功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
IR公司推出全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出堅固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，針對工業(yè)電機驅(qū)動及不間斷電源 （...
英飛凌EiceDRIVER系列新增Compact類別半橋閘極驅(qū)動器
英飛凌科技股份有限公司（FSE:IFX / OTCQX:IFNNY） 將展示全新的2EDL EiceDRIVERTMCompact半橋閘極驅(qū)動器，該產(chǎn)品適用于阻斷電壓為600伏的應(yīng)用。...
2013-06-13 標(biāo)簽：英飛凌EiceDRIVER半橋閘極驅(qū)動器英飛凌 1130
Allegro MicroSystems推出新三相MOSFET控制器IC
日前，Allegro MicroSystems 公司推出一款新型三相 MOSFET 控制器 IC，該器件可實現(xiàn)對三相無刷直流電動機的脈寬調(diào)制 （PWM） 電流控制。...
2013-06-09 標(biāo)簽：PCB設(shè)計allegro可制造性設(shè)計華秋DFM 1231
車用柵極驅(qū)動器涵蓋所有應(yīng)用 助力汽車系統(tǒng)設(shè)計
飛兆半導(dǎo)體汽車柵極驅(qū)動器產(chǎn)品組合的最新成員將HVIC產(chǎn)品線擴展到逆變器和電機驅(qū)動應(yīng)用所需的高峰值電流范圍。...
2013-06-07 標(biāo)簽：混合動力汽車汽車系統(tǒng)功率半導(dǎo)體柵極驅(qū)動器功率逆變器 4717
移動箱：在高電流實驗室表征裝置方面的制造及應(yīng)用
PROFET?是一種典型的帶增強功能（如圖1所示）的MOSFET，增強的功能可提升其在高端驅(qū)動器應(yīng)用中的性能。PROFET?設(shè)備通常涉及到高電流測試參數(shù)。高電流測試參數(shù)，比如短路測量、電流限制和...
2013-06-07 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動器示波器函數(shù)發(fā)生器MOSFET函數(shù)發(fā)生器示波器移動箱驅(qū)動器 2059
飛兆半導(dǎo)體推出100V BoostPak解決方案，降低LED應(yīng)用的系統(tǒng)成本
飛兆半導(dǎo)體公司（紐約證券交易所代號： FCS）是高性能功率半導(dǎo)體和移動半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，通過引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過程，將 MOSFET 和二極管集...
2013-06-05 標(biāo)簽：飛兆半導(dǎo)體led照明DC/DC 1364
新的LGA封裝MOSFET將提高智能終端的能效和電池使用時間
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 （ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN） 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機及平板電腦應(yīng)用，作為鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路開關(guān)的關(guān)鍵組成部分...
Vishay大幅擴充E系列650V N溝道功率MOSFET家族
新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結(jié)技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達(dá)6A～105A，在8種封裝中實現(xiàn)低FOM和高功率密度。...
飛兆半導(dǎo)體于2013年功率電子論壇中推多項創(chuàng)新解決方案
飛兆半導(dǎo)體公司（紐約證券交易所代號： FCS），高性能功率和移動半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，將與行業(yè)和學(xué)術(shù)界專家齊聚一堂，參加2013年6月18-20日于上海國際會展中心舉辦的功率轉(zhuǎn)換...
2013-06-04 標(biāo)簽：飛兆半導(dǎo)體開關(guān)電源電機驅(qū)動功率器件 1138
英飛凌推出EiceDRIVER?SIL和EiceDRIVER?Boost，用于汽車級IGBT驅(qū)動
英飛凌科技股份有限公司 （FSE:IFX / OTC QX:IFNNY） 今天推出新一代應(yīng)用于新能源汽車的高壓IGBT門級驅(qū)動器。有了專為混合動力/電動汽車 （HEV） 的主逆變器而設(shè)計的全新EiceDRIVER? SIL和EiceDRIVER?...
2013-05-27 標(biāo)簽：IGBTEiceDRIVER?BoostIGBT 1767
英飛凌推出采用突破性超結(jié)技術(shù)的CoolMOS C7
英飛凌科技股份公司（FSE代碼： IFX / OTCQX代碼： IFNNY）進(jìn)一步壯大其高壓產(chǎn)品組合，推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7。全新的C7產(chǎn)品家族針對所有標(biāo)準(zhǔn)封裝實現(xiàn)了一流的通態(tài)電阻RDS（...
2013-05-20 標(biāo)簽：英飛凌功率器件CoolMOS C7功率器件英飛凌 3008
安森美半導(dǎo)體推出領(lǐng)先業(yè)界的最佳系統(tǒng)級性能的IGBT
安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN）持續(xù)擴充高性能絕緣門雙極晶體管（IGBT）產(chǎn)品陣容，應(yīng)用于消費類電器及工業(yè)應(yīng)用的高性能電源轉(zhuǎn)換（HPPC）。...
AOS發(fā)布最低內(nèi)阻MOSFET：AON6250
萬國半導(dǎo)體（AOS）發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件： AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS （αMOS）中壓系列旗艦產(chǎn)品，為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方案。AON6250適用于通信及工業(yè)電源DC/DC轉(zhuǎn)換器原...
2013-05-14 標(biāo)簽：MOSFET萬國半導(dǎo)體AON6250MOSFET萬國半導(dǎo)體 3944
飛兆半導(dǎo)體四路MOSFET解決方案助力解決效率和散熱問題
飛兆半導(dǎo)體的四路MOSFET解決方案提高了效率，解決了有源整流橋應(yīng)用中的散熱問題。單個封裝中的四個60V MOSFET可提高系統(tǒng)效率，替代二極管整流橋，實現(xiàn)緊湊的設(shè)計并節(jié)省電路板空間...
2013-05-02 標(biāo)簽：飛兆半導(dǎo)體傳感器二極管MOSFET 1709
全方位了解IGBT的基礎(chǔ)知識
有關(guān)IGBT你了解多少，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高...
美高森美為非穿通型IGBT產(chǎn)品系列增添多款新器件
美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC）宣布其新一代1200V非穿通型（non-punch through， NPT） IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A額定電流型款。...
淺談三極管和MOS管作開關(guān)用時的區(qū)別
我們在做電路設(shè)計中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別？下面我們從實例出發(fā)解析兩者的區(qū)別...
恩智浦推出全球首款采用2 mm x 2 mm無引腳封裝的低VCEsat雙晶體管
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克代碼：NXPI）近日推出業(yè)內(nèi)首款雙晶體管產(chǎn)品，具有低飽和電壓特性，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平無引腳）封裝。15種采用無引腳、薄型DFN2020-6...
2013-03-25 標(biāo)簽：恩智浦VCEsat雙晶體管恩智浦 1840
科普混合動力車中大功率元件的五大要素
混合動力車設(shè)計過程中會出現(xiàn)各種各樣的功率器件問題，如更高效、更出色載流能力等等，本文著重如何解決這方面的問題。...
IR推出能簡化器件選擇和優(yōu)化的IGBT產(chǎn)品在線選型和性能評估工具
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日提升絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 選型工具的性能，以優(yōu)化多種應(yīng)用的設(shè)計過程，包括馬達(dá)驅(qū)動器、不...
恩智浦發(fā)布采用LFPAK56封裝的汽車功率MOSFET
恩智浦半導(dǎo)體近日推出54款符合汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并采用LFPAK56封裝的全新MOSFET——是目前市場上最全的Power-SO8 MOSFET產(chǎn)品組合。恩智浦的LFPAK56 MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的性能和可靠性，與DPAK相比還可節(jié)省...
功率半導(dǎo)體的革命：SiC與GaN的共舞
功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用...
2013-03-07 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 5404
Vishay發(fā)布2013年“Super 12”明星產(chǎn)品
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出2013年的“Super 12”特色產(chǎn)品。Vishay的Super 12精選產(chǎn)品展示了該公司在半導(dǎo)體和無源器件方面的領(lǐng)先優(yōu)勢，為設(shè)計工程師提供接觸業(yè)內(nèi)...
瑞薩電子推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品
瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。...
2013-03-06 標(biāo)簽：MOSFET低導(dǎo)通電阻瑞薩電子 1320
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