前段集成工藝（FEOL）
其制造工藝流程如下：首先形成補償側(cè)墻 (Offset Spacer)，經(jīng)n+/p+輕摻雜源漏后，選擇....
前段集成工藝（FEOL）-4
在硅表面保留的這一層氧化層，在后續(xù)每步工藝中將發(fā)揮重要的保護作用。補償側(cè)墻用于隔開和補償由于 LDD....
嵌入式源漏選擇性外延（Embedded Source and Drain Selective Epitaxy）
源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層，利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長，僅在曝露....
應(yīng)變硅（Strained Silicon）
根據(jù)應(yīng)變的作用方向差異，應(yīng)變還可以分為雙軸應(yīng)變（Biaxial Strain，在晶片表面的x和y兩個....
雙重圖形化技術(shù)（Double Patterning Technology，DPT）
SADP 技術(shù)先利用浸沒式光刻機形成節(jié)距較大的線條，再利用側(cè)墻圖形轉(zhuǎn)移的方式形成 1/2 節(jié)距的線條....
鋁/銅互連工藝與雙鑲嵌法（AL/Cu Interconnect and Dual Damascenes）
鋁/銅互連工藝是指將前段工藝制備的晶體管連接起來的工藝。硅片上的金屬互連工藝過程是應(yīng)用化學(xué)方法和物理....
接觸孔工藝（Contact Process）
接觸孔工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵工藝，也是技術(shù)難度最高的工藝之一。接觸孔的尺寸是集成電路工藝中最小的....
集成電路芯片制造中的3種硅化物工藝介紹
為了降低接觸電阻和串聯(lián)電阻，在集成電路制造中引入了硅化物工藝，業(yè)界先后采用了可規(guī)模生產(chǎn)的 WSi2 ....
高K金屬柵工藝（HKMG）
目前，高K柵介質(zhì)與金屬柵極技術(shù)已廣泛應(yīng)用于 28mmn 以下高性能產(chǎn)品的制造，它在相同功耗情況下可以....
多晶硅柵（Poly-Si Gate）
多晶硅柵光刻工藝使用的光刻機是同一技術(shù)代集成電路工藝線中最先進、最昂貴的設(shè)備，它采用 UV 光源進行....
溝道工藝（Channel Process）
溝道工藝是集成電路的核心工藝之一，它確定了場效應(yīng)晶體管的基本特性，如閾值電壓、短溝道特性、噪聲特性、....
模塊工藝——隔離工藝（Isolation）
最早的隔離技術(shù)是 pn 結(jié)隔離，因為加上反向偏壓，pn結(jié)就能起到很好的天然隔離作用。但是，由于其需要....
CMOS集成電路的雙阱工藝簡析
CMOS 集成電路的基礎(chǔ)工藝之一就是雙阱工藝，它包括兩個區(qū)域，即n-MOS和p-MOS 有源區(qū)
模塊工藝——雙阱工藝（Twin-well or Dual-Well）
CMOS 集成電路的基礎(chǔ)工藝之一就是雙阱工藝，它包括兩個區(qū)域，即n-MOS和p-MOS 有源區(qū)，分別....
濕法刻蝕和清洗（Wet Etch and Cleaning）
濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕....
干法刻蝕和清洗（Dry Etch and Cleaning）
干法刻蝕工藝流程為，將刻蝕氣體注入真空反應(yīng)室，待壓力穩(wěn)定后，利用射頻輝光放電產(chǎn)生等離子體；受高速電子....
外延工藝（Epitaxy）
固相外延，是指固體源在襯底上生長一層單晶層，如離子注入后的熱退火實際上就是一種固相外延過程。離于注入....
化學(xué)機械拋光工藝（Chemical Mechanical Polishing，CMP）
CMP 所采用的設(shè)備及耗材包括拋光機、拋光液（又稱研磨液)、拋光墊、拋光后清洗設(shè)備、拋光終點(End....
原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）
由于 ALD 技術(shù)逐層生長薄膜的特點，所以 ALD 薄膜具有極佳的合階覆蓋能力，以及極高的沉積均勻性....
化學(xué)氣相沉積工藝（Chemical Vapor Deposition，CVD）
化學(xué)氣相沉積 (Chemical Vapor Deposition, CVD）是指不同分壓的多種氣相....
物理氣相沉積及濺射工藝（PVD and Sputtering）
物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition， PVD)工藝是指采用物理方法，如....
退火工藝（Thermal Annealing）介紹
通常，退火工藝是與其他工藝（如離子注入、薄膜沉積、金屬硅化物的形成等）結(jié)合在一起的，最常見的就是離子....
等離子體摻雜（Plasma Doping）
通常，用射頻電源產(chǎn)生高濃度等離子體電離摻雜氣體，而用偏置電源加速離子去“轟擊”圓片表面。最常用的 P....
離子注入與傳統(tǒng)熱擴散工藝區(qū)別
與通過傳統(tǒng)熱擴散工藝進行摻雜的方式相比，離子注入摻雜具有如下優(yōu)點。
集成電路制造工藝中的氧化工藝（Oxidation Process）
濕氧氧化化學(xué)反應(yīng)式為H2O(水汽）+ Si = SiO2 +2H2；在濕氧工藝中，可在氧氣中直接攜....
計算光刻技術(shù)的發(fā)展
計算光刻 (Computational Lithography)技術(shù)是指利用計算機輔助技術(shù)來增強光刻....
犧牲層技術(shù)大致包含哪幾個步驟
犧牲層技術(shù)自20世紀(jì)80 年代美國加州大學(xué)伯克利分校開發(fā)至今，得到了快速發(fā)展。犧牲層技術(shù)是 MEMS....
移相掩模技術(shù)不同的分類方法
光刻圖形質(zhì)量的主要判據(jù)是圖形成像的對比度，移相掩模方法可使對比度得到改善，從而使得其分辨率比傳統(tǒng)方法....
空腔-SOI襯底制造MEMS諧振器的工藝流程
常規(guī)的絕緣層上硅 (Silicon on Insulator, SOI）是通過注氧隔離 (Separ....
MEMS工藝中的鍵合技術(shù)
鍵合技術(shù)是 MEMS 工藝中常用的技術(shù)之一，是指將硅片與硅片、硅片與玻璃或硅片與金屬等材料通過物理或....
