VCSEL相較于傳統(tǒng)的邊射型雷射而言，另一項(xiàng)重要的區(qū)分在于VCSBL 具有很短的雷射共振腔。
進(jìn)一步考量到 DBR 的設(shè)計(jì)時(shí)，雖然界面平整的異質(zhì)結(jié)構(gòu)可以提供較大而明顯的折射率差異以達(dá)到較高的 D....
相較于傳統(tǒng)邊射型半導(dǎo)體雷射的發(fā)展，垂直共握腔面射型雷射（VCSEL）的設(shè)計(jì)概念直到1979年首先被I....
共振腔中雷射光來回（round trip）振蕩后保持光學(xué)自再現(xiàn)（self-consistency）的....
在半導(dǎo)體中，光子的放射是由電子和電洞借由垂直躍遷所達(dá)成的，我們可以把具有相同k值的電子一電洞看成一種....
一個(gè)基本的半導(dǎo)體雷射如圖2-1所示，包含了兩個(gè)平行劈裂鏡面組成的共振腔，稱為Fabry-Perot?....
早期面射型雷射由于半導(dǎo)體磊晶技術(shù)簡(jiǎn)在發(fā)展初期階段，因此還無法直接成長(zhǎng)反射率符合雷射操作需求的全磊晶導(dǎo)....
早期所謂的面射型雷射（surface emitting laser, EBL）本質(zhì)上仍然是邊射型雷射....
LASER是“l(fā)ight amplification by stimulated emission ....
CMOS 工藝技術(shù)平臺(tái)的電容包括 MIM 和 PIP （Poly Insulator Poly）。P....
CMOS 工藝平臺(tái)的金屬方塊電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)包含該平臺(tái)的所有金屬層，例如如果該平臺(tái)使用五層金屬層，那么....
CMOS工藝平臺(tái)的Poly 方塊電阻有四種類型的電阻，它們分別是n型金屬硅化物 Poly 方塊電阻、....
圖5-34所示為PW方塊電阻的版圖，圖5-35所示為它的剖面圖。PW方塊電阻是通過DNW 隔離襯底（....
CMOS 工藝技術(shù)平臺(tái)的方塊電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)是NW方塊電阻、PW方塊電阻、Poly 方塊電阻、AA 方....
雖然 WAT測(cè)試類型非常多，不過業(yè)界對(duì)于 WAT測(cè)試類型都有一個(gè)明確的要求，就是包括該工藝技術(shù)平臺(tái)所....
WAT是英文 Wafer Acceptance Test 的縮寫，意思是晶圓接受測(cè)試，業(yè)界也稱WAT....
頂層金屬 AI工藝是指形成頂層金屬 AI 互連線。因?yàn)?Cu很容易在空氣中氧化，形成疏松的氧化銅，而....
IMD4 工藝是形成 TMV （Top Metal VIA，頂層金屬通孔）的介質(zhì)隔離材料，同時(shí)IMD....
IMD3工藝包括 IMD3a工藝和IMD3b工藝。IMD3a 工藝是形成 VIA2 的介質(zhì)隔離材料，....
接觸孔工藝是指在 ILD 介質(zhì)層上形成很多細(xì)小的垂直通孔，它是器件與第一層金屬層的連接通道。通孔的填....
IMD1工藝是指在第一層金屬之間的介質(zhì)隔離材料。IMD1的材料是 ULK （Ultra Low K）....
金屬層1工藝是指形成第一層金屬互連線，第一層金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把不同區(qū)域的接觸孔連起來，以及把不....
ILD 工藝是指在器件與第一層金屬之間形成的介質(zhì)材料，形成電性隔離。ILD介質(zhì)層可以有效地隔離金屬互....
Salicide 工藝是指在沒有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區(qū)和多....
與亞微米工藝類似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝，降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻，提....
與亞微米工藝類似，側(cè)墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質(zhì)層，從而保護(hù)LDD 結(jié)構(gòu)，防止重?fù)诫s的源漏離子....
與亞微米工藝類似，多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極，柵極的作用是控制器件的關(guān)閉或者導(dǎo)通。....
與亞微米工藝類似，柵氧化層工藝是通過熱氧化形成高質(zhì)量的柵氧化層，它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。
與亞微米工藝類似，雙阱工藝是指形成NW和PW的工藝，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW....
STI 隔離工藝是指利用氧化硅填充溝槽，在器件有源區(qū)之間嵌入很厚的氧化物，從而形成器件之間的隔離。利....
