橋電機(jī)驅(qū)動器，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件集成了N溝道H橋、電荷泵穩(wěn)壓器、電流檢測和調(diào)節(jié)以及保護(hù)電路。...
2025-10-14 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器保護(hù)電路電流檢測電荷泵電機(jī)驅(qū)動器 1242
?DRV8210 11V H橋電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8210是一款集成電機(jī)驅(qū)動器，具有四個N溝道功率FET、電荷泵穩(wěn)壓器和保護(hù)電路。三重器電荷泵架構(gòu)允許該器件在低至1.65 V的電壓下工作，以適應(yīng)1.8V電源軌和低電池電量條件。電荷泵集成了所有...
2025-10-14 標(biāo)簽：電容器保護(hù)電路FET電荷泵電機(jī)驅(qū)動器 736
PI技術(shù)白皮書 1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)中的應(yīng)用
白皮書?闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢，展示了其經(jīng)過實際應(yīng)用驗證的可靠性以及滿足800VDC架構(gòu)的功率密度和效率要求(>98%)的能力。此外，該白皮書還表明，與堆疊式...
2025-10-14 標(biāo)簽：PI數(shù)據(jù)中心SiCGaN電源架構(gòu) 1452
?DRV8300 100V三相BLDC柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8300是100V三半橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300D使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓。該DRV8300N使用外部自舉二極管和用于高...
DRV8718-Q1智能半橋柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV871x-Q1 系列器件是高度集成的多通道柵極驅(qū)動器，用于驅(qū)動多個電機(jī)或負(fù)載。這些器件集成了 4 個 （DRV8714-Q1） 或 8 個 （DRV8718-Q1） 半橋柵極驅(qū)動器、驅(qū)動器電源、電流分流放大器和保護(hù)監(jiān)視...
DRV8425E雙H橋電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8424E/P、DRV8425E/P 器件是雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動器，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件可用于驅(qū)動兩個直流電機(jī)或一個雙極步進(jìn)電機(jī)。...
2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET直流電機(jī)電荷泵電機(jī)驅(qū)動器PCB 1796
DRV8424/DRV8425 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器總結(jié)
DRV8424/25 是適用于工業(yè)和消費類應(yīng)用的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器。該器件完全集成了兩個 N 溝道功率 MOSFET H 橋驅(qū)動器、一個微步進(jìn)索引器和集成電流檢測。該DRV8424能夠驅(qū)動高達(dá) 2.5A 的滿量程輸出電流;該...
2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET電流檢測橋驅(qū)動器步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器 1100
DRV8705-Q1 汽車級H橋智能柵極驅(qū)動器總結(jié)
DRV8705-Q1是一款高度集成的H橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。它使用用于高側(cè)的集成倍增器電荷泵和用于低側(cè)的線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動電壓。 該器件采用智能柵極...
2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET線性穩(wěn)壓器電荷泵柵極驅(qū)動器 833
DRV8706-Q1 汽車級H橋智能柵極驅(qū)動器總結(jié)
DRV8706-Q1是一款高度集成的H橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。它使用用于高側(cè)的集成倍增器電荷泵和用于低側(cè)的線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動電壓。 該器件采用智能柵極...
Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書，深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1
該公司正在與英偉達(dá)(NVIDIA)合作開發(fā)800VDC供電架構(gòu)；新發(fā)布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術(shù)相較于650V GaN和1200V SiC的優(yōu)勢 ? 美國加利福尼亞州圣何塞，2025年10月13日訊 – 深耕于高壓集成電路高能...
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