圖2.2是現(xiàn)代CMOS 器件剖面的示意圖。一般來說，水平方向的尺寸微縮幅度比垂直方向的幅度更大，這將....
2010年，愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場效應(yīng)....
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN....
MESFET 熱穩(wěn)定性較差、漏電流較大、邏輯擺幅較小、抗噪聲能力較弱。隨著頻率、功率容限以及低噪聲容....
結(jié)型場效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在....
一對N溝道和P溝道 MOS 管以推挽形式工作，構(gòu)成互補的金屬氧化物半導(dǎo)體器件（Complementa....
在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團(tuán)隊優(yōu)化制程達(dá)到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VC....
上述實驗結(jié)果為近年來局限在光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL?的結(jié)果，一直到2008年，作者實驗室首次在77....
在氮化鎵藍(lán)光?VCSEL?發(fā)展方面，1996年?Redwing?等人成功制作了第一個室溫下光激發(fā)的氮....
在氮化鎵發(fā)光二極體的發(fā)展過程中已受到許多的阻礙，其中包含缺少晶格匹配的基板、p型氮化鎵鎂的低活化率、....
東京大學(xué)荒川泰彥教授（Y. Arakawa）在1982年提出量子點結(jié)構(gòu)的概念，在1994年柏林工業(yè)大....
由上述 InP 系列材料面射型雷射發(fā)展可以發(fā)現(xiàn)，要制作全磊晶結(jié)構(gòu)的長波長面射型雷射難度較高，因此在1....
為了應(yīng)用在光纖通訊上有效提升訊號傳輸距離，對于發(fā)光波長1310nm?與1550nm的面射型雷射需求也....
在完成選擇性氧化制程后，通常會將蝕刻后殘留在磊晶片表面繼續(xù)作為氧化制程保護(hù)層的?SiO2或?SiNx....
采用氧化局限技術(shù)制作面射型雷射元件最關(guān)鍵的差異在于磊晶成長時就必須在活性層附近成長鋁含量莫耳分率高于....
制作氧化局限面射型雷射與蝕刻空氣柱狀結(jié)構(gòu)一樣都需要先將磊晶片進(jìn)行蝕刻，以便暴露出側(cè)向蝕刻表面（etc....
為了改善上述蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)以及離子布植法制作面射型雷射的缺點，在1994年從德州大學(xué)奧斯丁分校獲得博士....
目前市場上普遍采用的面射型雷射元件主流技術(shù)為選擇性氧化法，絕大多數(shù)面射型雷射操作特性紀(jì)錄均是由選擇性....
由于蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)有上述金屬電極制作困難且需要額外的蝕刻制程步驟等問題，因此早期業(yè)界及學(xué)術(shù)研究單位最常....
半導(dǎo)體材料被蝕刻移除后，剩余的柱狀結(jié)構(gòu)與周遭的空氣之間折射率差異也因此增加，因此在柱狀結(jié)構(gòu)中電子電洞....
其中蝕刻空氣柱法將大多數(shù)可以導(dǎo)通電流的半導(dǎo)體材料以物理性或化學(xué)方式蝕刻移除后，僅保留直徑數(shù)微米至數(shù)十....
從前面一小節(jié)對半導(dǎo)體雷射線寬的討論可以知道，即使半導(dǎo)體雷射操作在穩(wěn)態(tài)的狀況下，還是會有因為自發(fā)輻射所....
從前面的例子中，可以知道線寬增強因子會讓半導(dǎo)體雷射在動態(tài)操作時譜線變寬，接下來我們要討論的是半導(dǎo)體雷....
為要了解半導(dǎo)體雷射的大信號響應(yīng)，我們先針對單模雷射的速率方程式求解，我們將使用線性增益近似以及考慮到....
當(dāng)半導(dǎo)體雷射從閾值條件以下要達(dá)到雷射的操作，其主動層中的載子必須要先達(dá)到閾值載子濃度才會有雷射光輸出....
從（4-40）式我們知道，要達(dá)到高的弛豫頻率，光子生命期要小而閾值電流要低，然而這兩個因素是互相沖突....
（4-25） 式為我們可以量測得到的半導(dǎo)體雷射調(diào)制響應(yīng)。將之取對數(shù)乘上10之后，其單位即為?dB，如....
最常見的半導(dǎo)體雷射調(diào)制是如圖4-1 的直接電流調(diào)制，半導(dǎo)體雷射偏壓操作在固定的電流值I0上，欲輸入的....
典型的VCSEL 結(jié)構(gòu)主要由p型 DBR、n 型 DBR與光學(xué)共振腔所組成。上下 DBR提供縱向的光....
由于 VCSEL 共振腔的體積非常小，可以稱之為微共振腔（micro-cavity），因為要達(dá)到閾值....
