電源/新能源
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?DRV8300 100V三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8300是100V三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300D使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。該DRV8300N使用外部自舉二極管和用于高...
2025-10-14 標(biāo)簽：電容器MOSFETBLDC柵極驅(qū)動(dòng)器 1180
DRV8718-Q1智能半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV871x-Q1 系列器件是高度集成的多通道柵極驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)多個(gè)電機(jī)或負(fù)載。這些器件集成了 4 個(gè) （DRV8714-Q1） 或 8 個(gè) （DRV8718-Q1） 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器、驅(qū)動(dòng)器電源、電流分流放大器和保護(hù)監(jiān)視...
2025-10-14 標(biāo)簽：放大器監(jiān)視器電磁干擾柵極驅(qū)動(dòng)器 1143
DRV8935 四路半橋驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8935為工業(yè)應(yīng)用提供四個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器。該器件可用于驅(qū)動(dòng)多達(dá)四個(gè)電磁閥負(fù)載、兩個(gè)直流電機(jī)、一個(gè)步進(jìn)電機(jī)或其他負(fù)載。每個(gè)通道的輸出級(jí)由配置在半橋中的N溝道功率MOSFET組成。簡(jiǎn)單的...
2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFETPWM電磁閥電源供電半橋驅(qū)動(dòng)器 816
UCC23511-Q1 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC23511-Q1 是一款光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET，具有 1.5A 源電流和 2A 灌電流峰值輸出電流以及 5.7kV~有效值~增強(qiáng)的隔離額定值。33V 的高電源電壓范圍允許使...
2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET光耦合器引腳輸出電流柵極驅(qū)動(dòng)器 819
DRV8425E雙H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8424E/P、DRV8425E/P 器件是雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件可用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)直流電機(jī)或一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī)。...
2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET直流電機(jī)電荷泵電機(jī)驅(qū)動(dòng)器PCB 1801
DRV8424/DRV8425 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器總結(jié)
DRV8424/25 是適用于工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。該器件完全集成了兩個(gè) N 溝道功率 MOSFET H 橋驅(qū)動(dòng)器、一個(gè)微步進(jìn)索引器和集成電流檢測(cè)。該DRV8424能夠驅(qū)動(dòng)高達(dá) 2.5A 的滿量程輸出電流;該...
2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET電流檢測(cè)橋驅(qū)動(dòng)器步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 1106
DRV8705-Q1 汽車級(jí)H橋智能柵極驅(qū)動(dòng)器總結(jié)
DRV8705-Q1是一款高度集成的H橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。它使用用于高側(cè)的集成倍增器電荷泵和用于低側(cè)的線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動(dòng)電壓。 該器件采用智能柵極...
2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET線性穩(wěn)壓器電荷泵柵極驅(qū)動(dòng)器 836
DRV8706-Q1 汽車級(jí)H橋智能柵極驅(qū)動(dòng)器總結(jié)
DRV8706-Q1是一款高度集成的H橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。它使用用于高側(cè)的集成倍增器電荷泵和用于低側(cè)的線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動(dòng)電壓。 該器件采用智能柵極...
2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFETemi電磁干擾柵極驅(qū)動(dòng)器 801
Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書，深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1
該公司正在與英偉達(dá)(NVIDIA)合作開發(fā)800VDC供電架構(gòu)；新發(fā)布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術(shù)相較于650V GaN和1200V SiC的優(yōu)勢(shì) ? 美國(guó)加利福尼亞州圣何塞，2025年10月13日訊 – 深耕于高壓集成電路高能...
DRV8714-Q1智能半橋柵極驅(qū)動(dòng)器概述
DRV871x-Q1 系列器件是高度集成的多通道柵極驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)多個(gè)電機(jī)或負(fù)載。這些器件集成了4個(gè)（DRV8714-Q1）或8個(gè)（DRV8718-Q1）半橋柵極驅(qū)動(dòng)器、驅(qū)動(dòng)器電源、電流分流放大器和保護(hù)監(jiān)視器，從...
2025-10-14 標(biāo)簽：放大器監(jiān)視器電磁干擾柵極驅(qū)動(dòng)器 1061
?DRV8212P 11V H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8212P是一款集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有四個(gè)N溝道功率FET、電荷泵穩(wěn)壓器和保護(hù)電路。三重電荷泵架構(gòu)允許該器件在低至 1.65 V 的電壓下工作，以適應(yīng) 1.8V 電源軌和低電池電量條件。電荷泵集成了...
2025-10-14 標(biāo)簽：電容器保護(hù)電路FET電荷泵電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 749
800VDC，AI能效之鑰：AOS創(chuàng)新功率組合方案
AOS公司以創(chuàng)新方案賦能新一代AI數(shù)據(jù)中心800V直流（800VDC）電源架構(gòu)——碳化硅、氮化鎵、功率MOSFET及電源IC解決方案構(gòu)建高效能源基石。 ? 日前，集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售一體的著名功率半...
2025-10-14 標(biāo)簽：AIVDC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體AOS 4360
?DRV8212 11V H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8212是一款集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有四個(gè)N溝道功率FET、電荷泵穩(wěn)壓器和保護(hù)電路。三重電荷泵架構(gòu)允許該器件在低至 1.65 V 的電壓下工作，以適應(yīng) 1.8V 電源軌和低電池電量條件。電荷泵集成了...
2025-10-14 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器FET電荷泵電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 720
?DRV8220 18V H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8220是一款集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有四個(gè)N溝道功率FET、電荷泵穩(wěn)壓器和保護(hù)電路。電荷泵集成了所有電容器，以減小 PCB 上電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的整體解決方案尺寸，并允許 100% 占空比運(yùn)行。 該DRV...
2025-10-14 標(biāo)簽：電容器FET電荷泵電機(jī)驅(qū)動(dòng)器低靜態(tài)電流 714
?DRV8770 100V刷式直流柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8770器件提供兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，而 GVDD 驅(qū)動(dòng)低側(cè) MOSFET 的柵極。柵極驅(qū)...
2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET灌電流柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電壓 864
?MCT8316Z 無(wú)傳感器梯形控制集成FET三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該MCT8316Z為驅(qū)動(dòng) 12 至 24V 無(wú)刷直流電機(jī)的客戶提供單芯片無(wú)代碼傳感器梯形解決方案。該MCT8316Z集成了三個(gè) 1/2-H 電橋，具有 40V 絕對(duì)最大能力和 95 mOhms（高側(cè)和低側(cè)組合）的極低 RDS（ON），以實(shí)...
2025-10-14 標(biāo)簽：傳感器單芯片BLDC無(wú)刷直流電機(jī) 1105
艾德克斯電源解決方案在AI機(jī)器人領(lǐng)域的突破與應(yīng)用實(shí)踐
在人工智能（AI）與機(jī)器人技術(shù)高速發(fā)展的背景下，高精度、高可靠性的電源測(cè)試與供電系統(tǒng)成為保障智能設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的核心環(huán)節(jié)。艾德克斯（ITECH）作為全球領(lǐng)先的電源測(cè)試方案提供商，其...
?UCC27614 低邊柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該UCC27614是一款單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27614具有 10 A 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，可減少電源開關(guān)的上升和下降時(shí)間，降低開關(guān)損耗并提高效...
2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET功率開關(guān)控制環(huán)路柵極驅(qū)動(dòng)器 853
?DRV8231A 有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8231A器件是一款集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有N溝道H橋、電荷泵、電流檢測(cè)反饋、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通過(guò)支持 N 溝道 MOSFET 半橋和 100% 占空比驅(qū)動(dòng)來(lái)提高效率。 IPROPI引腳上的內(nèi)部電流鏡...
2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET保護(hù)電路電流檢測(cè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 681
?DRV8231 有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8231器件是一個(gè)集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有N溝道H橋、電荷泵、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通過(guò)支持 N 溝道 MOSFET 半橋和 100% 占空比驅(qū)動(dòng)來(lái)提高效率。 該DRV8231通過(guò)比較模擬輸入VREF和ISEN引腳上的...
2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET電流檢測(cè)電荷泵電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 762
?DRV8328 三相無(wú)刷電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8328系列器件是用于三相應(yīng)用的集成柵極驅(qū)動(dòng)器。這些器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該器件使用內(nèi)部電荷泵產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，并使...
2025-10-14 標(biāo)簽：電源MOSFET灌電流柵極驅(qū)動(dòng)器 689
?DRV8251 汽車級(jí)H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8251器件是一個(gè)集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有N溝道H橋、電荷泵、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通過(guò)支持 N 溝道 MOSFET 半橋和 100% 占空比驅(qū)動(dòng)來(lái)提高效率。 該DRV8251通過(guò)比較模擬輸入VREF和ISEN引腳上電...
2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET保護(hù)電路電荷泵引腳電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 929
?DRV8244-Q1 汽車級(jí)H橋驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV824x-Q1 系列器件是一款完全集成的 H 橋驅(qū)動(dòng)器，適用于各種汽車應(yīng)用。該器件可以配置為單個(gè)全橋驅(qū)動(dòng)器或兩個(gè)獨(dú)立的半橋驅(qū)動(dòng)器。該單片系列器件采用BiCMOS高功率工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)，采用電...
2025-10-14 標(biāo)簽：電源封裝BiCMOS橋驅(qū)動(dòng)器EMI控制 875
?MCT8316Z-Q1 汽車級(jí)無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
MCT8316Z-Q1 為驅(qū)動(dòng)汽車 12V 無(wú)刷直流電機(jī)的客戶提供單芯片無(wú)代碼傳感器梯形解決方案。MCT8316Z-Q1集成了三個(gè)1/2-H電橋，具有40 V絕對(duì)最大能力和95 mOhms（高側(cè)和低側(cè)組合）的極低RDS（ON），以實(shí)現(xiàn)高...
2025-10-14 標(biāo)簽：單芯片無(wú)刷直流電機(jī)電壓軌檢測(cè)電流 789
如何防止電源短路與過(guò)電流損壞
為了確保電源在其生命周期內(nèi)安全可靠地運(yùn)行，通常會(huì)配備多種保護(hù)機(jī)制。其中一些機(jī)制在發(fā)生短路故障時(shí)限制輸出電流，防止電源元件過(guò)熱或損壞，從而使設(shè)備在故障排除后恢復(fù)正常運(yùn)行。然...
?DRV8311三相PWM電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8311提供三個(gè)集成MOSFET半H橋，用于驅(qū)動(dòng)三相無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)，適用于5V、9V、12V或18V直流電源軌或1S至4S電池供電應(yīng)用。該器件集成了三個(gè)電流檢測(cè)放大器（CSA），集成了電流檢測(cè)，用于...
2025-10-14 標(biāo)簽：放大器MOSFETPWM電流檢測(cè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 778
?DRV8245-Q1 汽車級(jí)H橋驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV824x-Q1 系列器件是一款完全集成的 H 橋驅(qū)動(dòng)器，適用于各種汽車應(yīng)用。該器件可以配置為單個(gè)全橋驅(qū)動(dòng)器或兩個(gè)獨(dú)立的半橋驅(qū)動(dòng)器。該單片系列器件采用BiCMOS高功率工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)，采用電...
2025-10-14 標(biāo)簽：封裝BiCMOS橋驅(qū)動(dòng)器EMI控制 778
?MCT8316A 高速度無(wú)傳感器梯形控制集成FET BLDC驅(qū)動(dòng)器總結(jié)
該MCT8316A為需要高速運(yùn)行（高達(dá) 3kHz 電氣）或非?？斓膯?dòng)時(shí)間（<50ms）的客戶提供單芯片、無(wú)代碼無(wú)傳感器梯形解決方案，適用于峰值電流高達(dá) 8A 的 12 至 24V 無(wú)刷直流電機(jī)。該MCT8316A集成了...
2025-10-14 標(biāo)簽：電路電源管理單芯片降壓穩(wěn)壓器無(wú)刷直流電機(jī) 969
?MCF8316A 傳感器無(wú)感FOC集成FET BLDC驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該MCF8316A為驅(qū)動(dòng)峰值電流高達(dá) 8A 的速度控制 12 至 24V 無(wú)刷直流電機(jī) （BLDC） 或永磁同步電機(jī) （PMSM） 的客戶提供單芯片、無(wú)代碼無(wú)傳感器 FOC 解決方案。該MCF8316A集成了三個(gè)1/2-H電橋，具有40 V絕...
2025-10-14 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器永磁同步電機(jī)BLDC無(wú)刷直流電機(jī)峰值電流 1058
?DRV8316-Q1 三相集成FET電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔摘要
DRV8316-Q1 為驅(qū)動(dòng)高達(dá) 40 W 的 12V 無(wú)刷直流電機(jī)的客戶提供單芯片功率級(jí)解決方案。DRV8316-Q1 集成了三個(gè) 1/2H 電橋，具有 40 V 絕對(duì)最大能力和 95mOhms（高側(cè)加低側(cè)）的極低 RDS（ON），以實(shí)現(xiàn)高功率驅(qū)...
2025-10-14 標(biāo)簽：單芯片電機(jī)驅(qū)動(dòng)器無(wú)刷直流電機(jī)電壓軌檢測(cè)電流 733
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