功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設計中所需的功率器件最新應用技術和方法以及電源設計相關內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
Vishay發(fā)布高性能非對稱雙片TrenchFET? MOSFET
Vishay發(fā)布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET? Gen IV技術的新款30V非對稱雙片TrenchFET 功率MOSFET---SiZ340DT。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個小尺寸封裝里，導通電阻比前一代同...
車載信息設備用功率電感器
近年，隨著汽車電子化進程的不斷推進，以音頻和導航系統(tǒng)為首的車載用各種數(shù)碼設備不斷增加。此外，各國規(guī)定了汽車后視攝像頭、車道偏離警告系統(tǒng)、自動緊急制動系統(tǒng)的義務搭載，使這些...
2014-01-23 標簽：汽車電子功率電感器車載信息娛樂系統(tǒng) 2027
英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時尚早
業(yè)界對GaN功率元件的期待已達到最高峰。實際上這的確是一種非常有前景的材料。但其中還有很多未知的部分，采用還為時尚早。英飛凌科技負責汽車用高壓功率半導體和驅動IC等業(yè)務的電動動...
導入Cascode結構 GaN FET打造高效率開關
射頻（RF）應用的氮化鎵（GaN）電晶體已面世多年，最近業(yè)界的重點開發(fā)面向為電力電子應用的經(jīng)濟型高性能GaN功率電晶體。十幾家半導體公司都在積極開發(fā)幾種不同的方法，以實現(xiàn)GaN功率場效...
將電磁感應加熱應用的IGBT功率損耗降至最低
在此應用中IGBT的總功率損耗包含導通損耗、導電損耗、關閉損耗及二極管損耗。二極管損耗在總功率損耗中所占比例可以忽略不計，而如果使用了零電壓開關（ZVS）技術，可以大幅降低導通損...
2013-12-18 標簽：IGBT 2510
IR推出高度緊湊的10A AUIR08152S柵級驅動IC
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出高度緊湊的AUIR08152S車用柵級驅動IC。新產(chǎn)品具備超過10A的大電流輸出，可以幫助汽車級和工業(yè)級大功...
2013-12-10 標簽：IRAUIR08152SIR 1938
飛兆半導體的1200V溝槽型場截止IGBT提供更快速的開關性能和改進的可靠性
飛兆半導體是全球領先的高性能電源和移動半導體解決方案的提供商，其推出一系列1200 V溝槽型場截止IGBT。以硬開關工業(yè)應用為目標，如太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）和電焊機，此新型I...
飛兆半導體集成式智能功率級(SPS)模塊 具有更高的功率密度和更佳的效率
在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務器和電信系統(tǒng)供電應用中，提高效率和功率密度是設計人員面臨的重大挑戰(zhàn)。為了應對挑戰(zhàn)，飛兆半導體研發(fā)了智能功率級（SPS）模塊系列——下一代超緊湊...
揭秘IGBT市場成長的動力來源
IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步。具體而言，市場預估將從今年的36億美元，在5年后達到60億美元。...
IR針對300W馬達功率應用推出半橋式功率模塊，擴充μIPM系列
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出IRSM808-105MH和IRSM807-105MH，以擴充正在申請專利的高集成、超小型μIPM功率模塊。兩款新產(chǎn)品都針對馬達...
IR 推出配有集成式功率因數(shù)校正的三相位逆變器
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出配有功率因數(shù)校正級和逆變器級的IRAM630-1562F智能功率模塊 （IPM） ，能夠縮小及簡化空調(diào)和洗衣機等...
美高森美全新650V碳化硅肖特基解決方案 提升大功率應用的系統(tǒng)性能
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC） 擴展碳化硅（SiC）肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的...
IR推出 AUIRF8736M2 車用DirectFET2功率 MOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 宣布推出AUIRF8736M2 DirectFET2 功率MOSFET，適合需要在緊湊的占位面積內(nèi)提供高功率密度的重載汽車應用，包...
恩智浦NextPowerS3可提供帶軟恢復功能的超快速開關性能的MOSFET
9月24日訊——恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克代碼：NXPI）近日宣布推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平臺，使用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技術。NextPowerS3是業(yè)界首款能夠...
飛兆半導體的陽極短路IGBT榮膺EPC十佳功率產(chǎn)品獎
飛兆半導體（紐約證券交易所代碼： FCS）——全球領先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商已榮膺《今日電子（EPC）》主辦的第11屆年度十佳DC-DC功率產(chǎn)品獎。這是自飛兆半導體將其高壓...
美高森美新型較大功率和較高電壓MOSFET器件 瞄準RF和寬帶通信應用
致力于提供功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司宣布擴展高頻率垂直擴散金屬氧化物半導體（VDMOS） MOSFET產(chǎn)品系列，兩款更大功率、更高電壓（V） VRF294...
中國首件自主設計大功率IGBT芯片通過鑒定
今天上午，在上海制造的大功率IGBT芯片（絕緣柵雙極型晶體管）通過專家鑒定，這一中國首件自主設計制造的“中國芯”不僅邁開了替代進口的步伐，還將在軌道交通、電力系統(tǒng)、綠色能源、...
2013-09-13 標簽：智能電網(wǎng)IGBT變頻技術 2215
兼顧高耐壓與低Vce（sat）性能的650V場截止溝槽式IGBT受熱捧
絕緣閘雙極電晶體（IGBT）是一種少數(shù)載子功率元件，擁有高輸入阻抗和高雙極電流功能，這些特性使其適用于多種電力電子產(chǎn)品，特別是馬達驅動器、不斷電系統(tǒng)（UPS）、再生能源系統(tǒng)、焊接...
2013-08-28 標簽：IGBT 2213
美高森美為工業(yè)應用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT
美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴苛環(huán)境工作而設計，尤其適用于太陽能逆變器...
加速線上工具的功率級設計，助力IGBT特性分析功能提升
為讓電子產(chǎn)品設計人員在最短時間內(nèi)，完成新一代絕緣閘雙極電晶體（IGBT）元件特性評估作業(yè)，功率半導體業(yè)者研發(fā)出更精密的線上設計工具，不僅能提供溫度和頻率等重要應用參數(shù)分析功...
2013-08-15 標簽：IGBT 1171
功率電子元件市場走俏，日廠商聯(lián)手搶攻
隨著市場對混合動力/電動車的需求不斷增加，晶片產(chǎn)業(yè)對功率電子元件市場的期望也越來越高；市場研究機構 IHS 指出，來自電源供應器、太陽光電逆變器（PV）以及工業(yè)馬達驅動器等的需求，...
從原理到具體電路，深入剖析MOSFET的工作方式
本文從MOSFET的工作原理入手，詳細介紹MOSFET的應用以及其他注意事項，希望能夠提高大家對MOSFET的認識。詳細介紹請看原文：MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），F(xiàn)ET（...
Diode全新集成高壓穩(wěn)壓器晶體管有效提升功率密度
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出ZXTR2000系列高壓穩(wěn)壓器，把晶體管、Zener二極管及電阻器集成到一個標準SOT89封裝，通過減少器件數(shù)量和占位面積，提升電路的功率密度。這些器件主要用于網(wǎng)...
2013-07-18 標簽：DiodeDiode穩(wěn)壓器晶體管 1686
淺談大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過流保護方案
在工業(yè)應用中，一般都是利用這些瞬時過電流保護信號，通過觸發(fā)器時序邏輯電路的記憶功能，構成記憶鎖定保護電路，以避免保護電路在過流時的頻繁動作，實現(xiàn)可取的過流保護。本文分析了...
耐用型650V溝道IGBT在逆變器中的應用
絕緣柵極雙極性晶體管（IGBT）是具有高輸入阻抗和大雙極性電流能力的少數(shù)載流子功率器件。由于這些特性，IGBT非常適合電力電子中的許多應用，尤其是電機驅動器、不間斷電源（UPS）、可...
Vishay擴充其TrenchFETGen III P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。...
2013-07-15 標簽：MOSFETVishayMOSFETTrenchFETGenVishay 1183
TDK推出世界最小尺寸積層功率電感器
目前，TDK株式會社開發(fā)出世界上最小尺寸L:1.0×W:0.5×H:0.7（mm）的積層功率電感器。該產(chǎn)品在以往外形尺寸基礎上進一步追求小型化，體積及封裝面積分別減少約60%，搭載于智能手機、平板終端等...
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