當(dāng)前，最先進(jìn)的芯片已經(jīng)采用了5nm工藝（蘋果A14），這在另一方面也意味著，晶圓代工廠商們需要更加馬不停蹄地推進(jìn)制程技術(shù)的迭代。

來(lái)自Digitimes的最新報(bào)道稱，臺(tái)積電2nm GAA工藝研發(fā)進(jìn)度提前，目前已經(jīng)結(jié)束了路徑探索階段。

GAA即環(huán)繞柵極晶體管，旨在取代走到盡頭的FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。FinFET由華人科學(xué)家胡正明團(tuán)隊(duì)研制，首發(fā)于45nm，目前已經(jīng)推進(jìn)到5nm。

不過(guò)，據(jù)說(shuō)臺(tái)積電的3nm依然延續(xù)FinFET，但三星則會(huì)提前于3nm導(dǎo)入GAA技術(shù)。

基于全新的GAA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過(guò)使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管），與現(xiàn)在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

當(dāng)然，落后其實(shí)并不可怕，最主要看進(jìn)度。三星7nm也是想“一口吃個(gè)胖子”，直接導(dǎo)入EUV極紫外光刻，結(jié)果起個(gè)大早趕個(gè)晚集，被臺(tái)積電用7nm DUV搶先，自己實(shí)際并未攬獲多少有價(jià)值的訂單。

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