NP2301AJR 20V p通道增強模式MOSFET
描述
NP2301AJR采用了先進的溝槽技術
提供優(yōu)良的RDS(ON)，低柵電荷和
工作電壓低至1.8V。這個設備
適合用作負載開關或PWM
應用程序。
一般特征
?VDS = -20v, id = -1.4a
RDS(上)(Typ) = 96Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 110Ω@VGS = -2.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無鉛產品
?表面安裝包
應用程序
?PWM程序
?負荷開關
包
?說- 323
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
注:
a.表面安裝在FR4板上，t≤10秒
B.脈沖測試:脈寬≤300μs，占空比≤2%
C.設計保證，不經生產檢驗
審核編輯 黃昊宇
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