4月25日，在延期一日后，連續(xù)理財(cái)產(chǎn)品“爆雷”的揚(yáng)杰科技發(fā)布2018年年度報(bào)告，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入18.52億元，同比增長26.01%；歸屬于上市公司股東的凈利潤1.87億元，同比下降29.70%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤1.98億元，同比下降8.23%；經(jīng)營活動現(xiàn)金凈流入2.12億元，同比下降19.01%。

值得注意的是，揚(yáng)杰科技2018年內(nèi)獲得的政府補(bǔ)貼為1024.8萬元，委托他人投資或管理資產(chǎn)的損益為-3309.97萬元。

揚(yáng)杰科技表示，報(bào)告期內(nèi)，公司以市場需求為導(dǎo)向，重點(diǎn)擴(kuò)產(chǎn)小信號產(chǎn)品自動生產(chǎn)線，完成18類性能卓越的新產(chǎn)品開發(fā)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，持續(xù)擴(kuò)張公司主營產(chǎn)品版圖，滿足客戶多元化需求；積極推進(jìn)降本增效工作，成功研制出高密度框架，提高框架有效使用面積近50%，顯著降低框架成本，資源利用率與生產(chǎn)效率得到雙提高。微型小信號功率器件上取得的技術(shù)突破，進(jìn)一步提高了公司在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的核心競爭力和市場份額。

在肖特基芯片方面，6寸肖特基芯片實(shí)現(xiàn)全系列量產(chǎn)，可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、家用電器等領(lǐng)域；高可靠性平面肖特基芯片實(shí)現(xiàn)研發(fā)量產(chǎn)，可滿足汽車電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，為公司拓展汽車電子領(lǐng)域提供有力保障；高能效低正向壓降肖特基芯片實(shí)現(xiàn)全系列開發(fā)，100V及以下芯片實(shí)現(xiàn)系列化量產(chǎn)，積極響應(yīng)國家節(jié)能減排的號召，提升了公司在消費(fèi)類電子、安防、新能源等下游應(yīng)用領(lǐng)域的市場競爭力。

在TVS產(chǎn)品方面，公司整合4寸晶圓研發(fā)力量，持續(xù)優(yōu)化防護(hù)類器件產(chǎn)品組合，全面提升低壓平面TVS產(chǎn)品的VC性能，使其達(dá)到國內(nèi)先進(jìn)水平，進(jìn)一步增強(qiáng)公司在安防、通信等領(lǐng)域的推廣實(shí)力。

在MOSFET產(chǎn)品方面，公司自主設(shè)計(jì)研發(fā)的8英寸超高密度溝槽功率MOSFET產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并形成大批量銷售，其中主打N/P 20V~100V系列產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻達(dá)到國內(nèi)同行先進(jìn)水平，部分產(chǎn)品已批量進(jìn)入國內(nèi)中高端客戶群；40V~100V SGT MOS產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻和電容特性參數(shù)均達(dá)國內(nèi)同行先進(jìn)水平，其中60V SGT MOS已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨，同時對標(biāo)國外同行最新一代技術(shù)，持續(xù)研發(fā)跟進(jìn)，為公司未來拓展高端功率半導(dǎo)體市場積蓄力量。

揚(yáng)杰科技新增6寸高壓MOSFET產(chǎn)品線，成功研制IGBT芯片并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，多款8寸中低壓MOSFET產(chǎn)品成功開發(fā)，與現(xiàn)有客戶產(chǎn)品形成配套，有利于增強(qiáng)公司與客戶合作的深度與廣度，預(yù)計(jì)未來將為公司貢獻(xiàn)持續(xù)穩(wěn)定的銷售收入；公司新建汽車電子產(chǎn)品線，部分產(chǎn)品已取得國內(nèi)外重點(diǎn)客戶認(rèn)證，為未來拓展汽車電子行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

報(bào)告期內(nèi)，揚(yáng)杰科技產(chǎn)量穩(wěn)步增長，其中晶圓產(chǎn)出同比增長59%，封裝成品產(chǎn)出同比增長36%；同時，穩(wěn)步推進(jìn)產(chǎn)能拓展工作，在晶圓、小信號系列封裝和貼片二極管系列封裝繼續(xù)加大投入。

同時，揚(yáng)杰科技披露了2019年第一季度報(bào)告，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入4.07億元，同比增長2.83%；歸屬于上市公司股東的凈利潤3506.11萬元，同比下降45.00%。