功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計(jì)中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
德州儀器推柵極驅(qū)動(dòng)器旨在滿足IGBT與SiC FET需求
德州儀器 （TI） 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 與碳化硅 （SiC） FET 的 35 V 單通道輸出級(jí)電源管理柵極驅(qū)動(dòng)器。TI 支持拆分輸出的最新 UCC27531 與 UCC27532 輸出級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)器可為...
2013-03-04 標(biāo)簽：德州儀器IGBTSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 1568
e絡(luò)盟與Coilcraft簽訂國際分銷協(xié)議
e絡(luò)盟近日宣布與 Coilcraft公司簽訂一項(xiàng)新的合作協(xié)議，將采購Coilcraft公司3500種產(chǎn)品。Coilcraft公司是全球片式電感、功率電感等各種磁性元件的領(lǐng)先制造商。...
AOS推出新的高性價(jià)比功率因數(shù)校正（PFC）效率產(chǎn)品系列
日前， 功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS萬國半導(dǎo)體發(fā)布第一款新產(chǎn)品系列的功率因數(shù)校正（PFC）IC，AOZ7111有源功率因數(shù)校正控制器，集成各種安全保護(hù)功能，高性價(jià)比的離線式電源轉(zhuǎn)換解決方案。...
2013-02-26 標(biāo)簽：PFCAOZ7111PFC萬國半導(dǎo)體 1746
英飛凌選用漢高新型導(dǎo)熱膏——導(dǎo)熱性能更出色的TIM
功率半導(dǎo)體的功率密度日益提高，因此，必須早在其設(shè)計(jì)階段就將散熱管理功能集成到當(dāng)今的功率半導(dǎo)體中。只有這樣，它們才能確保實(shí)現(xiàn)長期的可靠散熱。其中一個(gè)技術(shù)瓶頸是功率器件和散熱...
淺談功率半導(dǎo)體的技術(shù)與未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展
經(jīng)過了很長一段時(shí)間的發(fā)展，功率半導(dǎo)體在相關(guān)電源電路中的應(yīng)用已經(jīng)不可替代。尤其是在當(dāng)前太陽能著力發(fā)展的時(shí)代，功率半導(dǎo)體更是大踏步向前，雖然目前有著氮化鎵與碳化硅等更好的材料...
2013-02-25 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 12342
英飛凌首個(gè)CoolMOS家族芯片現(xiàn)已開始面向全球發(fā)貨
英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導(dǎo)體方面取得了重大突破。今年2月，從奧地利費(fèi)拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來的英飛凌CoolMOS?家族產(chǎn)品，得到了第一批客戶的首肯。...
2013-02-25 標(biāo)簽：英飛凌晶圓功率半導(dǎo)體CoolMOS 1917
討論在PFC中應(yīng)用的新型超級(jí)結(jié)MOSFET器件的特點(diǎn)
眾所周知，超級(jí)結(jié)MOSFET的高開關(guān)速度自然有利于減少開關(guān)損耗，但它也帶來了負(fù)面影響，例如增加了EMI、柵極振蕩、高峰值漏源電壓。在柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中，一個(gè)關(guān)鍵的控制參數(shù)就是外部串聯(lián)柵電...
300nm晶圓首次用于制造功率器件，英飛凌推出超結(jié)MOSFET
英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolMOS系列產(chǎn)品”，由奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)。...
認(rèn)識(shí)電力系統(tǒng)中功率元器件的重要性
電力電子系統(tǒng)通常包含控制電路和電力電路兩個(gè)子系統(tǒng)，其中電力電路的功率級(jí)（Power Stage）子電路良窳，關(guān)乎整個(gè)應(yīng)用系統(tǒng)的效率，開發(fā)人員須根據(jù)應(yīng)用所需，仔細(xì)評(píng)估各種功率開關(guān)和閘...
2013-02-24 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)功率元件 2492
功率元器件應(yīng)用秘訣，采用專用MOSFET提高效率
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體（MOSFET）正經(jīng)歷重大改變。業(yè)界采取兩種截然不同的方法來達(dá)到更高效能，首先是經(jīng)由改善硅材料和制程技術(shù)，以克服現(xiàn)有產(chǎn)品的限制，另一種方法則是開發(fā)更...
東芝擴(kuò)充12V耐壓p通道MOSFET產(chǎn)品線，用于便攜終端充電開關(guān)
東芝于日前擴(kuò)充了耐壓（漏源間電壓）為-12V的p通道MOSFET的產(chǎn)品線。此次推出的新產(chǎn)品是采用封裝面積為2.0mm×2.0mm的SOT-1220（UDFN6B）封裝的“SSM6J505NU”，以及采用封裝面積為1.6mm×1.6mm的SOT-563（...
IR擴(kuò)充堅(jiān)固可靠的600V溝道超高速IGBT系列
國際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 近日擴(kuò)充600V絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，這些經(jīng)過優(yōu)化的新器件尤為適合不間斷電源 （UPS）、太陽能、感應(yīng)加熱、工業(yè)電機(jī)和焊接應(yīng)用。...
詳解MOS管發(fā)熱的可能性原因
無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會(huì)發(fā)生像三極管做開關(guān)...
飛兆半導(dǎo)體推出具有高可靠性和卓越開關(guān)性能IGBT
飛兆半導(dǎo)體的高電壓場(chǎng)截止陽極短路（Shorted Anode） trench IGBT可針對(duì)IH電飯煲、臺(tái)式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率和系統(tǒng)可靠性，為設(shè)計(jì)人員提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠且高效的解決...
2013-01-29 標(biāo)簽：飛兆半導(dǎo)體IGBT 1153
Microsemi宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅標(biāo)準(zhǔn)功率模塊
Microsemi宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅（silicon carbide，SiC）標(biāo)準(zhǔn)功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其它大功...
恩智浦推出針對(duì)熱插拔應(yīng)用的新一代功率MOSFET
NextPower Live系列同時(shí)提供出色的線性模式性能和極低的RDS（on）值，該獨(dú)特組合展示了恩智浦在該領(lǐng)域的技術(shù)能力。...
不間斷電源中的IGBT應(yīng)用總結(jié)
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用...
東芝推出可在高溫下應(yīng)用的車載功率MOSFET
東芝于日前宣布，開始銷售可確保在175℃條件下工作的車載設(shè)備用功率MOSFET“TK80A04K3L”。這是一款耐壓為＋40V的n通道產(chǎn)品，是該公司功率MOSFET系列“U-MOS IV”的新成員。除車載電子設(shè)備外，還...
IR推出具有基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻的全新300V功率MOSFET
IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計(jì)人員在多個(gè)...
Intel攜手臺(tái)大布局節(jié)能元件 助力M2M發(fā)展熱潮
英特爾（Intel）與臺(tái)灣大學(xué)共同設(shè)立的創(chuàng)新研究中心日前大舉揭露多元節(jié)能芯片技術(shù)。由于感測(cè)、通訊和分析系統(tǒng)是構(gòu)成機(jī)器對(duì)機(jī)器（M2M）網(wǎng)路三大要素，且須在低功耗的前提下運(yùn)作，才...
2013-01-16 標(biāo)簽：節(jié)能intelRF射頻收發(fā)器M2M智能監(jiān)控 1086
多層陶瓷電容器常見小缺陷的規(guī)避方法
因其小尺寸、低等效串聯(lián)電阻（ESR）、低成本、高可靠性和高紋波電流能力，多層陶瓷 （MLC） 電容器在電源電子產(chǎn)品中變得極為普遍。...
如何控制IGBT逆變器設(shè)計(jì)中的雜散電感
IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計(jì)應(yīng)用功率或各自額定電流水平相關(guān)的開關(guān)速度和軟度要求是推動(dòng)這些不同...
如何實(shí)現(xiàn)IGBT的軟開關(guān)的應(yīng)用開發(fā)
正常IGBT的工作頻率在10—20kHz，其開關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速中，它是較好的選擇。它在中小容量裝置中淘汰功率雙極晶體管（GTR）已成定論。IEGT在高電壓領(lǐng)域中...
提高太陽能逆變器效能的IGBT選擇方法淺談
如今市場(chǎng)上先進(jìn)功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件，的確是一項(xiàng)艱巨的工作。就以太陽能逆變器應(yīng)用來說，絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 能比其他...
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